SM6S10通SM6S36A
威世通用半导体
表面贴装汽车瞬态电压抑制器
高温稳定性和高可靠性的条件
特点
专利PAR
施工
可在单向只有极
低漏电流
低正向压降
高浪涌能力
符合ISO7637-2规范激增（由不同
测试条件）
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
245 ° C峰值
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
泰德*
ATEN
P
*
专利号的：
4,980,315
5,166,769
5,278,095
DO-218AB
典型应用
适用于对敏感电子设备保护
诱发感性负载电压瞬变
开关和照明灯具，特别是用于汽车
负载突降保护申请。
主要特征
V
WM
P
PPM
（ 10 ×1000微秒）
P
PPM
（ 10× 10000微秒）
P
D
I
FSM
T
J
马克斯。
10 V至36 V
4600 W
3600 W
6W
600 A
175 °C
机械数据
案例：
DO-218AB
塑封料符合UL 94 V- 0阻燃
等级
底座P / NHE3 - 符合RoHS标准，高可靠性/
汽车级（ AEC Q101标准）
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
HE3后缀符合JESD 201级2晶须测试
极性：
散热器是阳极
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
峰值脉冲功率耗散
与10/1000微秒波形
与10/10000 μs的波形
符号
P
PPM
P
D
I
PPM
I
FSM
T
J
, T
英镑
价值
4600
3600
6.0
看下表
600
- 55 + 175
单位
W
W
A
A
°C
在无限散热器在T功耗
C
= 25 ℃（图1）
峰值脉冲电流10/1000微秒波形
(1)
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
工作结存储温度范围
注意：
（1）非重复性的电流脉冲在T
A
= 25 °C
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修订： 20 - OCT- 08
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1
SM6S10通SM6S36A
威世通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
设备
TYPE
击穿
电压
V
（ BR ）
(V)
分钟。
SM6S10
SM6S10A
SM6S11
SM6S11A
SM6S12
SM6S12A
SM6S13
SM6S13A
SM6S14
SM6S14A
SM6S15
SM6S15A
SM6S16
SM6S16A
SM6S17
SM6S17A
SM6S18
SM6S18A
SM6S20
SM6S20A
SM6S22
SM6S22A
SM6S24
SM6S24A
SM6S26
SM6S26A
SM6S28
SM6S28A
SM6S30
SM6S30A
SM6S33
SM6S33A
SM6S36
SM6S36A
注意：
对于所有类型的最大V
F
= 1.9 V ，在我
F
= 100 A在8.3ms单一正弦半波或等效方波，占空比= 4个脉冲测量每
最高分
11.1
11.1
12.2
12.2
13.3
13.3
14.4
14.4
15.6
15.6
16.7
16.7
17.8
17.8
18.9
18.9
20.0
20.0
22.2
22.2
24.4
24.4
26.7
26.7
28.9
28.9
31.1
31.1
33.3
33.3
36.7
36.7
40.0
40.0
马克斯。
13.6
12.3
14.9
13.5
16.3
14.7
17.6
15.9
19.1
17.2
20.4
18.5
21.8
19.7
23.1
20.9
24.4
22.1
27.1
24.5
29.8
26.9
32.6
29.5
35.3
31.9
38.0
34.4
40.7
36.8
44.9
40.6
48.9
44.2
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
10.0
10.0
11.0
11.0
12.0
12.0
13.0
13.0
14.0
14.0
15.0
15.0
16.0
16.0
17.0
17.0
18.0
18.0
20.0
20.0
22.0
22.0
24.0
24.0
26.0
26.0
28.0
28.0
30.0
30.0
33.0
33.0
36.0
36.0
TEST
当前
I
T
（MA ）
待机动
关闭
电压
V
WM
(V)
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
D
(A)
15
15
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
最大反向
泄漏
在V
WM
T
J
= 175 °C
I
D
(A)
250
250
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
马克斯。高峰
脉冲
当前
AT 10/1000微秒
波形
(A)
245
271
229
253
209
231
193
214
178
198
171
189
160
177
151
167
143
158
128
142
117
130
107
118
99
109
92
101
86
95
78
86
72
79
最大
夹紧
电压
在我
PPM
V
C
(V)
18.8
17.0
20.1
18.2
22.0
19.9
23.8
21.5
25.8
23.2
26.9
24.4
28.8
26.0
30.5
27.6
32.2
29.2
35.8
32.4
39.4
35.5
43.0
38.9
46.6
42.1
50.1
45.4
53.5
48.4
59.0
53.3
64.3
58.1
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
0.95
单位
° C / W
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SM6S10通SM6S36A
威世通用半导体
订购信息
（例）
首选的P / N
SM6S10AHE3/2D
(1)
注意：
（ 1 ）汽车级AEC Q101标准
单位重量（g ）
2.550
首选包装代码
2D
基地数量
750
配送方式
直径13"纸胶带和卷轴，
对链轮孔阳极
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
8.0
150
T
J
= 25 °C
脉冲
宽度
(t
d
)
被定义为点
哪里
峰值电流
衰减到第I 50％
PPM
功耗（ W）
6.0
I
PPM
- 峰值脉冲电流， ％I
RSM
t
r
= 10
s
PEAK
价值
I
PPM
100
4.0
半
价值
- I
PP
I
PPM
2
50
2.0
t
d
0
0
50
100
150
200
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
外壳温度（ ° C）
吨 - 时间（ms ）
图1.功率降额曲线
图3.脉冲波形
6000
10 000
4000
3000
2000
1000
0
25
50
75
100
125
150
175
反向浪涌功率（W ）
1000
10
100
5000
抛负载功率（W ）
外壳温度（ ° C）
脉冲
宽度
(ms) - ½ I
PP
指数
波形
图2.抛负载功耗特性
（ 10毫秒指数波形）
图4.反向功率能力
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3
SM6S10通SM6S36A
威世通用半导体
100
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
R
θJA
10
1
R
θJC
0.1
0.01
0.01
0.1
1
10
100
吨 - 脉冲
宽度
(s)
图5.典型的瞬态热阻抗
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO-218AB
0.628(16.0)
0.592(15.0)
0.539(13.7)
0.524(13.3)
0.116(3.0)
0.093(2.4)
贴装焊盘布局
0.091(2.3)
0.067(1.7)
0.116(3.0)
0.093(2.4)
0.413(10.5) 0.342(8.7)
0.374(9.5) 0.327(8.3)
0.413(10.5)
0.374(9.5)
0.366(9.3)
0.343(8.7)
0.406(10.3)
0.382(9.7)
LEAD 1
0.197(5.0)
0.185(4.7)
0.138(3.5)
0.098(2.5)
0.366(9.3)
0.343(8.7)
0.606(15.4)
0.583(14.8)
0.150(3.8)
0.126(3.2)
0.016 （ 0.4 ）最小。
LEAD 2 /金属散热片
0.028(0.7)
0.020(0.5)
0.098(2.5)
0.059(1.5)
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日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
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另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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1
SM6S系列
威世半导体
原通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
设备类型
击穿电压
V
（ BR ）
(V)
分钟。
SM6S10
SM6S10A
SM6S11
SM6S11A
SM6S12
SM6S12A
SM6S13
SM6S13A
SM6S14
SM6S14A
SM6S15
SM6S15A
SM6S16
SM6S16A
SM6S17
SM6S17A
SM6S18
SM6S18A
SM6S20
SM6S20A
SM6S22
SM6S22A
SM6S24
SM6S24A
SM6S26
SM6S26A
SM6S28
SM6S28A
SM6S30
SM6S30A
SM6S33
SM6S33A
SM6S36
SM6S36A
11.1
11.1
12.2
12.2
13.3
13.3
14.4
14.4
15.6
15.6
16.7
16.7
17.8
17.8
18.9
18.9
20.0
20.0
22.2
22.2
24.4
24.4
26.7
26.7
28.9
28.9
31.1
31.1
33.3
33.3
36.7
36.7
40.0
40.0
马克斯。
13.6
12.3
14.9
13.5
16.3
14.7
17.6
15.9
19.1
17.2
20.4
18.5
21.8
19.7
23.1
20.9
24.4
22.1
27.1
24.5
29.8
26.9
32.6
29.5
35.3
31.9
38.0
34.4
40.7
36.8
44.9
40.6
48.9
44.2
测试电流
I
T
（MA ）
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
对峙
电压
V
WM
(V)
10.0
10.0
11.0
11.0
12.0
12.0
13.0
13.0
14.0
14.0
15.0
15.0
16.0
16.0
17.0
17.0
18.0
18.0
20.0
20.0
22.0
22.0
24.0
24.0
26.0
26.0
28.0
28.0
30.0
30.0
33.0
33.0
36.0
36.0
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
D
(A)
15
15
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
最大最大。最大峰值
反向
脉冲
夹紧
泄漏
当前
电压
在V
WM
在10 / 1000μs
I
PPM
o
TC = 175℃波形
V
C
I
D
(A)
250
250
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
(A)
245
271
229
253
209
231
193
214
178
198
171
189
160
177
151
167
143
158
128
142
117
130
107
118
99
109
92
101
86
95
78
86
72
79
(V)
18.8
17.0
20.1
18.2
22.0
19.9
23.8
21.5
25.8
23.2
26.9
24.4
28.8
26.0
30.5
27.6
32.2
29.2
35.8
32.4
39.4
35.5
43.0
38.9
46.6
42.1
50.1
45.4
53.5
48.4
59.0
53.3
64.3
58.1
注意：
对于所有类型的最大V
F
=我在1.9V
F
= 100A测量8.3ms单半正弦波或等效方波，占空比= 4个脉冲每分钟最高
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01-Aug-02
SM6S系列
威世半导体
原通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
设备类型
击穿电压
V
（ BR ）
(V)
分钟。
SM6S10
SM6S10A
SM6S11
SM6S11A
SM6S12
SM6S12A
SM6S13
SM6S13A
SM6S14
SM6S14A
SM6S15
SM6S15A
SM6S16
SM6S16A
SM6S17
SM6S17A
SM6S18
SM6S18A
SM6S20
SM6S20A
SM6S22
SM6S22A
SM6S24
SM6S24A
SM6S26
SM6S26A
SM6S28
SM6S28A
SM6S30
SM6S30A
SM6S33
SM6S33A
SM6S36
SM6S36A
11.1
11.1
12.2
12.2
13.3
13.3
14.4
14.4
15.6
15.6
16.7
16.7
17.8
17.8
18.9
18.9
20.0
20.0
22.2
22.2
24.4
24.4
26.7
26.7
28.9
28.9
31.1
31.1
33.3
33.3
36.7
36.7
40.0
40.0
马克斯。
13.6
12.3
14.9
13.5
16.3
14.7
17.6
15.9
19.1
17.2
20.4
18.5
21.8
19.7
23.1
20.9
24.4
22.1
27.1
24.5
29.8
26.9
32.6
29.5
35.3
31.9
38.0
34.4
40.7
36.8
44.9
40.6
48.9
44.2
测试电流
I
T
（MA ）
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
对峙
电压
V
WM
(V)
10.0
10.0
11.0
11.0
12.0
12.0
13.0
13.0
14.0
14.0
15.0
15.0
16.0
16.0
17.0
17.0
18.0
18.0
20.0
20.0
22.0
22.0
24.0
24.0
26.0
26.0
28.0
28.0
30.0
30.0
33.0
33.0
36.0
36.0
最大
反向
泄漏
在V
WM
I
D
(A)
15
15
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
最大最大。最大峰值
反向
脉冲
夹紧
泄漏
当前
电压
在V
WM
在10 / 1000μs
I
PPM
o
TC = 175℃波形
V
C
I
D
(A)
250
250
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
(A)
245
271
229
253
209
231
193
214
178
198
171
189
160
177
151
167
143
158
128
142
117
130
107
118
99
109
92
101
86
95
78
86
72
79
(V)
18.8
17.0
20.1
18.2
22.0
19.9
23.8
21.5
25.8
23.2
26.9
24.4
28.8
26.0
30.5
27.6
32.2
29.2
35.8
32.4
39.4
35.5
43.0
38.9
46.6
42.1
50.1
45.4
53.5
48.4
59.0
53.3
64.3
58.1
注意：
对于所有类型的最大V
F
=我在1.9V
F
= 100A测量8.3ms单半正弦波或等效方波，占空比= 4个脉冲每分钟最高
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