SM5430/SM5470
特征线SM5430 / SM5470 -
特定网络阳离子
所有参数测量在5V激励在室温下，除非另有规定。
所有型号
参数
激励电压
励磁电流
OFFSET
TC跨度
TC电阻
桥阻抗
工作温度
储存温度
分钟。
0
0
SM5470
SM5430
典型值。
5.0
1.5
马克斯。
10.0
3.0
单位
V
mA
mV
mV
%FS/100°C
%/100°C
k
°C
°C
笔记
-75
-50
-15
33
2.7
-40
-55
-30
0
-19
28
3.3
+25
+50
-24
25
4.0
85
125
1
1
SM5430标准压力系列
量程（ FS系列） ， PSI （千帕）
5 (34)
15 (103)
30 (207)
60 (414)
100 (689)
线性
TC偏移
爆破压力
分钟。
75
105
115
115
115
-0.2
-5
>5X
典型值。
100
145
165
180
200
+ 0.07
-1
马克斯。
125
175
195
220
250
+0.2
+5
单位
mV
mV
mV
mV
mV
％ FS
%FS/100°C
额定满量程压力
笔记
3
3
3
3
3
4
1
2
只有SM5470低压系列
量程（ FS系列） ， PSI （千帕）
0.15 (1.03)
0.30 (2.07)
0.80 (5.52)
1.50 (10.3)
3.00 (20.7)
线性
TC偏移
爆破压力
注意事项：
分钟。
25
25
25
25
25
-0.3
15X
典型值。
50
50
50
50
50
+ 0.1
+ 12
马克斯。
85
85
85
85
85
+0.3
单位
mV
mV
mV
mV
mV
％ FS
%FS/100°C
额定满量程压力
笔记
3
3
3
3
3
4
1
2
1.测量从0到70℃
2.传感器芯片将生存的所有范围规定的压力。最大包的压力为150 PSI 。
3.测量电压为5V ，恒压激励
4.定义最佳拟合直线（ BFSL ） ; 0.3 PSI满量程，线性度为± 0.5 ％FS 。对于0.15 PSI满量程，线性度为± 2.5 ％FS 。
订购信息
压力式
A:
绝对（除5470 ）
G:
规
D:
迪FF erential
可用盖型
B:
横刺口（S ）
C:
垂直的刺口（S ）
标准。压力
范围
PSI
5430
5
005
15
015
30
030
60
060
100
100
低压
范围
PSI
5470
0.15
001
0.30
003
0.80
008
1.50
015
3.00
030
SM5470 - 008 - 摹 - B
修订版1.3 07_06
2004-2006
矽微公司
1701麦卡锡大道。
米尔皮塔斯， CA 95035 USA
联系电话： 408-577-0100
传真： 408-577-0123
sales@si-micro.com
www.si-micro.com
SM5430/SM5470
B-水平倒钩配置
19.60±0.25
10.26±0.25
1.27 ± 0.04 TYP ]
0.41±0.08
16PL
0.84±0.10
5.54±0.25
0.25±0.02
3.00±0.08
5.00±0.08
1.10
7.52±0.13
10.31±0.20
1
3.00±0.08
差动式
4°+3°
-0°
5.54±0.25
3.00±0.08
注意：
1 ）所有尺寸以毫米为单位
2 ）表压/绝类型尺寸
相同差分式
除表压/绝类型有
一面PORT
1
表/绝对型
C-垂直倒钩配置
10.26±0.25
1.27 ± 0.04 TYP ]
0.41±0.08
16PL
0.84±0.10
3.00±0.08
5.54±0.25
0.25±0.02
2X3.00
7.52±0.13
10.31±0.20
2X2.21
2X1.24
引脚1标记
3.00±0.08
1
5.50
4°+3°
-0°
差动式
1
10.39±0.25
表/绝对型
注意：
1 ）所有尺寸以毫米为单位
2 ）表压/绝类型尺寸
相同差分式
除表压/绝类型有
一个垂直港
外形尺寸（单位：毫米） - SM5430 / SM5470
注意：
硅微结构，公司保留更改本出版物中包含的产品的权利。硅微结构，公司不承担任何
对使用本文中所描述的任何电路的责任，传达任何专利或其他权利没有牌照，并且不保证该
电路是免费的专利侵权。
虽然本出版物中的信息进行了检查，没有责任，但是，假设不准确。
硅微结构，公司不建议使用其任何产品在生命支持的应用程序，其中对产品的故障或失效
合理预期造成生命支持系统的故障或显著影响其安全性或有效性。产品未被授权用于此类用途
应用
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特定网络阳离子
所有参数测量在5V激励在室温下，除非另有规定。
所有型号
参数
激励电压
励磁电流
OFFSET
TC跨度
TC电阻
桥阻抗
工作温度
储存温度
分钟。
0
0
SM5470
SM5430
典型值。
5.0
1.5
马克斯。
10.0
3.0
单位
V
mA
mV
mV
%FS/100°C
%/100°C
k
°C
°C
笔记
-75
-50
-15
33
2.7
-40
-55
-30
0
-19
28
3.3
+25
+50
-24
25
4.0
85
125
1
1
SM5430标准压力系列
量程（ FS系列） ， PSI （千帕）
5 (34)
15 (103)
30 (207)
60 (414)
100 (689)
线性
TC偏移
爆破压力
分钟。
75
105
115
115
115
-0.2
-5
>5X
典型值。
100
145
165
180
200
+ 0.07
-1
马克斯。
125
175
195
220
250
+0.2
+5
单位
mV
mV
mV
mV
mV
％ FS
%FS/100°C
额定满量程压力
笔记
3
3
3
3
3
4
1
2
只有SM5470低压系列
量程（ FS系列） ， PSI （千帕）
0.15 (1.03)
0.30 (2.07)
0.80 (5.52)
1.50 (10.3)
3.00 (20.7)
线性
TC偏移
爆破压力
注意事项：
分钟。
25
25
25
25
25
-0.3
15X
典型值。
50
50
50
50
50
+ 0.1
+ 12
马克斯。
85
85
85
85
85
+0.3
单位
mV
mV
mV
mV
mV
％ FS
%FS/100°C
额定满量程压力
笔记
3
3
3
3
3
4
1
2
1.测量从0到70℃
2.传感器芯片将生存的所有范围规定的压力。最大包的压力为150 PSI 。
3.测量电压为5V ，恒压激励
4.定义最佳拟合直线（ BFSL ） ; 0.3 PSI满量程，线性度为± 0.5 ％FS 。对于0.15 PSI满量程，线性度为± 2.5 ％FS 。
订购信息
压力式
A:
绝对（除5470 ）
G:
规
D:
迪FF erential
可用盖型
B:
横刺口（S ）
C:
垂直的刺口（S ）
标准。压力
范围
PSI
5430
5
005
15
015
30
030
60
060
100
100
低压
范围
PSI
5470
0.15
001
0.30
003
0.80
008
1.50
015
3.00
030
SM5470 - 008 - 摹 - B
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SM5430/SM5470
B-水平倒钩配置
19.60±0.25
10.26±0.25
1.27 ± 0.04 TYP ]
0.41±0.08
16PL
0.84±0.10
5.54±0.25
0.25±0.02
3.00±0.08
5.00±0.08
1.10
7.52±0.13
10.31±0.20
1
3.00±0.08
差动式
4°+3°
-0°
5.54±0.25
3.00±0.08
注意：
1 ）所有尺寸以毫米为单位
2 ）表压/绝类型尺寸
相同差分式
除表压/绝类型有
一面PORT
1
表/绝对型
C-垂直倒钩配置
10.26±0.25
1.27 ± 0.04 TYP ]
0.41±0.08
16PL
0.84±0.10
3.00±0.08
5.54±0.25
0.25±0.02
2X3.00
7.52±0.13
10.31±0.20
2X2.21
2X1.24
引脚1标记
3.00±0.08
1
5.50
4°+3°
-0°
差动式
1
10.39±0.25
表/绝对型
注意：
1 ）所有尺寸以毫米为单位
2 ）表压/绝类型尺寸
相同差分式
除表压/绝类型有
一个垂直港
外形尺寸（单位：毫米） - SM5430 / SM5470
注意：
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对使用本文中所描述的任何电路的责任，传达任何专利或其他权利没有牌照，并且不保证该
电路是免费的专利侵权。
虽然本出版物中的信息进行了检查，没有责任，但是，假设不准确。
硅微结构，公司不建议使用其任何产品在生命支持的应用程序，其中对产品的故障或失效
合理预期造成生命支持系统的故障或显著影响其安全性或有效性。产品未被授权用于此类用途
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