SM5010系列
晶体振荡器模块集成电路
概观
在SM5010系列晶体振荡器模块集成电路。他们合并振荡器和输出缓冲器电路，
用人内置的振荡器电容和反馈电阻器具有优良的频率响应，从而消除了
需要的外部元件，以形成一个稳定的晶体振荡器。有可用的7振荡器CON连接gurations
设计和应用的优化。
特点
I
7种类型的振荡电路的结构的
对于基本振荡器
5010A
××
：结构简单，低频率的VARI-
ATION
5010B
××
：低晶体电流型有R
D
内建的
振荡电路
5010CL
×
：振荡停止功能内置
5010DN
×
：外部电容，C
G
和C
D
需要
5010EA
×
：低电流消耗型
对于第3个泛音振荡器
5010F
××
：适用于圆坯
5010H
××
：外部电阻，R
f
需要
I
I
I
I
I
I
I
I
I
2.7至5.5V工作电源电压
用电容器C
G
, C
D
内建的
逆变器放大器呃反馈电阻内置
输出工作水平
TTL电平： AK
×
， BK
×
，香港
×
CMOS电平： AN
×
， AH
×
，BN
×
， BH
×
， CL
×
， DN
×
,
EA
×
， FN
×
， FH
×
， HN
×
振荡器的输出频率（F
O
, f
O
/2, f
O
/4, f
O
/8, f
O
/16
通过内部连接确定）
待机功能
上拉电阻内置
8引脚SOP （ SM5010
×××
S)
芯片形式（ CF5010
×××
)
系列CON组fi guration
对于基本振荡器
VERSION
1
CF5010AN1
CF5010AN2
CF5010AN3
CF5010AN4
CF5010AK1
CF5010AH1
CF5010AH2
CF5010AH3
CF5010AH4
CF5010BN1
CF5010BN2
CF5010BN3
CF5010BN4
CF5010BN5
CF5010BK1
CF5010BH1
CF5010BH2
CF5010BH3
CF5010BH4
CF5010CL1
CF5010CL2
CF5010CL3
CF5010CL4
CF5010CL5
CF5010DN1
CF5010EA1
CF5010EA2
操作
供应
电压范围
[V]
内建的
电容
C
G
C
D
[ pF的]
[ pF的]
R
D
[
]
产量
当前
输出占空比
(V
DD
= 5V)
水平
[马]
CMOS
2.75.5
29
29
–
16
CMOS / TTL
TTL
产量
频率
f
O
f
O
/2
f
O
/4
f
O
/8
f
O
f
O
f
O
/2
f
O
/4
f
O
/8
f
O
f
O
/2
f
O
/4
f
O
/8
f
O
/16
f
O
f
O
f
O
/2
f
O
/4
f
O
/8
f
O
f
O
/2
f
O
/4
f
O
/8
f
O
/16
f
O
f
O
f
O
/2
INHN输入
水平
(V
DD
= 5V)
待机模式
振荡器
停止功能
输出状态
TTL
No
高阻抗
4.5 5.5
29
29
–
16
TTL
No
高阻抗
2.75.5
29
29
–
4
CMOS
TTL
No
高阻抗
CMOS
2.75.5
22
22
820
16
CMOS / TTL
TTL
No
高阻抗
4.5 5.5
22
22
820
16
TTL
TTL
No
高阻抗
2.75.5
22
22
820
4
CMOS
TTL
No
高阻抗
2.75.5
18
18
–
16
CMOS
CMOS
是的
高阻抗
2.75.5
2.75.5
–
10
–
15
820
820
16
4
CMOS
CMOS
TTL
TTL
No
是的
高阻抗
低
1.包装设备有指定SM5010
×××
S.
精工NPC株式会社-1
SM5010系列
焊盘布局
（单位：
m)
VDD
Q
(920,1180)
引脚
（ TOP VIEW ）
Y
HA5010
INHN
XT
XTN
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
NC
NC
Q
（0,0） INHN XT XTN VSS的
X
芯片尺寸： 0.92
×
1.18mm
切屑厚度： 300 ± 30μm的
芯片基地： V
DD
水平
VSS
引脚说明和焊盘尺寸
焊盘尺寸（微米）
数
名字
I / O
描述
X
1
2
3
4
5
6
7
8
INHN
XT
XTN
VSS
Q
NC
NC
VDD
I
I
O
–
O
–
–
–
输出状态控制输入。低电平时，上拉电阻内置在待机模式下，在
该5010CL的情况下
×
，振荡器停止，省电的上拉电阻
内置的以减少电流消耗在待机模式。
扩增fi er输入。
扩增fi er输出。
地
输出。输出频率（f
O
, f
O
/2, f
O
/4, f
O
/8, f
O
/ 16 ）通过内部确定
连接
无连接
无连接
电源电压
晶体振荡器的连接引脚。
晶体振荡器连接XT和XTN之间
195
385
575
765
757.6
–
–
165.4
Y
174.4
174.4
174.4
174.4
1017.6
–
–
1014.6
SEIKO NPC公司-3
SM5010系列
功能说明
待机功能
5010AH
×
， AK
×
，一
×
， BH
×
， BK
×
，BN
×
， DN
×,
FN × ， FH × ， × HN ， HK ×系列
当INHN变低，在Q输出变为高阻抗，但在内部振荡器不停止。
5010CL ×系列
当INHN变为低电平时，振荡器停止工作，并在Q振荡器输出变为高阻抗。
5010EA ×系列
当INHN变为低电平时，振荡器停止工作，并在Q振荡器输出变为低电平。
VERSION
AH × ， × AK ， AN × ， × BH ，
BK × ， × BN ， DN × ， FH × ，
FH × ， × HN ， HK ×系列
CL ×系列
低
高（或打开）
EA ×系列
低
INHN
高（或打开）
低
高（或打开）
Q
任何F
O
, f
O
/2, f
O
/4, f
O
/ 8或f
O
/ 16输出频率
高阻抗
任何F
O
, f
O
/2, f
O
/4, f
O
/ 8或f
O
/ 16输出频率
高阻抗
无论是F
O
或f
O
/ 2输出频率
低
振荡器
正常工作
正常工作
正常工作
停止
正常工作
停止
省电上拉电阻（ CL只系列）
响应于所述输入电平（高或低）的INHN拉电阻的变化。当INHN变低
（待机状态）时，上拉电阻变大，以降低待机期间的电流消耗。
精工NPC株式会社-5
SM5010系列
日本制精密电路有限公司。
晶体振荡器模块集成电路
概观
在SM5010系列晶体振荡器模块的IC ，结合了振荡器和输出缓冲电路。
高频电容和反馈电阻器是内置的，无需外部元件
做一个稳定的根本谐振荡器。
特点
I
I
I
I
I
I
系列CON组fi guration
3V工作
VERSION
1
输出输出
权证米M E N D E D
产量
权证米M E N D E D
产量
频率负载
负载
操作
操作
当前
频率
频率
（最大）
（最大）
[马]
响E [兆赫]
响E [兆赫]
[ pF的]
[ pF的]
f
O
f
O
/2
f
O
/4
f
O
f
O
f
O
/8
15
15
15
30
30
30
50
30
16
INA
5V工作
内建的
电容
C
G
[ pF的]
C
D
[ pF的]
R
D
[
]
输入
水平
(5V)
–
TTL
50
30
16
–
TTL
50
30
16
16
16
4
4
4
4
16
16
16
16
16
4
4
4
4
16
16
16
16
16
–
–
–
–
–
–
–
820
820
820
820
820
820
820
820
820
–
–
–
–
820
TTL
TTL
TTL
TTL
TTL
TTL
TTL
TTL
TTL
50
30
15
30
15
30
15
30
15
30
15
30
50
30
50
30
50
30
逆变器放大器呃反馈电阻内置
用电容器C
G
, C
D
内建的
待机功能
功率节省上拉电阻内置（ 5010CL
×
)
16毫安（V
DD
=
4.5 V ）驱动能力
(5010AN
×
， AK
×
，BN
×
， BK
×
， CL
×
， DN
×
)
4毫安（V
DD
=
4.5 V ）驱动能力
(5010AH
×
， BH
×
)
I
I
I
I
I
输出三态功能
2.7至5.5 V电源电压
振荡器的输出频率（F
O
, f
O
/2, f
O
/4, f
O
/8
通过内部连接确定）
8引脚SOP （ SM5010
×××
S)
芯片形式（ CF5010
×××
)
SM5010AN1S
SM5010AN2S
SM5010AN3S
SM5010AN4S
SM5010AK1S
SM5010AH1S
SM5010AH2S
SM5010AH3S
SM5010AH4S
SM5010BN1S
SM5010BN2S
SM5010BN3S
SM5010BN4S
SM5010BK1S
ry
产量
税级
CMOS
CMOS / TTL
CMOS / TTL
CMOS / TTL
TTL
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS / TTL
CMOS / TTL
CMOS / TTL
TTL
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
S T一N D通过
功能
No
No
No
No
No
No
No
No
No
No
No
No
No
No
No
No
No
No
是的
是的
是的
是的
No
f
O
/2
f
O
/8
f
O
f
O
/4
f
O
/2
f
O
/4
f
O
f
O
/8
f
O
LIM
15
–
30
–
15
16
15
16
15
16
15
16
15
30
15
30
15
30
15
–
30
–
50
30
15
15
15
15
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
15
16
15
16
15
16
15
16
15
15
30
50
50
15
30
15
30
50
50
15
30
15
30
50
待定
TTL
TTL
TTL
TTL
TTL
TTL
TTL
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
TTL
PRE
SM5010BH1S
SM5010BH2S
f
O
/2
SM5010BH3S
f
O
/4
f
O
/8
f
O
SM5010BH4S
SM5010CL1S
SM5010CL2S
f
O
/2
f
O
/4
f
O
f
O
/8
SM5010CL3S
SM5010CL4S
SM5010DN1S
1.芯片形式的设备有指定CF5010
×××
.
注：建议的工作频率不保证值，但使用NPC的标准晶体测量。
日本制精密电路- 1
SM5010系列
电气特性
5010 ×N ×系列
3 V工作电压： V
DD
= 2.7 3.6 V ，V
SS
= 0 V ，TA =
10
70
°C
除非另有说明。
P ARAMETER
高电平输出电压
1。· W - 电平输出电压
输出漏电流
高电平输入电压
1。· W - 电平的输入电压
符号
V
OH
V
OL
I
Z
V
IH
V
IL
条件
问：测量CCT 1 ，V
D D
= 2.7 V，I
= 8μm的
等级
民
2.1
–
典型值
2.4
最大
–
单位
V
V
A
V
V
问：测量CCT 2 ，V
D D
= 2.7 V，I
0 1
= 8μm的
问：测量CCT 2 ， I N H = 1。· W，V
D D
= 3.6 V, V
= V
D D
问：测量CCT 2 ， I N H = 1。· W，V
D D
= 3.6 V, V
0 1
= V
S S
INH
INH
消耗电流
I
D D
测量CCT 3 ，负载CCT 1 ，
I N H =开，C
L
= 15 P F，F = 30 M·H
INA
5010×N 2
5010×N 3
5010×N 4
–
–
5 0 1 0 B
××
–
5 0 1 0 A
××,
5010B××
条件
民
3.9
–
–
–
2.0
–
5010×N 1
5010×N 2
5010×N 3
5010×N 4
5010×K
×
–
–
5 0 1 0 B
××
5 0 1 0 A
××,
5010B××
–
5010×N 1
ry
0.3
–
–
0.4
10
10
–
–
–
2.0
–
–
–
0.5
待定
100
200
–
–
–
mA
我N·H拉电阻
反馈电阻
振荡器扩增fi er输出
阻力
内置电容
R
UP1
R
f
R
D
C
G
C
D
测量CCT 4
测量CCT 5
设计值
k
k
pF
pF
820
设计值，由内部决定
瓦特AFER模式
待定
5 V工作电压： V
DD
= 4.5 5.5 V ，V
SS
= 0 V ，TA =
40
85
°C
除非另有说明。
P ARAMETER
符号
V
OH
V
OL
I
Z
等级
典型值
4.2
0.3
–
–
–
–
最大
–
0.4
10
10
–
0.8
单位
V
V
A
V
V
高电平输出电压
1。· W - 电平输出电压
输出漏电流
高电平输入电压
1。· W - 电平的输入电压
PRE
消耗电流
I
D D
我N·H拉电阻
反馈电阻
R
UP1
R
f
振荡器扩增fi er输出
阻力
内置电容
R
D
设计值
C
G
C
D
LIM
V
IH
V
IL
INH
INH
测量CCT 3 ，负载CCT 2 ，
I N H =开，C
L
= 50 P F，F = 30 M·H
测量CCT 3 ，负载CCT 1 ，
I N H =开，C
L
= 15 P F，F = 30 M·H
测量CCT 4
测量CCT 5
设计值，由内部决定
瓦特AFER模式
5010×N×,
×K×
系列
问：测量CCT 1 ，V
D D
= 4.5 V，I
= 16微米的
问：测量CCT 2 ，V
D D
= 4.5 V，I
0 1
= 16微米的
问：测量CCT 2 ， I N H = 1。· W，V
D D
= 5.5 V, V
= V
D D
问：测量CCT 2 ， I N H = 1。· W，V
D D
= 5.5 V, V
0 1
= V
S S
待定
mA
100
200
820
–
–
–
k
k
pF
pF
待定
日本制精密电路- 5
QQ：2881677436 复制
