【SM5009系列日本制精密电路有限公司。晶体振荡器模块集成电路概观在SM5009系列晶体振荡器模块的】,IC型号SM5009AL1S,SM5009AL1S PDF资料,SM5009AL1S经销商,ic,电子元器件-51电子网

SM5009系列

日本制精密电路有限公司。

晶体振荡器模块集成电路

概观

在SM5009系列晶体振荡器模块的IC ，结合了电路，以限制振荡器级电流，

控制总的电流消耗。高频电容器内置，省去了外部

成分制成一种稳定的根本谐振荡器。

特点

I

用电容器C

G

, C

D

内建的

待机功能

6

一个典型值（V

DD

=

5 V ）低待机电流

(SM5009AL

×

S)

功率节省上拉电阻内置

(SM5009AL

×

S)

逆变器放大器呃反馈电阻内置

16毫安（V

DD

=

4.5 V ）驱动能力

(SM5009AK

×

S， AL

×

S，安

×

S， CN

×

S)

I

4毫安（V

DD

=

4.5 V ）驱动能力

(SM5009AH

×

S)

输出三态功能

2.25至5.5 V电源电压（ CF5009AL

×

)

2.7至5.5 V电源电压

(SM5009AH

×

S， AL

×

S，安

×

S， CN

×

S)

振荡器的输出频率（F

O

, f

O

/2, f

O

/4, f

O

/8,

f

O

/16, f

O

/ 32内部连接确定）

8引脚SOP （ SM5009

×××

S)

芯片形式（ CF5009

×××

)

系列CON组fi guration

3V工作

VERSION

1 , 2

供应

Voltag ê

[V]

2.75.5

4.5 5.5

2.75.5

输出输出r权证米M E N D E D

频率负载

操作

（最大）

频率

[ pF的]

RANG ê

3

[兆赫]

f

O

15

16

f

O

/2

15

16

f

O

/4

15

16

f

O

/8

15

16

f

O

–

f

O

/2

–

30

40

f

O

f

O

/2

30

40

30

40

f

O

/4

f

O

/8

30

40

f

O

/16

30

40

30

40

f

O

/32

f

O

15

30

15

30

f

O

/2

f

O

30

40

f

O

/2

30

40

30

40

f

O

/4

30

40

f

O

/8

f

O

/16

30

40

30

40

f

O

/32

5V工作

输出r权证米M E N D E D

负载

操作

（最大）

频率

[ pF的]

RANG ê

4

[兆赫]

15

30

15

30

15

30

15

30

15

40

15

40

50

40

50

40

50

40

50

40

50

40

50

40

50

30

50

30

50

40

50

40

50

40

50

40

50

40

50

40

内建的

电容

C

G

[ pF的]

6

C

D

[ pF的]

10

输入

水平

TTL

CMOS

产量

税

水平

CMOS

TTL

CMOS

S T一N D通过

功能

No

是的

SM5009AH1S

SM5009AH2S

SM5009AH3S

SM5009AH4S

SM5009AK1S

SM5009AK2S

SM5009AN1S

SM5009AN2S

SM5009AN3S

SM5009AN4S

SM5009AN5S

SM5009AN6S

SM5009CN1S

SM5009CN2S

SM5009AL1S

SM5009AL2S

SM5009AL3S

SM5009AL4S

SM5009AL5S

SM5009AL6S

1.芯片形式的设备有指定CF5009

×××

.

2. S M 5 0 0 9的

×

S：V

D D

= 4.5 5.5V

S M 5 0 0 9 A K

×

S：大= -20至+85

°

C

3. S M 5 0 0 9的

×

S，安

×

S， AL

×

S：大= -20至+80

°

C

S M 5 0 0 9 C N

×

S：大= -10至+70

°

C

4. S M 5 0 0 9 A N

×

S， AL

×

S：大= -20至+80

°

C

注：建议的工作频率不保证值，但使用NPC的标准晶体测量。

订购信息

D E副

S M 5 0 0 9

×××

S

C 2 F 5 0 0 9

×××

–1

P ackag ê

8引脚SOP

芯片形式

日本制精密电路- 1

SM5009系列

包装尺寸

（单位：毫米）

8引脚SOP

0.15

+

0.1

0.05

4.4 0.2

6.2 0.3

0.695typ

5.2 0.3

0.05 0.05

1.5

0.1

1.27

0.10

0.4 0.1

0.12

M

0.4 0.2

0-10

日本制精密电路- 2

SM5009系列

焊盘布局

（单位：

m)

引脚

（ TOP VIEW ）

VDD

Q

(920,1220)

Y

INH

XT

1

8

VDD

NC

Q

(0,0)

INH XT XT VSS

X

芯片尺寸： 0.92

×

1.22 mm

切屑厚度： 300 ± 30微米

芯片基地： V

D D

水平

引脚说明和焊盘尺寸

数

1

2

3

4

5

6

7

8

名字

INH

XT

VSS

Q

NC

VDD

I / O

I

O

–

O

–

描述

输出状态控制输入。高阻抗低的时候。中的情况下

S M 5 0 0 9 A L

×

S，振荡器停止，电网节省上拉电阻内置的。

扩增fi er输入。

扩增fi er输出。

地

输出。输出频率（f

O

, f

O

/2, f

O

/4, f

O

/8, f

O

/16, f

O

/ 32 ）由下式确定

内部连接

无连接

电源电压

铬石英晶体振荡器的连接引脚。

CR振荡器，石英晶体连接XT和X T卷之间

P的广告尺寸（微米）

X

195

385

575

766

765

–

162

Y

212

1062

–

1062

框图

VDD VSS

XT

C

G

R

f

C

D

1/2

XT

Q

INH

HA5009

009

2

3

4

7

6

5

VSS

日本制精密电路- 3

SM5009系列

特定网络阳离子

绝对最大额定值

V

SS

= 0 V

P ARAMETER

电源电压范围

输入电压范围

输出电压范围

工作温度范围

存储温度范围

输出电流

POW ER耗散

符号

V

DD

V

IN

V

OUT

T

OPR

T

英镑

I

O u那样牛逼

P

D

8引脚SOP

芯片形式

8引脚SOP

条件

等级

为0.5 7.0

0.5 V

D D

+ 0.5

0.5 V

D D

+ 0.5

4085

65 150

55 125

25

500

单位

V

°

C

°

C

mA

mW

推荐工作条件

V

SS

= 0 V

P ARAMETER

符号

系列

f

≤

30MHz

f

≤

16MHz

f

≤

40MHz

f

≤

40MHz

f

≤

30MHz

f

≤

40MHz

芯片形式

AL系列

8引脚SOP

输入电压

V

IN

所有系列

AH系列

f

≤

为30MHz ， 4.5V

≤

V

D D

≤

5.5V

f

≤

为16MHz ， 2.7V

≤

V

D D

≤

3.6V

f

≤

30MHz

＆ LT ;

f

≤

40MHz

芯片形式

AN系列

8引脚SOP

工作温度

T

O·P

CN系列

f

≤

为40MHz ， 2.7V

≤

V

D D

＆ LT ;

4.5V

f

≤

为40MHz ， 4.5V

≤

V

D D

≤

5.5V

f

≤

为40MHz ， 2.7V

≤

V

D D

＆ LT ;

4.5V

f

≤

为40MHz ， 4.5V

≤

V

D D

≤

5.5V

f

≤

为30MHz ， 4.5V

≤

V

D D

≤

5.5V

f

≤

30MHz

f

≤

20MHz

f

≤

40MHz

f

≤

14.4MHz

条件

等级

民

4.5

2.7

4.5

2.7

2.3

2.25

2.7

2.4

V

SS

40

20

40

20

40

20

40

10

40

20

40

20

典型值

–

最大

5.5

3.3

5.5

2.7

2.75

5.5

2.7

V

DD

+

85

+

80

+

85

+

80

+

80

+

85

+

80

+

80

+

85

+

70

+

85

+

85

+

80

+

80

+

80

+

85

+

80

°C

V

°C

V

单位

AH系列

AK系列

AN系列

电源电压

V

DD

CN系列

V

AK系列

f

≤

为30MHz ， 2.7V

≤

V

D D

＆ LT ;

4.5V

f

≤

为30MHz ， 4.5V

≤

V

D D

≤

5.5V

f

≤

为40MHz ， 2.7V

≤

V

D D

≤

5.5V

芯片形式

f

≤

为30MHz ， 2.3V

≤

V

D D

≤

2.7V

f

≤

20MHz的， 2.25V

≤

V

D D

≤

2.75V

f

≤

为40MHz ， 2.7V

≤

V

D D

≤

5.5V

8引脚SOP

f

≤

为30MHz ， 2.7V

≤

V

D D

≤

5.5V

f

≤

14.4MHz ， 2.4V

≤

V

D D

≤

2.7V

AL系列

日本制精密电路- 4

SM5009系列

电气特性

5009AH系列

3 V工作电压： V

DD

= 2.7 3.3 V ，V

SS

= 0 V ，TA =

20

80

°C

除非另有说明。

等级

P ARAMETER

高电平输出电压

1。· W - 电平输出电压

输出漏电流

高电平输入电压

1。· W - 电平的输入电压

符号

V

OH

V

OL

I

Z

V

IH

V

IL

条件

民

问：测量CCT 1 ，我

= 2m的

问：测量CCT 1 ，我

0 1

= 2m的

问：测量CCT 2 ， I N H = 1。· W，V

= V

D D

问：测量CCT 2 ， I N H = 1。· W，V

0 1

= V

S S

INH

SM5009AH1S

CF5009AH1

I N H =打开，测量CCT 3 ，

负载CCT 2 ，C

L

= 15 P楼

16 MHz的CR振荡器，石英晶体

SM5009AH2S

CF5009AH2

SM5009AH3S

CF5009AH3

SM5009AH4S

CF5009AH4

2.2

–

2.0

–

典型值

–

4.5

3

最大

–

0.4

10

A

10

–

0.3

10

7

mA

–

1.5

3

V

单位

消耗电流

I

D D

我N·H拉电阻

负阻

反馈电阻

内置电容

R

UP

R

L

R

f

C

G

C

D

测量CCT 4 ，V

D D

= 3 V ， I N H = V

S S

V

D D

= 3 V ， TA = 25

°C

16 M·H

测量CCT 5

设计值，由内部晶片图案确定

40

–

0.4

5.58

9.3

–

–450

–

6

10

200

–

1.1

6.42

10.7

k

M

pF

5 V工作电压： V

DD

= 4.5 5.5 V ，V

SS

= 0 V ，TA =

40

85

°C

除非另有说明。

等级

P ARAMETER

高电平输出电压

1。· W - 电平输出电压

输出漏电流

高电平输入电压

1。· W - 电平的输入电压

符号

V

OH

V

OL

I

Z

V

IH

V

IL

条件

民

问：测量CCT 1 ，我

= 4μm的

问：测量CCT 1 ，我

0 1

= 4μm的

问：测量CCT 2 ， I N H = 1。· W，V

= V

D D

问：测量CCT 2 ， I N H = 1。· W，V

0 1

= V

S S

INH

SM5009AH1S

CF5009AH1

I N H =打开，测量CCT 3 ，

负载CCT 2 ，C

L

= 15 P楼

30 MHz的石英晶体CR振荡器

SM5009AH2S

CF5009AH2

SM5009AH3S

CF5009AH3

SM5009AH4S

CF5009AH4

4.0

–

2.0

–

典型值

–

9

6

最大

–

0.4

10

A

10

–

0.8

20

13

mA

–

4

9

V

单位

消耗电流

I

D D

我N·H拉电阻

负阻

反馈电阻

内置电容

R

UP

R

L

R

f

C

G

C

D

测量CCT 4 ，V

D D

= 5 V ， I N H = V

S S

V

D D

= 5 V ， TA = 25

°C

30 M·H

测量CCT 5

设计值，由内部晶片图案确定

40

–

0.4

5.58

9.3

–

–340

–

6

10

200

–

1.1

6.42

10.7

k

M

pF

日本制精密电路- 5

SM5009系列

日本制精密电路有限公司。

晶体振荡器模块集成电路

概观

在SM5009系列晶体振荡器模块的IC ，结合了电路，以限制振荡器级电流，

控制总的电流消耗。高频电容器内置，省去了外部

成分制成一种稳定的根本谐振荡器。

特点

I

用电容器C

G

, C

D

内建的

待机功能

6

一个典型值（V

DD

=

5 V ）低待机电流

(SM5009AL

×

S)

功率节省上拉电阻内置

(SM5009AL

×

S)

逆变器放大器呃反馈电阻内置

16毫安（V

DD

=

4.5 V ）驱动能力

(SM5009AK

×

S， AL

×

S，安

×

S， CN

×

S)

I

4毫安（V

DD

=

4.5 V ）驱动能力

(SM5009AH

×

S)

输出三态功能

2.25至5.5 V电源电压（ CF5009AL

×

)

2.7至5.5 V电源电压

(SM5009AH

×

S， AL

×

S，安

×

S， CN

×

S)

振荡器的输出频率（F

O

, f

O

/2, f

O

/4, f

O

/8,

f

O

/16, f

O

/ 32内部连接确定）

8引脚SOP （ SM5009

×××

S)

芯片形式（ CF5009

×××

)

系列CON组fi guration

3V工作

VERSION

1 , 2

供应

Voltag ê

[V]

2.75.5

4.5 5.5

2.75.5

输出输出r权证米M E N D E D

频率负载

操作

（最大）

频率

[ pF的]

RANG ê

3

[兆赫]

f

O

15

16

f

O

/2

15

16

f

O

/4

15

16

f

O

/8

15

16

f

O

–

f

O

/2

–

30

40

f

O

f

O

/2

30

40

30

40

f

O

/4

f

O

/8

30

40

f

O

/16

30

40

30

40

f

O

/32

f

O

15

30

15

30

f

O

/2

f

O

30

40

f

O

/2

30

40

30

40

f

O

/4

30

40

f

O

/8

f

O

/16

30

40

30

40

f

O

/32

5V工作

输出r权证米M E N D E D

负载

操作

（最大）

频率

[ pF的]

RANG ê

4

[兆赫]

15

30

15

30

15

30

15

30

15

40

15

40

50

40

50

40

50

40

50

40

50

40

50

40

50

30

50

30

50

40

50

40

50

40

50

40

50

40

50

40

内建的

电容

C

G

[ pF的]

6

C

D

[ pF的]

10

输入

水平

TTL

CMOS

产量

税

水平

CMOS

TTL

CMOS

S T一N D通过

功能

No

是的

SM5009AH1S

SM5009AH2S

SM5009AH3S

SM5009AH4S

SM5009AK1S

SM5009AK2S

SM5009AN1S

SM5009AN2S

SM5009AN3S

SM5009AN4S

SM5009AN5S

SM5009AN6S

SM5009CN1S

SM5009CN2S

SM5009AL1S

SM5009AL2S

SM5009AL3S

SM5009AL4S

SM5009AL5S

SM5009AL6S

1.芯片形式的设备有指定CF5009

×××

.

2. S M 5 0 0 9的

×

S：V

D D

= 4.5 5.5V

S M 5 0 0 9 A K

×

S：大= -20至+85

°

C

3. S M 5 0 0 9的

×

S，安

×

S， AL

×

S：大= -20至+80

°

C

S M 5 0 0 9 C N

×

S：大= -10至+70

°

C

4. S M 5 0 0 9 A N

×

S， AL

×

S：大= -20至+80

°

C

注：建议的工作频率不保证值，但使用NPC的标准晶体测量。

订购信息

D E副

S M 5 0 0 9

×××

S

C 2 F 5 0 0 9

×××

–1

P ackag ê

8引脚SOP

芯片形式

日本制精密电路- 1

SM5009系列

包装尺寸

（单位：毫米）

8引脚SOP

0.15

+

0.1

0.05

4.4 0.2

6.2 0.3

0.695typ

5.2 0.3

0.05 0.05

1.5

0.1

1.27

0.10

0.4 0.1

0.12

M

0.4 0.2

0-10

日本制精密电路- 2

SM5009系列

焊盘布局

（单位：

m)

引脚

（ TOP VIEW ）

VDD

Q

(920,1220)

Y

INH

XT

1

8

VDD

NC

Q

(0,0)

INH XT XT VSS

X

芯片尺寸： 0.92

×

1.22 mm

切屑厚度： 300 ± 30微米

芯片基地： V

D D

水平

引脚说明和焊盘尺寸

数

1

2

3

4

5

6

7

8

名字

INH

XT

VSS

Q

NC

VDD

I / O

I

O

–

O

–

描述

输出状态控制输入。高阻抗低的时候。中的情况下

S M 5 0 0 9 A L

×

S，振荡器停止，电网节省上拉电阻内置的。

扩增fi er输入。

扩增fi er输出。

地

输出。输出频率（f

O

, f

O

/2, f

O

/4, f

O

/8, f

O

/16, f

O

/ 32 ）由下式确定

内部连接

无连接

电源电压

铬石英晶体振荡器的连接引脚。

CR振荡器，石英晶体连接XT和X T卷之间

P的广告尺寸（微米）

X

195

385

575

766

765

–

162

Y

212

1062

–

1062

框图

VDD VSS

XT

C

G

R

f

C

D

1/2

XT

Q

INH

HA5009

009

2

3

4

7

6

5

VSS

日本制精密电路- 3

SM5009系列

特定网络阳离子

绝对最大额定值

V

SS

= 0 V

P ARAMETER

电源电压范围

输入电压范围

输出电压范围

工作温度范围

存储温度范围

输出电流

POW ER耗散

符号

V

DD

V

IN

V

OUT

T

OPR

T

英镑

I

O u那样牛逼

P

D

8引脚SOP

芯片形式

8引脚SOP

条件

等级

为0.5 7.0

0.5 V

D D

+ 0.5

0.5 V

D D

+ 0.5

4085

65 150

55 125

25

500

单位

V

°

C

°

C

mA

mW

推荐工作条件

V

SS

= 0 V

P ARAMETER

符号

系列

f

≤

30MHz

f

≤

16MHz

f

≤

40MHz

f

≤

40MHz

f

≤

30MHz

f

≤

40MHz

芯片形式

AL系列

8引脚SOP

输入电压

V

IN

所有系列

AH系列

f

≤

为30MHz ， 4.5V

≤

V

D D

≤

5.5V

f

≤

为16MHz ， 2.7V

≤

V

D D

≤

3.6V

f

≤

30MHz

＆ LT ;

f

≤

40MHz

芯片形式

AN系列

8引脚SOP

工作温度

T

O·P

CN系列

f

≤

为40MHz ， 2.7V

≤

V

D D

＆ LT ;

4.5V

f

≤

为40MHz ， 4.5V

≤

V

D D

≤

5.5V

f

≤

为40MHz ， 2.7V

≤

V

D D

＆ LT ;

4.5V

f

≤

为40MHz ， 4.5V

≤

V

D D

≤

5.5V

f

≤

为30MHz ， 4.5V

≤

V

D D

≤

5.5V

f

≤

30MHz

f

≤

20MHz

f

≤

40MHz

f

≤

14.4MHz

条件

等级

民

4.5

2.7

4.5

2.7

2.3

2.25

2.7

2.4

V

SS

40

20

40

20

40

20

40

10

40

20

40

20

典型值

–

最大

5.5

3.3

5.5

2.7

2.75

5.5

2.7

V

DD

+

85

+

80

+

85

+

80

+

80

+

85

+

80

+

80

+

85

+

70

+

85

+

85

+

80

+

80

+

80

+

85

+

80

°C

V

°C

V

单位

AH系列

AK系列

AN系列

电源电压

V

DD

CN系列

V

AK系列

f

≤

为30MHz ， 2.7V

≤

V

D D

＆ LT ;

4.5V

f

≤

为30MHz ， 4.5V

≤

V

D D

≤

5.5V

f

≤

为40MHz ， 2.7V

≤

V

D D

≤

5.5V

芯片形式

f

≤

为30MHz ， 2.3V

≤

V

D D

≤

2.7V

f

≤

20MHz的， 2.25V

≤

V

D D

≤

2.75V

f

≤

为40MHz ， 2.7V

≤

V

D D

≤

5.5V

8引脚SOP

f

≤

为30MHz ， 2.7V

≤

V

D D

≤

5.5V

f

≤

14.4MHz ， 2.4V

≤

V

D D

≤

2.7V

AL系列

日本制精密电路- 4

SM5009系列

电气特性

5009AH系列

3 V工作电压： V

DD

= 2.7 3.3 V ，V

SS

= 0 V ，TA =

20

80

°C

除非另有说明。

等级

P ARAMETER

高电平输出电压

1。· W - 电平输出电压

输出漏电流

高电平输入电压

1。· W - 电平的输入电压

符号

V

OH

V

OL

I

Z

V

IH

V

IL

条件

民

问：测量CCT 1 ，我

= 2m的

问：测量CCT 1 ，我

0 1

= 2m的

问：测量CCT 2 ， I N H = 1。· W，V

= V

D D

问：测量CCT 2 ， I N H = 1。· W，V

0 1

= V

S S

INH

SM5009AH1S

CF5009AH1

I N H =打开，测量CCT 3 ，

负载CCT 2 ，C

L

= 15 P楼

16 MHz的CR振荡器，石英晶体

SM5009AH2S

CF5009AH2

SM5009AH3S

CF5009AH3

SM5009AH4S

CF5009AH4

2.2

–

2.0

–

典型值

–

4.5

3

最大

–

0.4

10

A

10

–

0.3

10

7

mA

–

1.5

3

V

单位

消耗电流

I

D D

我N·H拉电阻

负阻

反馈电阻

内置电容

R

UP

R

L

R

f

C

G

C

D

测量CCT 4 ，V

D D

= 3 V ， I N H = V

S S

V

D D

= 3 V ， TA = 25

°C

16 M·H

测量CCT 5

设计值，由内部晶片图案确定

40

–

0.4

5.58

9.3

–

–450

–

6

10

200

–

1.1

6.42

10.7

k

M

pF

5 V工作电压： V

DD

= 4.5 5.5 V ，V

SS

= 0 V ，TA =

40

85

°C

除非另有说明。

等级

P ARAMETER

高电平输出电压

1。· W - 电平输出电压

输出漏电流

高电平输入电压

1。· W - 电平的输入电压

符号

V

OH

V

OL

I

Z

V

IH

V

IL

条件

民

问：测量CCT 1 ，我

= 4μm的

问：测量CCT 1 ，我

0 1

= 4μm的

问：测量CCT 2 ， I N H = 1。· W，V

= V

D D

问：测量CCT 2 ， I N H = 1。· W，V

0 1

= V

S S

INH

SM5009AH1S

CF5009AH1

I N H =打开，测量CCT 3 ，

负载CCT 2 ，C

L

= 15 P楼

30 MHz的石英晶体CR振荡器

SM5009AH2S

CF5009AH2

SM5009AH3S

CF5009AH3

SM5009AH4S

CF5009AH4

4.0

–

2.0

–

典型值

–

9

6

最大

–

0.4

10

A

10

–

0.8

20

13

mA

–

4

9

V

单位

消耗电流

I

D D

我N·H拉电阻

负阻

反馈电阻

内置电容

R

UP

R

L

R

f

C

G

C

D

测量CCT 4 ，V

D D

= 5 V ， I N H = V

S S

V

D D

= 5 V ， TA = 25

°C

30 M·H

测量CCT 5

设计值，由内部晶片图案确定

40

–

0.4

5.58

9.3

–

–340

–

6

10

200

–

1.1

6.42

10.7

k

M

pF

日本制精密电路- 5

SM5009系列

日本制精密电路有限公司。

晶体振荡器模块集成电路

概观

在SM5009系列晶体振荡器模块的IC ，结合了电路，以限制振荡器级电流，

控制总的电流消耗。高频电容器内置，省去了外部

成分制成一种稳定的根本谐振荡器。

特点

I

用电容器C

G

, C

D

内建的

待机功能

6

一个典型值（V

DD

=

5 V ）低待机电流

(SM5009AL

×

S)

功率节省上拉电阻内置

(SM5009AL

×

S)

逆变器放大器呃反馈电阻内置

16毫安（V

DD

=

4.5 V ）驱动能力

(SM5009AK

×

S， AL

×

S，安

×

S， CN

×

S)

I

4毫安（V

DD

=

4.5 V ）驱动能力

(SM5009AH

×

S)

输出三态功能

2.25至5.5 V电源电压（ CF5009AL

×

)

2.7至5.5 V电源电压

(SM5009AH

×

S， AL

×

S，安

×

S， CN

×

S)

振荡器的输出频率（F

O

, f

O

/2, f

O

/4, f

O

/8,

f

O

/16, f

O

/ 32内部连接确定）

8引脚SOP （ SM5009

×××

S)

芯片形式（ CF5009

×××

)

系列CON组fi guration

3V工作

VERSION

1 , 2

供应

Voltag ê

[V]

2.75.5

4.5 5.5

2.75.5

输出输出r权证米M E N D E D

频率负载

操作

（最大）

频率

[ pF的]

RANG ê

3

[兆赫]

f

O

15

16

f

O

/2

15

16

f

O

/4

15

16

f

O

/8

15

16

f

O

–

f

O

/2

–

30

40

f

O

f

O

/2

30

40

30

40

f

O

/4

f

O

/8

30

40

f

O

/16

30

40

30

40

f

O

/32

f

O

15

30

15

30

f

O

/2

f

O

30

40

f

O

/2

30

40

30

40

f

O

/4

30

40

f

O

/8

f

O

/16

30

40

30

40

f

O

/32

5V工作

输出r权证米M E N D E D

负载

操作

（最大）

频率

[ pF的]

RANG ê

4

[兆赫]

15

30

15

30

15

30

15

30

15

40

15

40

50

40

50

40

50

40

50

40

50

40

50

40

50

30

50

30

50

40

50

40

50

40

50

40

50

40

50

40

内建的

电容

C

G

[ pF的]

6

C

D

[ pF的]

10

输入

水平

TTL

CMOS

产量

税

水平

CMOS

TTL

CMOS

S T一N D通过

功能

No

是的

SM5009AH1S

SM5009AH2S

SM5009AH3S

SM5009AH4S

SM5009AK1S

SM5009AK2S

SM5009AN1S

SM5009AN2S

SM5009AN3S

SM5009AN4S

SM5009AN5S

SM5009AN6S

SM5009CN1S

SM5009CN2S

SM5009AL1S

SM5009AL2S

SM5009AL3S

SM5009AL4S

SM5009AL5S

SM5009AL6S

1.芯片形式的设备有指定CF5009

×××

.

2. S M 5 0 0 9的

×

S：V

D D

= 4.5 5.5V

S M 5 0 0 9 A K

×

S：大= -20至+85

°

C

3. S M 5 0 0 9的

×

S，安

×

S， AL

×

S：大= -20至+80

°

C

S M 5 0 0 9 C N

×

S：大= -10至+70

°

C

4. S M 5 0 0 9 A N

×

S， AL

×

S：大= -20至+80

°

C

注：建议的工作频率不保证值，但使用NPC的标准晶体测量。

订购信息

D E副

S M 5 0 0 9

×××

S

C 2 F 5 0 0 9

×××

–1

P ackag ê

8引脚SOP

芯片形式

日本制精密电路- 1

SM5009系列

包装尺寸

（单位：毫米）

8引脚SOP

0.15

+

0.1

0.05

4.4 0.2

6.2 0.3

0.695typ

5.2 0.3

0.05 0.05

1.5

0.1

1.27

0.10

0.4 0.1

0.12

M

0.4 0.2

0-10

日本制精密电路- 2

SM5009系列

焊盘布局

（单位：

m)

引脚

（ TOP VIEW ）

VDD

Q

(920,1220)

Y

INH

XT

1

8

VDD

NC

Q

(0,0)

INH XT XT VSS

X

芯片尺寸： 0.92

×

1.22 mm

切屑厚度： 300 ± 30微米

芯片基地： V

D D

水平

引脚说明和焊盘尺寸

数

1

2

3

4

5

6

7

8

名字

INH

XT

VSS

Q

NC

VDD

I / O

I

O

–

O

–

描述

输出状态控制输入。高阻抗低的时候。中的情况下

S M 5 0 0 9 A L

×

S，振荡器停止，电网节省上拉电阻内置的。

扩增fi er输入。

扩增fi er输出。

地

输出。输出频率（f

O

, f

O

/2, f

O

/4, f

O

/8, f

O

/16, f

O

/ 32 ）由下式确定

内部连接

无连接

电源电压

铬石英晶体振荡器的连接引脚。

CR振荡器，石英晶体连接XT和X T卷之间

P的广告尺寸（微米）

X

195

385

575

766

765

–

162

Y

212

1062

–

1062

框图

VDD VSS

XT

C

G

R

f

C

D

1/2

XT

Q

INH

HA5009

009

2

3

4

7

6

5

VSS

日本制精密电路- 3

SM5009系列

特定网络阳离子

绝对最大额定值

V

SS

= 0 V

P ARAMETER

电源电压范围

输入电压范围

输出电压范围

工作温度范围

存储温度范围

输出电流

POW ER耗散

符号

V

DD

V

IN

V

OUT

T

OPR

T

英镑

I

O u那样牛逼

P

D

8引脚SOP

芯片形式

8引脚SOP

条件

等级

为0.5 7.0

0.5 V

D D

+ 0.5

0.5 V

D D

+ 0.5

4085

65 150

55 125

25

500

单位

V

°

C

°

C

mA

mW

推荐工作条件

V

SS

= 0 V

P ARAMETER

符号

系列

f

≤

30MHz

f

≤

16MHz

f

≤

40MHz

f

≤

40MHz

f

≤

30MHz

f

≤

40MHz

芯片形式

AL系列

8引脚SOP

输入电压

V

IN

所有系列

AH系列

f

≤

为30MHz ， 4.5V

≤

V

D D

≤

5.5V

f

≤

为16MHz ， 2.7V

≤

V

D D

≤

3.6V

f

≤

30MHz

＆ LT ;

f

≤

40MHz

芯片形式

AN系列

8引脚SOP

工作温度

T

O·P

CN系列

f

≤

为40MHz ， 2.7V

≤

V

D D

＆ LT ;

4.5V

f

≤

为40MHz ， 4.5V

≤

V

D D

≤

5.5V

f

≤

为40MHz ， 2.7V

≤

V

D D

＆ LT ;

4.5V

f

≤

为40MHz ， 4.5V

≤

V

D D

≤

5.5V

f

≤

为30MHz ， 4.5V

≤

V

D D

≤

5.5V

f

≤

30MHz

f

≤

20MHz

f

≤

40MHz

f

≤

14.4MHz

条件

等级

民

4.5

2.7

4.5

2.7

2.3

2.25

2.7

2.4

V

SS

40

20

40

20

40

20

40

10

40

20

40

20

典型值

–

最大

5.5

3.3

5.5

2.7

2.75

5.5

2.7

V

DD

+

85

+

80

+

85

+

80

+

80

+

85

+

80

+

80

+

85

+

70

+

85

+

85

+

80

+

80

+

80

+

85

+

80

°C

V

°C

V

单位

AH系列

AK系列

AN系列

电源电压

V

DD

CN系列

V

AK系列

f

≤

为30MHz ， 2.7V

≤

V

D D

＆ LT ;

4.5V

f

≤

为30MHz ， 4.5V

≤

V

D D

≤

5.5V

f

≤

为40MHz ， 2.7V

≤

V

D D

≤

5.5V

芯片形式

f

≤

为30MHz ， 2.3V

≤

V

D D

≤

2.7V

f

≤

20MHz的， 2.25V

≤

V

D D

≤

2.75V

f

≤

为40MHz ， 2.7V

≤

V

D D

≤

5.5V

8引脚SOP

f

≤

为30MHz ， 2.7V

≤

V

D D

≤

5.5V

f

≤

14.4MHz ， 2.4V

≤

V

D D

≤

2.7V

AL系列

日本制精密电路- 4

SM5009系列

电气特性

5009AH系列

3 V工作电压： V

DD

= 2.7 3.3 V ，V

SS

= 0 V ，TA =

20

80

°C

除非另有说明。

等级

P ARAMETER

高电平输出电压

1。· W - 电平输出电压

输出漏电流

高电平输入电压

1。· W - 电平的输入电压

符号

V

OH

V

OL

I

Z

V

IH

V

IL

条件

民

问：测量CCT 1 ，我

= 2m的

问：测量CCT 1 ，我

0 1

= 2m的

问：测量CCT 2 ， I N H = 1。· W，V

= V

D D

问：测量CCT 2 ， I N H = 1。· W，V

0 1

= V

S S

INH

SM5009AH1S

CF5009AH1

I N H =打开，测量CCT 3 ，

负载CCT 2 ，C

L

= 15 P楼

16 MHz的CR振荡器，石英晶体

SM5009AH2S

CF5009AH2

SM5009AH3S

CF5009AH3

SM5009AH4S

CF5009AH4

2.2

–

2.0

–

典型值

–

4.5

3

最大

–

0.4

10

A

10

–

0.3

10

7

mA

–

1.5

3

V

单位

消耗电流

I

D D

我N·H拉电阻

负阻

反馈电阻

内置电容

R

UP

R

L

R

f

C

G

C

D

测量CCT 4 ，V

D D

= 3 V ， I N H = V

S S

V

D D

= 3 V ， TA = 25

°C

16 M·H

测量CCT 5

设计值，由内部晶片图案确定

40

–

0.4

5.58

9.3

–

–450

–

6

10

200

–

1.1

6.42

10.7

k

M

pF

5 V工作电压： V

DD

= 4.5 5.5 V ，V

SS

= 0 V ，TA =

40

85

°C

除非另有说明。

等级

P ARAMETER

高电平输出电压

1。· W - 电平输出电压

输出漏电流

高电平输入电压

1。· W - 电平的输入电压

符号

V

OH

V

OL

I

Z

V

IH

V

IL

条件

民

问：测量CCT 1 ，我

= 4μm的

问：测量CCT 1 ，我

0 1

= 4μm的

问：测量CCT 2 ， I N H = 1。· W，V

= V

D D

问：测量CCT 2 ， I N H = 1。· W，V

0 1

= V

S S

INH

SM5009AH1S

CF5009AH1

I N H =打开，测量CCT 3 ，

负载CCT 2 ，C

L

= 15 P楼

30 MHz的石英晶体CR振荡器

SM5009AH2S

CF5009AH2

SM5009AH3S

CF5009AH3

SM5009AH4S

CF5009AH4

4.0

–

2.0

–

典型值

–

9

6

最大

–

0.4

10

A

10

–

0.8

20

13

mA

–

4

9

V

单位

消耗电流

I

D D

我N·H拉电阻

负阻

反馈电阻

内置电容

R

UP

R

L

R

f

C

G

C

D

测量CCT 4 ，V

D D

= 5 V ， I N H = V

S S

V

D D

= 5 V ， TA = 25

°C

30 M·H

测量CCT 5

设计值，由内部晶片图案确定

40

–

0.4

5.58

9.3

–

–340

–

6

10

200

–

1.1

6.42

10.7

k

M

pF

日本制精密电路- 5

SM5009系列

晶体振荡器模块集成电路

概观

在SM5009系列是结合了较低的晶体电流型振荡电路的晶体振荡器模块集成电路

限制振荡器段的电流，以使它们能降低晶体的电流低于现有产品。自

振荡电路具有振荡器的电容器具有优良的频率响应和内置的反馈电阻

只需连接晶体实现稳定的基本振荡响应可达40MHz 。在SM5009系列

非常适合于使用的带状晶体坯的SMD型晶体振荡器。

特点

I

低晶体振荡器电流

高达40MHz的工作频率范围（基波

心理振荡）

工作电源电压范围

3V工作电压： 2.7 3.6V

5V工作电压： 4.5 5.5V

-40到85

°

C的工作温度范围

振荡用电容器C

G

, C

D

内建的

逆变器放大器呃反馈电阻内置

待机功能

振荡器停止工作（ AL系列），高阻抗

待机模式

低待机电流

I

省电上拉电阻内置（ AL系列）

分频器内置（六

O

, f

O

/2, f

O

/4, f

O

/8,

f

O

/16, f

O

/ 32内部连接确定）

输出驱动能力

AL

×

，一

×

， AK

×

， CN

×

： 16毫安（V

DD

=

4.5V)

AH

×

： 4毫安（V

DD

=

4.5V)

输出负载：C

L

= 50pF的最大值。

输出工作水平

CMOS电平（1/2 VDD ）： AL

×

，一

×

， AH

×

， CN

×

TTL电平（ 1.4V ）： AK

×

钼栅CMOS工艺

8引脚SOP （ SM5009

×××

S)

芯片形式（ CF5009

×××

)

待机模式

产量

频率

f

O

f

O

/2

f

O

/4

f

O

/8

f

O

/16

f

O

/32

f

O

f

O

/2

f

O

/4

f

O

/8

f

O

/16

f

O

/32

f

O

f

O

/2

f

O

f

O

/2

f

O

f

O

/2

f

O

/4

f

O

/8

INH输入

水平

振荡器

停止

功能

产量

状态

系列CON组fi guration

VERSION

1

3V操作

5V操作

推荐

产量

操作

3

（最大）

负载

3

（最大值）税水平

频率

[ pF的]

范围

2

[兆赫]

范围

2

[兆赫]

CF5009AL1

CF5009AL2

CF5009AL3

CF5009AL4

CF5009AL5

CF5009AL6

CF5009AN1

CF5009AN2

CF5009AN3

CF5009AN4

CF5009AN5

CF5009AN6

CF5009CN1

CF5009CN2

CF5009AK1

CF5009AK2

CF5009AH1

CF5009AH2

CF5009AH3

CF5009AH4

多达40个

50

多达40个

50

CMOS

是的

高阻

CMOS

多达40个

30

多达40个

50

CMOS / TTL

TTL

No

高阻

截至30

–

15

–

截至30

多达40个

50

15

CMOS

TTL

No

高阻

多达16个

15

截至30

15

CMOS

TTL

No

高阻

1.包装设备（ 8引脚SOP ）有指定SM5009

×××

S.

2.推荐工作频率是用于NPC的特性鉴定晶体派生的尺度值。然而，振荡

荡器频段不能保证。具体来说，该特性会由于水晶的特性和安装条件差别很大，所以

元件的振荡特性，必须仔细评估。

3.输出负载值是最大的负载电容，使驱动器。

应用

I

订购信息

设备

SM5009

×××

S

CF5009

×××

–1

包

8引脚SOP

芯片形式

SMD型晶体振荡器模块

日本制精密Circuits公司- 1

SM5009系列

焊盘布局

（单位：

m)

引脚

（ TOP VIEW ）

VDD

Q

(920,1220)

Y

INH

XT

1

2

3

4

8

7

6

5

VDD

NC

Q

(0,0)

INH XT XT VSS

X

芯片尺寸： 0.92

×

1.22 mm

切屑厚度： 300 ± 30微米

芯片基地： V

DD

水平

引脚说明和焊盘尺寸

数

名字

I / O

描述

输出状态控制输入。低电平时，上拉电阻内置的待机模式。

中的CF5009AL ×的情况下，振荡器停止和节电拉

电阻内置的以减少电流消耗在待机模式。

扩增fi er输入。

扩增fi er输出。

地

输出。输出频率（f

O

, f

O

/2, f

O

/4, f

O

/8, f

O

/16, f

O

/ 32 ）由下式确定

内部连接

无连接

电源电压

晶体振荡器的连接引脚。

晶体振荡器连接XT和XT之间

焊盘尺寸（微米）

X

195

385

575

766

765

–

162

Y

212

1062

–

1062

1

2

3

4

5

6

7

8

INH

XT

VSS

Q

NC

VDD

HA5009

I

O

–

O

–

VSS

日本制精密Circuits公司- 2

SM5009系列

包装尺寸

（单位：毫米）

8引脚SOP

0.15

+

0.1

0.05

4.4 0.2

6.2 0.3

0.695typ

5.2 0.3

0.05 0.05

1.5

0.1

1.27

0.10

0.4 0.1

0.12

M

0.4 0.2

0-10

框图

VDD VSS

XT

C

Gp

R

f

C

Dp

1/2

XT

C

Gn

C

Dn

Q

INH

注释。的SM5009系列减少晶体电流通过限制振荡级反相器的驱动电流，并抑制振动的振幅。根据

利用晶体或贴装条件的特性，它们可能不能正常振荡。请评估振荡启动characteris-

与你的实际设备抽动充分。

日本制精密Circuits公司- 3

SM5009系列

功能说明

待机功能

5009 AL

×

系列

当INH变为低电平时，振荡器停止工作，并在Q振荡器输出变为高阻抗。

5009AH × ， × AK ， AN × ， × CN系列

当INH变低，在Q输出变为高阻抗，但在内部振荡器不停止。

VERSION

AL

×

系列

AH × ， × AK ， AN × ， × CN

系列

INH

高（或打开）

低

高（或打开）

低

Q

任何F

O

, f

O

/2, f

O

/4, f

O

/8, f

O

/ 16或f

O

/ 32输出频率

高阻抗

任何F

O

, f

O

/2, f

O

/4, f

O

/8, f

O

/ 16或f

O

/ 32输出频率

高阻抗

振荡器

正常工作

停止

正常工作

省电上拉电阻（ AL

×

系列）

将INH拉电阻的变化响应于输入电平（高电平或低电平）。当INH变低

（待机状态）时，上拉电阻变大，以降低待机期间的电流消耗。

消耗电流和输出波形与NPC的标准晶振

Cb

F [兆赫]

30

40

R []

17.2

16.8

L [ MH]

4.36

2.90

钙[ FF]

6.46

5.47

CB [ pF的]

2.26

2.08

L

Ca

R

日本制精密Circuits公司- 4

SM5009系列

特定网络阳离子

绝对最大额定值

V

SS

= 0V ，除非另有说明。

参数

电源电压范围

输入电压范围

输出电压范围

工作温度范围

存储温度范围

输出电流

功耗

符号

V

DD

V

IN

V

OUT

T

OPR

T

英镑

I

OUT

P

D

8引脚SOP

芯片形式

8引脚SOP

条件

等级

0.5 7.0

0.5 V

DD

+ 0.5

0.5

到V

DD

+ 0.5

40

+85

65

+150

55

+125

25

500

单位

V

°C

mA

mW

推荐工作条件

V

SS

= 0V ，除非另有说明。

参数

符号

VERSION

f

≤

30MHz

f

≤

16MHz

f

≤

40MHz

f

≤

40MHz

f

≤

30MHz

f

≤

40MHz

芯片形式

人？

8引脚SOP

输入电压

V

IN

所有版本

啊？

f

≤

为30MHz ， 4.5V

≤

V

DD

≤

5.5V

f

≤

为16MHz ， 2.7V

≤

V

DD

≤

3.6V

f

≤

30MHz

＆ LT ;

f

≤

40MHz

芯片形式

的？

8引脚SOP

工作温度

T

OPR

道道通...

f

≤

为40MHz ， 2.7V

≤

V

DD

＆ LT ;

4.5V

f

≤

为40MHz ， 4.5V

≤

V

DD

≤

5.5V

f

≤

为40MHz ， 2.7V

≤

V

DD

＆ LT ;

4.5V

f

≤

为40MHz ， 4.5V

≤

V

DD

≤

5.5V

f

≤

为30MHz ， 4.5V

≤

V

DD

≤

5.5V

f

≤

为30MHz ， 2.7V

≤

V

DD

＆ LT ;

4.5V

f

≤

为30MHz ， 4.5V

≤

V

DD

≤

5.5V

f

≤

为40MHz ， 2.7V

≤

V

DD

≤

5.5V

芯片形式

人？

8引脚SOP

f

≤

为30MHz ， 2.3V

≤

V

DD

≤

2.7V

f

≤

20MHz的， 2.25V

≤

V

DD

≤

2.75V

f

≤

为40MHz ， 2.7V

≤

V

DD

≤

5.5V

f

≤

为30MHz ， 2.7V

≤

V

DD

≤

5.5V

f

≤

14.4MHz ， 2.4V

≤

V

DD

≤

2.7V

f

≤

30MHz

f

≤

20MHz

f

≤

40MHz

f

≤

14.4MHz

条件

等级

民

4.5

2.7

4.5

2.7

2.3

2.25

2.7

2.4

V

SS

40

20

40

20

40

20

40

10

40

20

40

20

典型值

–

最大

5.5

3.3

5.5

2.7

2.75

5.5

2.7

V

DD

+

85

+

80

+

85

+

80

+

80

+

85

+

80

+

80

+

85

+

70

+

85

+

85

+

80

+

80

+

80

+

85

+

80

°C

V

°C

V

单位

啊？

AK *

的？

电源电压

V

DD

道道通...

V

AK *

日本制精密Circuits公司- 5

SM5009系列

日本制精密电路有限公司。

晶体振荡器模块集成电路

概观

在SM5009系列晶体振荡器模块的IC ，结合了电路，以限制振荡器级电流，

控制总的电流消耗。高频电容器内置，省去了外部

成分制成一种稳定的根本谐振荡器。

特点

I

用电容器C

G

, C

D

内建的

待机功能

6

一个典型值（V

DD

=

5 V ）低待机电流

(SM5009AL

×

S)

功率节省上拉电阻内置

(SM5009AL

×

S)

逆变器放大器呃反馈电阻内置

16毫安（V

DD

=

4.5 V ）驱动能力

(SM5009AK

×

S， AL

×

S，安

×

S， CN

×

S)

I

4毫安（V

DD

=

4.5 V ）驱动能力

(SM5009AH

×

S)

输出三态功能

2.25至5.5 V电源电压（ CF5009AL

×

)

2.7至5.5 V电源电压

(SM5009AH

×

S， AL

×

S，安

×

S， CN

×

S)

振荡器的输出频率（F

O

, f

O

/2, f

O

/4, f

O

/8,

f

O

/16, f

O

/ 32内部连接确定）

8引脚SOP （ SM5009

×××

S)

芯片形式（ CF5009

×××

)

系列CON组fi guration

3V工作

VERSION

1 , 2

供应

Voltag ê

[V]

2.75.5

4.5 5.5

2.75.5

输出输出r权证米M E N D E D

频率负载

操作

（最大）

频率

[ pF的]

RANG ê

3

[兆赫]

f

O

15

16

f

O

/2

15

16

f

O

/4

15

16

f

O

/8

15

16

f

O

–

f

O

/2

–

30

40

f

O

f

O

/2

30

40

30

40

f

O

/4

f

O

/8

30

40

f

O

/16

30

40

30

40

f

O

/32

f

O

15

30

15

30

f

O

/2

f

O

30

40

f

O

/2

30

40

30

40

f

O

/4

30

40

f

O

/8

f

O

/16

30

40

30

40

f

O

/32

5V工作

输出r权证米M E N D E D

负载

操作

（最大）

频率

[ pF的]

RANG ê

4

[兆赫]

15

30

15

30

15

30

15

30

15

40

15

40

50

40

50

40

50

40

50

40

50

40

50

40

50

30

50

30

50

40

50

40

50

40

50

40

50

40

50

40

内建的

电容

C

G

[ pF的]

6

C

D

[ pF的]

10

输入

水平

TTL

CMOS

产量

税

水平

CMOS

TTL

CMOS

S T一N D通过

功能

No

是的

SM5009AH1S

SM5009AH2S

SM5009AH3S

SM5009AH4S

SM5009AK1S

SM5009AK2S

SM5009AN1S

SM5009AN2S

SM5009AN3S

SM5009AN4S

SM5009AN5S

SM5009AN6S

SM5009CN1S

SM5009CN2S

SM5009AL1S

SM5009AL2S

SM5009AL3S

SM5009AL4S

SM5009AL5S

SM5009AL6S

1.芯片形式的设备有指定CF5009

×××

.

2. S M 5 0 0 9的

×

S：V

D D

= 4.5 5.5V

S M 5 0 0 9 A K

×

S：大= -20至+85

°

C

3. S M 5 0 0 9的

×

S，安

×

S， AL

×

S：大= -20至+80

°

C

S M 5 0 0 9 C N

×

S：大= -10至+70

°

C

4. S M 5 0 0 9 A N

×

S， AL

×

S：大= -20至+80

°

C

注：建议的工作频率不保证值，但使用NPC的标准晶体测量。

订购信息

D E副

S M 5 0 0 9

×××

S

C 2 F 5 0 0 9

×××

–1

P ackag ê

8引脚SOP

芯片形式

日本制精密电路- 1

SM5009系列

包装尺寸

（单位：毫米）

8引脚SOP

0.15

+

0.1

0.05

4.4 0.2

6.2 0.3

0.695typ

5.2 0.3

0.05 0.05

1.5

0.1

1.27

0.10

0.4 0.1

0.12

M

0.4 0.2

0-10

日本制精密电路- 2

SM5009系列

焊盘布局

（单位：

m)

引脚

（ TOP VIEW ）

VDD

Q

(920,1220)

Y

INH

XT

1

8

VDD

NC

Q

(0,0)

INH XT XT VSS

X

芯片尺寸： 0.92

×

1.22 mm

切屑厚度： 300 ± 30微米

芯片基地： V

D D

水平

引脚说明和焊盘尺寸

数

1

2

3

4

5

6

7

8

名字

INH

XT

VSS

Q

NC

VDD

I / O

I

O

–

O

–

描述

输出状态控制输入。高阻抗低的时候。中的情况下

S M 5 0 0 9 A L

×

S，振荡器停止，电网节省上拉电阻内置的。

扩增fi er输入。

扩增fi er输出。

地

输出。输出频率（f

O

, f

O

/2, f

O

/4, f

O

/8, f

O

/16, f

O

/ 32 ）由下式确定

内部连接

无连接

电源电压

铬石英晶体振荡器的连接引脚。

CR振荡器，石英晶体连接XT和X T卷之间

P的广告尺寸（微米）

X

195

385

575

766

765

–

162

Y

212

1062

–

1062

框图

VDD VSS

XT

C

G

R

f

C

D

1/2

XT

Q

INH

HA5009

009

2

3

4

7

6

5

VSS

日本制精密电路- 3

SM5009系列

特定网络阳离子

绝对最大额定值

V

SS

= 0 V

P ARAMETER

电源电压范围

输入电压范围

输出电压范围

工作温度范围

存储温度范围

输出电流

POW ER耗散

符号

V

DD

V

IN

V

OUT

T

OPR

T

英镑

I

O u那样牛逼

P

D

8引脚SOP

芯片形式

8引脚SOP

条件

等级

为0.5 7.0

0.5 V

D D

+ 0.5

0.5 V

D D

+ 0.5

4085

65 150

55 125

25

500

单位

V

°

C

°

C

mA

mW

推荐工作条件

V

SS

= 0 V

P ARAMETER

符号

系列

f

≤

30MHz

f

≤

16MHz

f

≤

40MHz

f

≤

40MHz

f

≤

30MHz

f

≤

40MHz

芯片形式

AL系列

8引脚SOP

输入电压

V

IN

所有系列

AH系列

f

≤

为30MHz ， 4.5V

≤

V

D D

≤

5.5V

f

≤

为16MHz ， 2.7V

≤

V

D D

≤

3.6V

f

≤

30MHz

＆ LT ;

f

≤

40MHz

芯片形式

AN系列

8引脚SOP

工作温度

T

O·P

CN系列

f

≤

为40MHz ， 2.7V

≤

V

D D

＆ LT ;

4.5V

f

≤

为40MHz ， 4.5V

≤

V

D D

≤

5.5V

f

≤

为40MHz ， 2.7V

≤

V

D D

＆ LT ;

4.5V

f

≤

为40MHz ， 4.5V

≤

V

D D

≤

5.5V

f

≤

为30MHz ， 4.5V

≤

V

D D

≤

5.5V

f

≤

30MHz

f

≤

20MHz

f

≤

40MHz

f

≤

14.4MHz

条件

等级

民

4.5

2.7

4.5

2.7

2.3

2.25

2.7

2.4

V

SS

40

20

40

20

40

20

40

10

40

20

40

20

典型值

–

最大

5.5

3.3

5.5

2.7

2.75

5.5

2.7

V

DD

+

85

+

80

+

85

+

80

+

80

+

85

+

80

+

80

+

85

+

70

+

85

+

85

+

80

+

80

+

80

+

85

+

80

°C

V

°C

V

单位

AH系列

AK系列

AN系列

电源电压

V

DD

CN系列

V

AK系列

f

≤

为30MHz ， 2.7V

≤

V

D D

＆ LT ;

4.5V

f

≤

为30MHz ， 4.5V

≤

V

D D

≤

5.5V

f

≤

为40MHz ， 2.7V

≤

V

D D

≤

5.5V

芯片形式

f

≤

为30MHz ， 2.3V

≤

V

D D

≤

2.7V

f

≤

20MHz的， 2.25V

≤

V

D D

≤

2.75V

f

≤

为40MHz ， 2.7V

≤

V

D D

≤

5.5V

8引脚SOP

f

≤

为30MHz ， 2.7V

≤

V

D D

≤

5.5V

f

≤

14.4MHz ， 2.4V

≤

V

D D

≤

2.7V

AL系列

日本制精密电路- 4

SM5009系列

电气特性

5009AH系列

3 V工作电压： V

DD

= 2.7 3.3 V ，V

SS

= 0 V ，TA =

20

80

°C

除非另有说明。

等级

P ARAMETER

高电平输出电压

1。· W - 电平输出电压

输出漏电流

高电平输入电压

1。· W - 电平的输入电压

符号

V

OH

V

OL

I

Z

V

IH

V

IL

条件

民

问：测量CCT 1 ，我

= 2m的

问：测量CCT 1 ，我

0 1

= 2m的

问：测量CCT 2 ， I N H = 1。· W，V

= V

D D

问：测量CCT 2 ， I N H = 1。· W，V

0 1

= V

S S

INH

SM5009AH1S

CF5009AH1

I N H =打开，测量CCT 3 ，

负载CCT 2 ，C

L

= 15 P楼

16 MHz的CR振荡器，石英晶体

SM5009AH2S

CF5009AH2

SM5009AH3S

CF5009AH3

SM5009AH4S

CF5009AH4

2.2

–

2.0

–

典型值

–

4.5

3

最大

–

0.4

10

A

10

–

0.3

10

7

mA

–

1.5

3

V

单位

消耗电流

I

D D

我N·H拉电阻

负阻

反馈电阻

内置电容

R

UP

R

L

R

f

C

G

C

D

测量CCT 4 ，V

D D

= 3 V ， I N H = V

S S

V

D D

= 3 V ， TA = 25

°C

16 M·H

测量CCT 5

设计值，由内部晶片图案确定

40

–

0.4

5.58

9.3

–

–450

–

6

10

200

–

1.1

6.42

10.7

k

M

pF

5 V工作电压： V

DD

= 4.5 5.5 V ，V

SS

= 0 V ，TA =

40

85

°C

除非另有说明。

等级

P ARAMETER

高电平输出电压

1。· W - 电平输出电压

输出漏电流

高电平输入电压

1。· W - 电平的输入电压

符号

V

OH

V

OL

I

Z

V

IH

V

IL

条件

民

问：测量CCT 1 ，我

= 4μm的

问：测量CCT 1 ，我

0 1

= 4μm的

问：测量CCT 2 ， I N H = 1。· W，V

= V

D D

问：测量CCT 2 ， I N H = 1。· W，V

0 1

= V

S S

INH

SM5009AH1S

CF5009AH1

I N H =打开，测量CCT 3 ，

负载CCT 2 ，C

L

= 15 P楼

30 MHz的石英晶体CR振荡器

SM5009AH2S

CF5009AH2

SM5009AH3S

CF5009AH3

SM5009AH4S

CF5009AH4

4.0

–

2.0

–

典型值

–

9

6

最大

–

0.4

10

A

10

–

0.8

20

13

mA

–

4

9

V

单位

消耗电流

I

D D

我N·H拉电阻

负阻

反馈电阻

内置电容

R

UP

R

L

R

f

C

G

C

D

测量CCT 4 ，V

D D

= 5 V ， I N H = V

S S

V

D D

= 5 V ， TA = 25

°C

30 M·H

测量CCT 5

设计值，由内部晶片图案确定

40

–

0.4

5.58

9.3

–

–340

–

6

10

200

–

1.1

6.42

10.7

k

M

pF

日本制精密电路- 5