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SM5024系列
微型封装晶体振荡器模块集成电路
概观
在SM5024系列是基本的晶体振荡器模块集成电路。它们的特点是振荡电路内置
中具有优良的频率响应和高输出驱动能力的输出缓冲器的电容器。他们是
可在微型6引脚封装，非常适合作为DIP型晶体振荡器。
特点
I
包装尺寸
（单位：毫米）
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
工作电源电压范围
3V工作电压： 2.7 3.6V
5V工作电压： 4.5 5.5V
高达30MHz的工作频率范围
（基波振荡）
-40到85
°
C的工作温度范围
振荡器用电容器C
G
, C
D
内建的
反馈电阻R
f
内建的
f
O
, f
O
/2, f
O
/4, f
O
/ 8输出频率，确定
内部连接
输出驱动能力
= 8毫安（V
DD
= 2.7V)
16毫安（V
DD
= 4.5V)
输出三态功能内置
在待机模式下为高阻抗输出
CMOS输出工作水平（ 1 / 2VDD ）
钼栅CMOS工艺
包装： SOT23-6 （ SM5024
×××
H)
+ 0.2
1.6 - 0.1
2.8
±
0.2
1.9
±
0.2
2.9
±
0.2
0.4
±
0.1
+ 0.1
0.15 - 0.05
0.20
M
1.1
±
0.1
0 0.10
0.95
0.1
应用
I
DIP型晶体振荡器模块
系列CON组fi guration
VERSION
操作
电源电压
范围[V]的
推荐的内置电容
[ pF的]
操作
频率
C
G
C
D
范围
1
[兆赫]
产量
税级
输出INHN输入
频率
水平
f
O
2.75.5
4至30
8
10
CMOS
f
O
/2
f
O
/4
f
O
/8
TTL
是的
高阻
待机模式
振荡器
停止功能
输出状态
SM5024AL1H
SM5024AL2H
SM5024AL3H
SM5024AL4H
1.推荐工作频率是用于NPC的特性鉴定晶体派生的尺度值。然而，在该振荡器
器频段不能保证。具体来说，该特性会由于水晶的特性和安装条件差别很大，所以
部件的振动特性，必须仔细评估。
订购信息
设备
SM5024
×××
H
包
SOT23-6
日本制精密Circuits公司- 1
0.20MIN
SM5024系列
引脚
（ TOP VIEW ）
INHN
XT
VSS
1
2
3
6
5
4
XTN
VDD
Q
引脚说明
名字
INHN
XT
XTN
VSS
Q
VDD
I / O
I
I
O
–
O
–
描述
输出状态控制输入。高阻抗低的时候。
上拉电阻内置。
扩增fi er输入
扩增fi er输出
地
输出。输出频率（f
O
, f
O
/2, f
O
/4, f
O
/ 8）内部连接确定
电源电压
晶体连接引脚。
水晶连接XT和XTN之间。
框图
VDD VSS
XTN
C
Gp
R
f
C
Dp
XT
C
Gn
C
Dn
1/2
1/2
1/2
Q
INHN
INHN =低电平有效
注释。的SM5024系列减少晶体电流通过限制振荡级反相器的驱动电流，并抑制振动的振幅。根据
利用晶体或贴装条件的特性，它们可能不能正常振荡。请评估振荡启动characteris-
与你的实际设备抽动充分。当这种设备被用于缓存的应用时，请注意输入幅度XT脚。如果是
低输入幅度时， SM5024系列可能无法正常工作。
日本制精密Circuits公司- 2
SM5024系列
功能说明
待机功能
当INHN变为低电平时，振荡器停止工作，并在Q振荡器输出变为高阻抗。
INHN
高（或打开）
低
Q
任何F
O
, f
O
/2, f
O
/ 4 ，或f
O
/ 8输出频率
高阻抗
振荡器
正常工作
停止
消耗电流和输出波形与NPC的标准晶振
Cb
F [兆赫]
30
R []
5.26
L [ MH]
2.82
钙[ FF]
1.00
CB [ pF的]
2.68
L
Ca
R
日本制精密Circuits公司- 3
SM5024系列
特定网络阳离子
绝对最大额定值
V
SS
= 0V
参数
电源电压范围
输入电压范围
输出电压范围
工作温度范围
存储温度范围
输出电流
功耗
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
T
OPR
T
英镑
I
OUT
P
D
条件
等级
0.5 7.0
0.5 V
DD
+ 0.5
0.5 V
DD
+ 0.5
40 85
55 125
20
250
单位
V
V
V
°
C
°
C
mA
mW
推荐工作条件
3V操作
V
SS
= 0V ，女
≤
为30MHz ，C
L
≤
15pF的，除非另有说明。
参数
工作电源电压
输入电压
工作温度
符号
V
DD
V
IN
T
OPR
条件
2.7
V
SS
20
等级
–
–
–
3.6
V
DD
+80
单位
V
V
°
C
5V操作
V
SS
= 0V ，女
≤
为30MHz ，C
L
≤
50pF的，除非另有说明
参数
工作电源电压
输入电压
工作温度
符号
V
DD
V
IN
T
OPR
条件
4.5
V
SS
40
等级
–
–
–
5.5
V
DD
+85
单位
V
V
°
C
日本制精密Circuits公司- 4
SM5024系列
电气特性
3V操作
V
SS
= 0V ，推荐的工作条件，除非另有说明。
等级
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输出漏电流
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
Z
条件
民
问：测量CCT 1 ，V
DD
= 2.7V ，我
OH
= 8毫安
问：测量CCT 2 ，V
DD
= 2.7V ，我
OL
= 8毫安
INHN
INHN
问：测量CCT 2 ， INHN =低，
V
DD
= 3.6V
V
OH
= V
DD
V
OL
= V
SS
SM5024AL1H
消耗电流
I
DD1
测量CCT 3 ，负载CCT 1 ，
INHN =开，C
L
= 15pF的， F = 30MHz的
SM5024AL2H
SM5024AL3H
SM5024AL4H
INHN上拉电阻
反馈电阻
内置电容
R
UP
R
f
C
G
C
D
测量CCT 4
测量CCT 5
设计值。晶片上的监视器模式进行测试。
9.3
10
10.7
pF
2.1
–
2.0
–
–
–
–
–
–
–
25
200
7.44
典型值
2.4
0.3
–
–
–
–
4
2.5
2
1.5
100
600
8
最大
–
0.5
–
0.5
10
10
8
5
4
3
250
1000
8.56
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
k
k
pF
单位
5V操作
V
SS
= 0V ，推荐的工作条件，除非另有说明。
等级
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输出漏电流
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
Z
条件
民
问：测量CCT 1 ，V
DD
= 4.5V ，我
OH
= 16毫安
问：测量CCT 2 ，V
DD
= 4.5V ，我
OL
= 16毫安
INHN
INHN
问：测量CCT 2 ， INHN =低，
V
DD
= 5.5V
V
OH
= V
DD
V
OL
= V
SS
SM5024AL1H
消耗电流
I
DD2
测量CCT 3 ，负载CCT 1 ，
INHN =开，C
L
= 50pF的， F = 30MHz的
SM5024AL2H
SM5024AL3H
SM5024AL4H
INHN上拉电阻
反馈电阻
内置电容
R
UP
R
f
C
G
C
D
测量CCT 4
测量CCT 5
设计值。晶片上的监视器模式进行测试。
9.3
10
10.7
pF
3.9
–
2.0
–
–
–
–
–
–
–
25
200
7.44
典型值
4.2
0.3
–
–
–
–
13
7
4
3
100
600
8
最大
–
0.5
–
0.8
10
10
26
14
8
6
250
1000
8.56
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
k
k
pF
单位
日本制精密Circuits公司- 5
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推荐型号
SN74ACT7802FN
SDM863
SST29VE010-200-4I-U
SMD1812P150TFA
SML-010LT
SC251N
S29GL01GP11FFI013
SN74LV74DP
STV2112
Si1304BDL
S-80127CNPF-JKMTFG
S-80153BLPF-JFETFG
SC912XDP512J1MAGR
SVR137KM
S-24C01ADPA-11-S
SMTC1-1200-14
SSY39V200554CB33
SDA01H0KD
SIWC1365-3R0
SHD116134
供货商
型号
厂家
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数量
封装
单价/备注
操作
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    SM5024
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