SM5003系列
日本制精密电路有限公司。
石英晶体振荡器IC
概观
在SM5003系列石英晶体振荡器集成电路fabri-
符在NPC的钼栅CMOS 。它们包括
低电压低功耗振荡器电路
和输出缓冲器。他们结合内置振荡
电容具有优越的频率响应，以实现
无需任何外部元件。
特点
振荡频率高达70MHz
第三谐波振荡
4.5至5.5 V电源电压
反相放大器的反馈电阻内置的（R
f
)
振荡电容内置（三
G
和C
D
)
输出驱动能力：8 MA（ V
DD
=4.5V)
输出频率： FO （振荡频率）
输出工作水平
SM5003A × H： CMOS
SM5003B ×高： TTL
输入电平： TTL
3态函数
芯片形式（ CF5003 ×× ）
6引脚SOT （ SM5003 ××高）
设备列表
推荐
设备
SM5003AAH
SM5003ABH
SM5003ACH
SM5003ADH
SM5003BAH
SM5003BBH
SM5003BCH
SM5003BDH
注意事项：
CF5003 ××是芯片形式。
SM5003 ×× H为6引脚SOT 。
频带
（兆赫）
22至30
30至43
43至55
55至70
22至30
30至43
43至55
55至70
gm
（相
值）
1.0
1.0
2.0
3.0
1.0
1.0
2.0
3.0
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
TTL
TTL
TTL
TTL
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
产量
税级
产量
（待机）
国内
电容
C
G
（PF ）
8
8
8
8
8
8
8
8
C
D
（PF ）
15
15
15
15
15
15
15
15
(k)
6.1
3.3
3.9
2.7
6.1
3.3
3.9
2.7
R
f
日本制精密电路- 1
SM5003系列
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
电源电压范围
输入电压范围
输出电压范围
Strage温度范围
功耗
输出电流
焊接温辐射
焊接时间
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
T
英镑
P
W
I
OUT
T
SLD
t
SLD
6引脚SOT
6引脚SOT
芯片形式
6引脚SOT
6引脚SOT
条件
(V
SS
= 0V ，除非另有说明）
等级
单位
-0.5 7.0
-0.5到V
DD
+ 0.5
-0.5到V
DD
+ 0.5
-65到150
-55至125
250
13
255
10
V
V
V
C
C
mW
mA
C
美国证券交易委员会
推荐工作条件
(V
SS
= 0V ，除非另有说明）
极限
参数
电源电压
输入电压
工作温度
符号
V
DD
V
IN
T
OPR
条件
民
4.5
V
SS
-20
典型值
最大
5.5
V
DD
+80
单位
V
V
°C
电气特性
(V
DD
= 4.5 5.5V ，V
SS
= 0V ，钽= -20至80°C ，除非另有说明）
极限
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
输出漏电流
符号
条件
Q脚，测试电路1 ，V
DD
= 4.5V ，我
OH
= 8毫安
Q脚，测试电路2 ，V
DD
= 4.5V ，我
OL
= 8毫安
Q脚，测试电路2 ，
INH =低，V
DD
= 5.5V
INH引脚
INH引脚
INH = OPEN ，
测试电路3
C
L
= 15pF的，
F = 70MHz时
SM5003A×H
负载电路1
SM5003B×H
负载电路2
V
OH
= V
DD
V
OL
= V
SS
民
3.9
典型值
4.2
0.3
最大
0.4
10
10
单位
V
V
A
A
V
V
mA
mA
k
k
k
k
k
pF
pF
V
OH
V
OL
I
Z
V
IH
V
IL
I
DD
高电平输入电压
低电平输入电压
消耗电流
2.0
0.8
28
28
25
5.4
2.9
3.5
2.4
7.2
13.5
100
6.1
3.3
3.9
2.7
8
15
45
45
250
6.7
3.7
4.3
3.0
8.8
16.5
上拉电阻
交流反馈电阻
R
UP
R
f
INH引脚，测试电路4
测试电路5
SM5003×AH
SM5003×BH
SM5003×CH
SM5003×DH
内部电容
C
G
C
D
设计值，由内部决定
晶圆模式
日本制精密电路- 4
SM5003系列
开关特性
职务级别CMOS （ SM5003A ×高）
参数
输出上升时间
输出下降时间
输出占空比
输出禁止延迟时间
输出使能延时
职务级别TTL （ SM5003B ×高）
符号
tr
t
f
税
t
PLZ
t
PZL
(V
DD
= 4.5 5.5V ，V
SS
= 0V ，钽= -20至80°C ，除非另有说明）
极限
条件
测试电路如图6所示，负载电路1，C
L
= 15pF的
0.1V
DD
至0.9V
DD
测试电路如图6所示，负载电路1，C
L
= 15pF的
0.9V
DD
到0.1V
DD
测试电路6 ，TA = 25℃ ，V
DD
=5.0V
负载电路1，C
L
= 15pF的， F = 70MHz时（ * 1 ）
测试电路6 ，TA = 25℃ ，V
DD
= 5.0V
负载电路1，C
L
= 15pF的
100
100
ns
ns
45
55
%
3.5
7
ns
民
典型值
3.5
最大
7
单位
ns
(V
DD
= 4.5 5.5V ，V
SS
= 0V ，钽= -20至80°C ，除非另有说明）
极限
参数
输出上升时间
输出下降时间
输出占空比
输出禁止延迟时间
输出使能延时
注意：
符号
tr
t
f
税
t
PLZ
t
PZL
条件
测试电路如图6所示，负载电路2，C
L
= 15pF的
0.4V
DD
到2.4V
DD
测试电路如图6所示，负载电路2，C
L
= 15pF的
2.4V
DD
到0.4V
DD
测试电路6 ，TA = 25℃ ，V
DD
=5.0V
负载电路2，C
L
= 15pF的， F = 70MHz时（ * 1 ）
测试电路6 ，TA = 25℃ ，V
DD
= 5.0V
负载电路2，C
L
= 15pF的
民
典型值
2.5
2.5
最大
7
7
55
100
100
单位
ns
ns
%
ns
ns
45
（ * 1 ）测定了不少。监视。
日本制精密电路- 5
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