SM5022系列
特定网络阳离子
绝对最大额定值
V
SS
= 0 V
P ARAMETER
电源电压范围
输入电压范围
输出电压范围
工作温度范围
存储温度范围
输出电流
POW ER耗散
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
T
OPR
芯片形式
T
英镑
I
O u那样牛逼
P
D
6引脚SOT
条件
等级
单位
V
V
V
°
C
°
C
mA
mW
推荐工作条件
V
SS
= 0 V，F
≤
为30MHz ，C
L
≤
15pF
P ARAMETER
电源电压
输入电压
符号
V
DD
V
IN
INA
13
6引脚SOT
250
等级
典型值
–
条件
民
2.7
V
SS
20
–
–
ry
0.5 V
D D
+ 0.5
0.5 V
D D
+ 0.5
4085
65 150
55 125
最大
5.5
V
DD
80
为0.5 7.0
单位
V
V
°
C
工作温度
注：推荐的操作条件将根据工作频率，负载容量，或者用的电损耗变化。
PRE
日本制精密电路- 4
LIM
T
O·P
SM5022系列
电气特性
3 V工作：一
×
系列
V
DD
= 2.7 3.6 V ，V
SS
= 0 V ，TA =
20至80
°
C除非另有说明。
等级
P ARAMETER
高电平输出电压
1。· W - 电平输出电压
输出漏电流
高电平输入电压
1。· W - 电平的输入电压
消耗电流
我N·H拉电阻
反馈电阻
符号
V
OH
V
OL
I
Z
V
IH
V
IL
I
D D
R
UP
R
f
C
G
内置电容
C
D
条件
问：测量CCT 1 ，V
D D
= 2.7 V，I
= 4μm的
问：测量CCT 2 ，V
D D
= 2.7 V，I
0 1
= 4μm的
单位
ry
2.1
–
2.4
–
0.3
–
–
0.4
10
10
–
–
–
2.0
–
–
–
0.5
7
250
1000
8.56
10.7
–
4
100
600
8
10
25
200
CF5022A1
CF5022A3
CF5022A5
CF5022A7
7.44
9.3
等级
民
3.9
–
–
–
2.0
–
–
典型值
4.2
0.3
–
–
–
–
7
最大
–
0.4
10
10
–
0.8
12
–
25
200
7
100
600
8
10
12
250
1000
8.56
10.7
CF5022A1
CF5022A3
CF5022A5
CF5022A7
CF5022B1
7.44
9.3
民
典型值
最大
V
V
A
V
V
mA
k
k
pF
pF
问：测量CCT 2 ，V
D D
= 3.6 V ， I N H = 1。· W，V
= V
D D
问：测量CCT 2 ，V
D D
= 3.6 V ， I N H = 1。· W，V
0 1
= V
S S
INH
INH
I N H =打开，测量CCT 3 ，负载CCT 1 ，C
L
= 15 P楼
30 MHz的石英晶体CR振荡器
测量CCT 4
测量CCT 5
设计值，由确定
内部晶片图案
5 V工作：一
×
系列/ B
×
系列
V
DD
= 4.5 5.5 V ，V
SS
= 0 V ，TA =
20至80
°
C除非另有说明。
P ARAMETER
符号
V
OH
V
OL
I
Z
条件
单位
V
V
A
V
V
高电平输出电压
1。· W - 电平输出电压
输出漏电流
高电平输入电压
1。· W - 电平的输入电压
PRE
消耗电流
I
D D
我N·H拉电阻
R
UP
R
f
反馈电阻
C
G
C
D
内置电容
LIM
V
IH
V
IL
INH
INH
I N H =打开，测量CCT 3 ，
负载CCT 1 ，C
L
= 15 P楼
30 MHz的石英晶体CR振荡器
I N H =打开，测量CCT 3 ，
负载CCT 2 ，C
L
= 15 P楼
30 MHz的石英晶体CR振荡器
测量CCT 4
测量CCT 5
设计值，由确定
内部晶片图案
问：测量CCT 1 ，V
D D
= 4.5 V，I
= 8μm的
问：测量CCT 2 ，V
D D
= 4.5 V，I
0 1
= 8μm的
问：测量CCT 2 ，V
D D
= 5.5 V ， I N H = 1。· W，V
= V
D D
问：测量CCT 2 ，V
D D
= 5.5 V ， I N H = 1。· W，V
0 1
= V
S S
INA
SM5022A1H,
SM5022A3H,
SM5022A5H,
SM5022A7H,
S M 5 0 2 2将
×
H， CF5022A
×
S M 5 0 2 2 B
×
H， CF5022B
×
SM5022A1H,
SM5022A3H,
SM5022A5H,
SM5022A7H,
SM5022B1H,
mA
k
k
pF
pF
日本制精密电路- 5
SM5022系列
晶体振荡器模块集成电路
概观
在SM5022系列晶体振荡器模块集成电路制造中NPC的钼栅CMOS ，即
结合高频率，低电流消耗振荡器和输出缓冲器电路。反馈电阻
和高频电容器内置，省去了外部元件制成一种稳定的乐趣
damental振荡器。
特点
I
I
I
I
I
高达30MHz的工作频率范围
（基波振荡）
振荡器用电容器C
G
, C
D
内建的
（不包括A2A ， A4A ）
逆变器放大器呃反馈电阻内置
TTL输入电平
输出驱动能力
4毫安（V
DD
= 2.7V)
= 8毫安（V
DD
= 4.5V)
I
I
I
I
I
输出三态功能
工作电源电压范围
2.7至5.5V （A
×
A系列）
4.5 5.5V （B
×
A系列）
f
O
, f
O
/2, f
O
/4, f
O
/ 8输出频率，确定
内部连接
6引脚SOT （ SM5022
××
AH ）
芯片形式（ CF5022
××
A)
系列CON组fi guration
工作电源
电压范围[V]
VERSION
*1
芯片
SM5022A1AH
4到24个
SM5022A2AH
SM5022A3AH
2.75.5
SM5022A4AH
4至30
SM5022A5AH
SM5022A7AH
SM5022B1AH
4.5 5.5
4.5 5.5
×
4至30
8
8
8
10
10
10
1
600
fo/4
fo/8
fo
TTL
是的
高阻
2.75.5
4至30
–
–
–
8
–
10
1
600
fo/2
fo
fo/2
CMOS
是的
高阻
SOT
推荐
工作频率
范围
*2
[兆赫]
3V
5V
操作操作
内建的
电容
[ pF的]
C
G
8
C
D
10
fo
待机模式
gm
比
Rf
[k
]
产量
频率
产量
水平
振荡器
停止
功能
产量
状态
* 1 。芯片形式的设备有指定CF5022
××
.
* 2 。推荐的工作频率是用于NPC的特性鉴定晶体派生的尺度值。然而，在该振荡器
器频段不能保证。具体来说，该特性会由于水晶的特性和安装条件差别很大，所以
部件的振动特性，必须仔细评估。
订购信息
设备
SM5022
××
AH
CF5022
××
A–2
包
SOT23-6
芯片形式
精工NPC株式会社-1
SM5022系列
电气特性
3V操作：一
×
A系列
V
DD
= 2.7 3.6V ，V
SS
= 0V ，TA =
20至+ 80
°
C除非另有说明。
等级
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输出漏电流
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
Z
I
DD
R
UP
R
f
C
G
内置电容
C
D
设计值。监视器模式
在晶片上进行了测试。
条件
民
问：测量CCT 1 ，V
DD
= 2.7V ，我
OH
= 4毫安
问：测量CCT 2 ，V
DD
= 2.7V ，我
OL
= 4毫安
INHN
INHN
问：测量CCT 2 ，V
DD
= 3.6V ， INHN = LOW ，V
OH
= V
DD
问：测量CCT 2 ，V
DD
= 3.6V ， INHN = LOW ，V
OL
= V
SS
30MHz的晶振，测量CCT 3 ，负载CCT 1 ，
INHN =开，C
L
= 15pF的
测量CCT 4
测量CCT 5
SM5022A1AH ， CF5022A1A
SM5022A3AH ， CF5022A3A
SM5022A5AH ， CF5022A5A
SM5022A7AH ， CF5022A7A
2.1
–
2.0
–
–
–
–
25
200
7.44
9.3
典型值
2.4
0.3
–
–
–
–
4
100
600
8
10
最大
–
0.4
–
0.5
10
A
10
7
250
1000
8.56
10.7
mA
k
k
pF
pF
V
V
V
V
单位
消耗电流
INHN上拉电阻
反馈电阻
5V操作：一
×
A，B
×
A系列
V
DD
= 4.5 5.5V ，V
SS
= 0V ，TA =
20至+ 80
°
C除非另有说明。
等级
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输出漏电流
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
Z
条件
民
问：测量CCT 1 ，V
DD
= 4.5V ，我
OH
= 8毫安
问：测量CCT 2 ，V
DD
= 4.5V ，我
OL
= 8毫安
INHN
INHN
问：测量CCT 2 ，V
DD
= 5.5V ， INHN = LOW ，V
OH
= V
DD
问：测量CCT 2 ，V
DD
= 5.5V ， INHN = LOW ，V
OL
= V
SS
30MHz的晶体振荡器，
测量CCT 3 ，负载CCT 1 ，
INHN =开，C
L
= 15pF的
30MHz的晶体振荡器，
测量CCT 3 ，负载CCT 2 ，
INHN =开，C
L
= 15pF的
测量CCT 4
测量CCT 5
SM5022A1AH ， CF5022A1A
SM5022A3AH ， CF5022A3A
SM5022A5AH ， CF5022A5A
SM5022A7AH ， CF5022A7A
SM5022B1AH ， CF5022B1A
SM5022A × AH ， CF5022A ×A
3.9
–
2.0
–
–
–
–
典型值
4.2
0.3
–
–
–
–
7
最大
–
0.4
–
0.8
10
A
10
12
mA
SM5022B × AH ， CF5022B ×A
–
25
200
7.44
9.3
7
100
600
8
10
12
250
1000
8.56
10.7
k
k
pF
pF
V
V
V
V
单位
消耗电流
I
DD
INHN上拉电阻
反馈电阻
R
UP
R
f
C
G
内置电容
C
D
设计值。监视器模式
在晶片上进行了测试。
精工NPC株式会社-5
QQ：2880707522 复制
