【SM5021系列日本制精密电路有限公司。晶体振荡器模块集成电路概观在SM5021系列晶体振荡器模块集】,IC型号SM5021KDH,SM5021KDH PDF资料,SM5021KDH经销商,ic,电子元器件-51电子网

SM5021系列

日本制精密电路有限公司。

晶体振荡器模块集成电路

概观

在SM5021系列晶体振荡器模块集成电路

制作人大钼栅CMOS ，即

结合高频率，低电流消耗

灰振荡器和输出缓冲器电路。高度

准确thin-液膜反馈电阻和高频

昆西电容器内置，省去了

外部组件，使稳定的3 - har-

首一振荡器。

特点

s

第三谐波振荡

电容CG ， CD内置

逆变器放大器呃反馈电阻内置

(A

×

, B

×

系列）

TTL输入电平

4毫安（V

DD

= 2.7 V ）驱动能力

8毫安（V

DD

= 4.5 V ）驱动能力

s

输出三态功能

2.7至5.5 V电源电压（A

×

, K

×

系列）

4.5至5.5 V电源电压（B

×

, L

×

系列）

振荡器的输出频率

6引脚SOT （ SM5021

××

H)

芯片形式（ CF5021

××

)

系列CON组fi guration

电源电压

芯片

SM5021AAH

SM5021ABH

SM5021ACH

SM5021ADH

SM5021AEH

SM5021BAH

SM5021BBH

SM5021BCH

SM5021BDH

SM5021KDH

SM5021KEH

SM5021LDH

4.5 5.5

2.75.5

2.7 3.6

4.5 5.5

2.75.5

2.7 3.6

4.5 5.5

SOT

4.5 5.5

2.75.5

×

4.5 5.5

2.75.5

2.7 3.6

4.5 5.5

推荐

工作频率

范围（MHz ）

3V

×

22至30

30至40

40至50

50至70

×

22 50

50至70

×

5V

22至30

30至43

43至55

55至70

×

22至30

30至43

43至55

55至70

22 70

×

22 70

内建的

电容

（PF ）

C

G

8

C

D

15

12

15

12

15

1

2

3

4

1

2

3

4

3

6.0

3.3

3.9

2.7

6.0

3.3

3.9

2.7

–

fo

CMOS

TTL

CMOS

TTL

高阻抗

VERSION

1

gm

比

Rf

(k

)

产量

频率

产量

水平

待机输出

状态

1.芯片形式的设备有指定CF5021

××

.

订购信息

Devicez

SM5021

××

H

CF5021

××

–2

包

6引脚SOT

芯片形式

日本制精密电路- 1

SM5021系列

包装尺寸

（单位：毫米）

6引脚SOT

2.9

±

0.2

1.6

0.1

2.8

0.3

+

0.2

+

0.2

0.45

±

0.15

0.05

1.1

±

0.1

1.9

±

0.2

0.95

+

0.1

0.4

±

0.1

0.12

M

0 0.15

日本制精密电路- 2

SM5021系列

焊盘布局

（单位：

m)

引脚

（ TOP VIEW ）

Q

XT

HA5021

(1000,800)

VDD

INH

XT

VSS

1

6

XT

VDD

Q

1

2

3

5

4

（0,0）的VSS

XT INH

芯片尺寸： 1.00

×

0.80 mm

切屑厚度： 220 ± 30微米

芯片基地： V

DD

水平

引脚说明和焊盘尺寸

数

1

2

3

4

5

6

名字

INH

XT

VSS

Q

VDD

XT

I / O

I

–

O

–

O

描述

输出状态控制输入。高阻抗低的时候。上拉电阻内置于

扩增fi er输入。

地

输出。输出频率（f

O

)

电源电压

扩增fi er输出。

晶体振荡器的连接引脚。

晶体振荡器连接XT和XT之间

晶体振荡器的连接引脚。

晶体振荡器连接XT和XT之间

焊盘尺寸（微米）

X

771

553

150

796

836

Y

150

140

649

409

636

框图

VDD VSS

XT

C

G

C

D

R

f

XT

Q

INH

日本制精密电路- 3

SM5021系列

特定网络阳离子

绝对最大额定值

V

SS

= 0 V

参数

电源电压范围

输入电压范围

输出电压范围

工作温度范围

存储温度范围

输出电流

功耗

符号

V

DD

V

IN

V

OUT

T

OPR

芯片形式

T

英镑

I

OUT

P

D

6引脚SOT

条件

等级

为0.5 7.0

0.5 V

DD

+ 0.5

0.5 V

DD

+ 0.5

4085

65 150

55 125

13

250

单位

V

°

C

°

C

mA

mW

推荐工作条件

V

SS

= 0 V，F

≤

为70MHz ，C

L

≤

15pF

等级

参数

电源电压

输入电压

工作温度

符号

V

DD

V

IN

T

OPR

条件

民

2.7

V

SS

20

典型值

–

最大

5.5

V

DD

80

V

°

C

单位

注：推荐的操作条件将根据工作频率，负载容量，或功率消耗变化。

日本制精密电路- 4

SM5021系列

电气特性

3 V工作电压： AA ， AB ， AC，AD ， AE系列/ KD ， KE系列

V

DD

= 2.7 3.6 V ，V

SS

= 0 V ，TA =

20至80

°

C除非另有说明。

参数

符号

条件

SM5021

×

AH ， CF5021

×

A

SM5021

×

BH ， CF5021

×

B

SM5021

×

CH ， CF5021

×

C

SM5021

×

DH ， CF5021

×

D

SM5021

×

EH ， CF5021 ×E

SM5021

×

AH ， CF5021

×

A

SM5021

×

BH ， CF5021

×

B

SM5021

×

CH ， CF5021

×

C

SM5021

×

DH ， CF5021

×

D

SM5021

×

EH ， CF5021 ×E

–

2.0

–

SM5021A × H， CF5021A ×

SM5021K × H， CF5021K ×

–

25

SM5021 × AH ， CF5021

×

A

反馈电阻

(A

×

系列）

SM5021

×

BH ， CF5021

×

B

R

f

测量CCT 5

SM5021

×

CH ， CF5021

×

C

SM5021

×

DH ， CF5021

×

D

SM5021

×

EH ， CF5021

×

E

C

G

内置电容

设计值，由内部晶片图案确定

SM5021

×

AH ， CF5021

×

A

SM5021

×

BH ， CF5021

×

B

SM5021

×

CH ， CF5021

×

C

SM5021

×

DH ， CF5021

×

D

SM5021

×

EH ， CF5021

×

E

5.1

2.8

3.3

2.3

7.44

–

13

100

6.0

3.3

3.9

2.7

8

10

–

0.5

25

250

6.9

3.8

4.5

3.1

8.56

pF

k

A

V

mA

k

等级

民

典型值

最大

单位

高电平输出电压

V

OH

问：测量CCT 1 ，V

DD

= 2.7 V,

I

OH

= 4毫安

问：测量CCT 1 ，V

DD

= 2.7 V,

I

OH

= 8毫安

问：测量CCT 2 ，V

DD

= 2.7 V,

I

OL

= 4毫安

问：测量CCT 2 ，V

DD

= 2.7 V,

I

OL

= 8毫安

2.1

2.4

–

V

低电平输出电压

V

OL

–

0.3

0.4

V

输出漏电流

高电平输入电压

低电平输入电压

消耗电流

INH的上拉电阻

I

Z

V

IH

V

IL

I

DD

R

UP

问：测量CCT 2 ，V

DD

= 3.3 V ， INH =低电平，V

OH

= V

DD

问：测量CCT 2 ，V

DD

= 3.3 V ， INH =低电平，V

OL

= V

SS

INH

INH =开，测量CCT 3 ，

负载CCT 1 ，C

L

= 15 pF的，

70 MHz晶体振荡器

测量CCT 4

C

D

设计值，由确定

内部晶片图案

13.95

15

16.05

pF

11.16

12

12.84

日本制精密电路- 5

SM5021系列

日本制精密电路有限公司。

晶体振荡器模块集成电路

概观

在SM5021系列晶体振荡器模块集成电路

制作人大钼栅CMOS ，即

结合高频率，低电流消耗

灰振荡器和输出缓冲器电路。高度

准确thin-液膜反馈电阻和高频

昆西电容器内置，省去了

外部组件，使稳定的3 - har-

首一振荡器。

特点

s

第三谐波振荡

电容CG ， CD内置

逆变器放大器呃反馈电阻内置

(A

×

, B

×

系列）

TTL输入电平

4毫安（V

DD

= 2.7 V ）驱动能力

8毫安（V

DD

= 4.5 V ）驱动能力

s

输出三态功能

2.7至5.5 V电源电压（A

×

, K

×

系列）

4.5至5.5 V电源电压（B

×

, L

×

系列）

振荡器的输出频率

6引脚SOT （ SM5021

××

H)

芯片形式（ CF5021

××

)

系列CON组fi guration

电源电压

芯片

SM5021AAH

SM5021ABH

SM5021ACH

SM5021ADH

SM5021AEH

SM5021BAH

SM5021BBH

SM5021BCH

SM5021BDH

SM5021KDH

SM5021KEH

SM5021LDH

4.5 5.5

2.75.5

2.7 3.6

4.5 5.5

2.75.5

2.7 3.6

4.5 5.5

SOT

4.5 5.5

2.75.5

×

4.5 5.5

2.75.5

2.7 3.6

4.5 5.5

推荐

工作频率

范围（MHz ）

3V

×

22至30

30至40

40至50

50至70

×

22 50

50至70

×

5V

22至30

30至43

43至55

55至70

×

22至30

30至43

43至55

55至70

22 70

×

22 70

内建的

电容

（PF ）

C

G

8

C

D

15

12

15

12

15

1

2

3

4

1

2

3

4

3

6.0

3.3

3.9

2.7

6.0

3.3

3.9

2.7

–

fo

CMOS

TTL

CMOS

TTL

高阻抗

VERSION

1

gm

比

Rf

(k

)

产量

频率

产量

水平

待机输出

状态

1.芯片形式的设备有指定CF5021

××

.

订购信息

Devicez

SM5021

××

H

CF5021

××

–2

包

6引脚SOT

芯片形式

日本制精密电路- 1

SM5021系列

包装尺寸

（单位：毫米）

6引脚SOT

2.9

±

0.2

1.6

0.1

2.8

0.3

+

0.2

+

0.2

0.45

±

0.15

0.05

1.1

±

0.1

1.9

±

0.2

0.95

+

0.1

0.4

±

0.1

0.12

M

0 0.15

日本制精密电路- 2

SM5021系列

焊盘布局

（单位：

m)

引脚

（ TOP VIEW ）

Q

XT

HA5021

(1000,800)

VDD

INH

XT

VSS

1

6

XT

VDD

Q

1

2

3

5

4

（0,0）的VSS

XT INH

芯片尺寸： 1.00

×

0.80 mm

切屑厚度： 220 ± 30微米

芯片基地： V

DD

水平

引脚说明和焊盘尺寸

数

1

2

3

4

5

6

名字

INH

XT

VSS

Q

VDD

XT

I / O

I

–

O

–

O

描述

输出状态控制输入。高阻抗低的时候。上拉电阻内置于

扩增fi er输入。

地

输出。输出频率（f

O

)

电源电压

扩增fi er输出。

晶体振荡器的连接引脚。

晶体振荡器连接XT和XT之间

晶体振荡器的连接引脚。

晶体振荡器连接XT和XT之间

焊盘尺寸（微米）

X

771

553

150

796

836

Y

150

140

649

409

636

框图

VDD VSS

XT

C

G

C

D

R

f

XT

Q

INH

日本制精密电路- 3

SM5021系列

特定网络阳离子

绝对最大额定值

V

SS

= 0 V

参数

电源电压范围

输入电压范围

输出电压范围

工作温度范围

存储温度范围

输出电流

功耗

符号

V

DD

V

IN

V

OUT

T

OPR

芯片形式

T

英镑

I

OUT

P

D

6引脚SOT

条件

等级

为0.5 7.0

0.5 V

DD

+ 0.5

0.5 V

DD

+ 0.5

4085

65 150

55 125

13

250

单位

V

°

C

°

C

mA

mW

推荐工作条件

V

SS

= 0 V，F

≤

为70MHz ，C

L

≤

15pF

等级

参数

电源电压

输入电压

工作温度

符号

V

DD

V

IN

T

OPR

条件

民

2.7

V

SS

20

典型值

–

最大

5.5

V

DD

80

V

°

C

单位

注：推荐的操作条件将根据工作频率，负载容量，或功率消耗变化。

日本制精密电路- 4

SM5021系列

电气特性

3 V工作电压： AA ， AB ， AC，AD ， AE系列/ KD ， KE系列

V

DD

= 2.7 3.6 V ，V

SS

= 0 V ，TA =

20至80

°

C除非另有说明。

参数

符号

条件

SM5021

×

AH ， CF5021

×

A

SM5021

×

BH ， CF5021

×

B

SM5021

×

CH ， CF5021

×

C

SM5021

×

DH ， CF5021

×

D

SM5021

×

EH ， CF5021 ×E

SM5021

×

AH ， CF5021

×

A

SM5021

×

BH ， CF5021

×

B

SM5021

×

CH ， CF5021

×

C

SM5021

×

DH ， CF5021

×

D

SM5021

×

EH ， CF5021 ×E

–

2.0

–

SM5021A × H， CF5021A ×

SM5021K × H， CF5021K ×

–

25

SM5021 × AH ， CF5021

×

A

反馈电阻

(A

×

系列）

SM5021

×

BH ， CF5021

×

B

R

f

测量CCT 5

SM5021

×

CH ， CF5021

×

C

SM5021

×

DH ， CF5021

×

D

SM5021

×

EH ， CF5021

×

E

C

G

内置电容

设计值，由内部晶片图案确定

SM5021

×

AH ， CF5021

×

A

SM5021

×

BH ， CF5021

×

B

SM5021

×

CH ， CF5021

×

C

SM5021

×

DH ， CF5021

×

D

SM5021

×

EH ， CF5021

×

E

5.1

2.8

3.3

2.3

7.44

–

13

100

6.0

3.3

3.9

2.7

8

10

–

0.5

25

250

6.9

3.8

4.5

3.1

8.56

pF

k

A

V

mA

k

等级

民

典型值

最大

单位

高电平输出电压

V

OH

问：测量CCT 1 ，V

DD

= 2.7 V,

I

OH

= 4毫安

问：测量CCT 1 ，V

DD

= 2.7 V,

I

OH

= 8毫安

问：测量CCT 2 ，V

DD

= 2.7 V,

I

OL

= 4毫安

问：测量CCT 2 ，V

DD

= 2.7 V,

I

OL

= 8毫安

2.1

2.4

–

V

低电平输出电压

V

OL

–

0.3

0.4

V

输出漏电流

高电平输入电压

低电平输入电压

消耗电流

INH的上拉电阻

I

Z

V

IH

V

IL

I

DD

R

UP

问：测量CCT 2 ，V

DD

= 3.3 V ， INH =低电平，V

OH

= V

DD

问：测量CCT 2 ，V

DD

= 3.3 V ， INH =低电平，V

OL

= V

SS

INH

INH =开，测量CCT 3 ，

负载CCT 1 ，C

L

= 15 pF的，

70 MHz晶体振荡器

测量CCT 4

C

D

设计值，由确定

内部晶片图案

13.95

15

16.05

pF

11.16

12

12.84

日本制精密电路- 5

SM5021系列

晶体振荡器模块集成电路

概观

在SM5021系列晶体振荡器模块集成电路制造中NPC的钼栅CMOS ，即

结合高频率，低电流消耗振荡器和输出缓冲器电路。高精确度

thin-液膜反馈电阻和高频电容器内置，省去了外部的COM

ponents制成一种稳定的第三谐波振荡器。

特点

I

第三谐波振荡

振荡器用电容器C

G

, C

D

内建的

逆变器放大器呃反馈电阻内置

(A

×

, B

×

系列）

TTL输入电平

输出驱动能力

4毫安（V

DD

= 2.7V)

= 8毫安（V

DD

= 4.5V)

I

输出三态功能

工作电源电压范围

2.7至5.5V （A

×

, K

×

系列）

4.5 5.5V （B

×

, L

×

系列）

振荡器的输出频率

6引脚SOT （ SM5021

××

H)

芯片形式（ CF5021

××

)

系列CON组fi guration

工作电源

电压范围[V]

芯片

SM5021AAH

SM5021ABH

SM5021ACH

SM5021ADH

SM5021AEH

SM5021BAH

SM5021BBH

SM5021BCH

SM5021BDH

SM5021KDH

SM5021KEH

SM5021LDH

2.75.5

2.7 3.6

4.5 5.5

2.75.5

2.7 3.6

4.5 5.5

22 50

*3

50至70

*3

×

4.5 5.5

×

2.7 3.6

×

2.75.5

4.5 5.5

SOT

4.5 5.5

推荐

工作频率

范围

*2

[兆赫]

3V

5V

操作操作

×

22至30

30至40

40至50

50至70

22至30

30至43

43至55

55至70

×

22至30

30至43

43至55

55至70

22 70

*3

×

22 70

*3

8

15

12

15

8

15

12

8

15

内建的

电容

[ pF的]

C

G

C

D

1

2

3

4

1

2

3

4

3

6.0

3.3

3.9

2.7

6.0

3.3

3.9

2.7

–

fo

CMOS

TTL

高阻抗

fo

TTL

高阻抗

fo

CMOS

高阻抗

VERSION

*1

gm

比

Rf

[k]

产量

频率

产量

水平

待机输出

状态

* 1 。芯片形式的设备有指定CF5021

××

.

* 2 。推荐的工作频率是用于NPC的特性鉴定晶体派生的尺度值。然而，在该振荡器

器频段不能保证。具体来说，该特性会由于水晶的特性和安装条件差别很大，所以

部件的振动特性，必须仔细评估。

* 3 。使用外部电阻器的第三谐波频率范围来设置截止频率。

订购信息

设备

SM5021

××

H

CF5021

××

–2

包

SOT23-6

芯片形式

精工NPC株式会社-1

SM5021系列

包装尺寸

（单位：毫米）

6引脚SOT

2.9

±

0.2

+

0.2

0.1

1.6

2.8

+

0.2

0.3

0.45

±

0.15

1.9

±

0.2

0.95

1.1

±

0.1

+

0.1

0.05

0.1

0.4

±

0.1

0.12

M

0 0.15

精工NPC株式会社-2

SM5021系列

焊盘布局

（单位：

m)

引脚

（ TOP VIEW ）

Q

XTN （ 1000,800 ）

HA5021

INHN

1

2

3

6

5

4

XTN

VDD

Q

VDD

XT

（0,0）的VSS

XT INHN

VSS

芯片尺寸

: 1.00

×

0.80mm

切屑厚度： 220 ± 30μm的

芯片基地

: V

DD

水平

引脚说明和焊盘尺寸

数

1

2

3

4

5

6

名字

INHN

XT

VSS

Q

VDD

XTN

I / O

I

–

O

–

O

描述

输出状态控制输入。高阻抗低的时候。上拉电阻内置于

扩增fi er输入。

地

输出。输出频率（f

O

)

电源电压

扩增fi er输出。

晶体振荡器的连接引脚。

晶体振荡器连接XT和XTN之间

晶体振荡器的连接引脚。

晶体振荡器连接XT和XTN之间

焊盘尺寸（微米）

X

771

553

150

796

836

Y

150

140

649

409

636

框图

VDD VSS

XTN

X'TAL

R

fo

C

G

R

f

C

D

Q

XT

INHN

SEIKO NPC公司-3

SM5021系列

特定网络阳离子

绝对最大额定值

V

SS

= 0V

参数

电源电压范围

输入电压范围

输出电压范围

工作温度范围

存储温度范围

输出电流

功耗

符号

V

DD

V

IN

V

OUT

T

OPR

芯片形式

T

英镑

I

OUT

P

D

SOT23-6

条件

等级

0.5 + 7.0

0.5 V

DD

+ 0.5

0.5 V

DD

+ 0.5

40 + 85

65 + 150

55 + 125

13

250

单位

V

°

C

°

C

mA

mW

推荐工作条件

V

SS

= 0V ，女

≤

为70MHz ，C

L

≤

15pF

等级

参数

电源电压

输入电压

工作温度

符号

V

DD

V

IN

T

OPR

条件

民

2.7

V

SS

20

典型值

–

最大

5.5

V

DD

+ 80

V

°

C

单位

注：推荐的操作条件将根据工作频率，负载容量，或功率消耗变化。

精工NPC株式会社-4

SM5021系列

电气特性

3V操作： AA ， AB ， AC，AD ， AE ， KD ， KE系列

V

DD

= 2.7 3.6V ，V

SS

= 0V ，TA =

20至+ 80

°

C除非另有说明。

参数

符号

条件

SM5021

×

AH ， CF5021

×

A

SM5021

×

BH ， CF5021

×

B

SM5021

×

CH ， CF5021

×

C

SM5021

×

DH ， CF5021

×

D

SM5021

×

EH ， CF5021

×

E

SM5021

×

AH ， CF5021

×

A

SM5021

×

BH ， CF5021

×

B

SM5021

×

CH ， CF5021

×

C

SM5021

×

DH ， CF5021

×

D

SM5021

×

EH ， CF5021

×

E

2.0

–

25

SM5021 × AH ， CF5021 ×A

反馈电阻

(A

×

系列）

SM5021 × BH ， CF5021 ×B

R

f

测量CCT 5

SM5021 × CH ， CF5021 ×C

SM5021 × DH ， CF5021 ×深

SM5021 × EH ， CF5021 ×E

C

G

内置电容

设计值。晶片上的监视器模式进行测试。

SM5021 × AH ， CF5021 ×A

SM5021 × BH ， CF5021 ×B

SM5021 × CH ， CF5021 ×C

SM5021 × DH ， CF5021 ×深

SM5021 × EH ， CF5021 ×E

5.1

2.8

3.3

2.3

7.44

–

13

100

6.0

3.3

3.9

2.7

8

–

0.5

10

25

250

6.9

3.8

4.5

3.1

8.56

pF

k

V

A

等级

民

典型值

最大

单位

高电平输出电压

V

OH

问：测量CCT 1 ，V

DD

= 2.7V,

I

OH

= 4毫安

问：测量CCT 1 ，V

DD

= 2.7V,

I

OH

= 8毫安

问：测量CCT 2 ，V

DD

= 2.7V,

I

OL

= 4毫安

问：测量CCT 2 ，V

DD

= 2.7V,

I

OL

= 8毫安

2.1

2.4

–

V

低电平输出电压

V

OL

–

0.3

0.4

V

高电平输入电压

低电平输入电压

输出漏电流

V

IH

V

IL

I

Z

INHN

问：测量CCT 2 ，V

DD

= 3.3V ， INHN = LOW ，V

OH

= V

DD

问：测量CCT 2 ，V

DD

= 3.3V ， INHN = LOW ，V

OL

= V

SS

70MHz的晶振，

测量CCT 3 ，负载CCT 1 ，

INHN =开，C

L

= 15pF的

测量CCT 4

SM5021A × H， CF5021A ×

SM5021K × H， CF5021K ×

消耗电流

INHN上拉电阻

I

DD

R

UP

mA

k

C

D

设计值。在监视器模式

晶片测试。

13.95

15

16.05

pF

11.16

12

12.84

精工NPC株式会社-5