【SM25GZ51,SM25JZ51东芝双向晶闸管ILICON平面型SM25GZ51,SM25JZ51】,IC型号SM25GZ51,SM25GZ51 PDF资料,SM25GZ51经销商,ic,电子元器件-51电子网

SM25GZ51,SM25JZ51

东芝双向晶闸管ILICON平面型

SM25GZ51,SM25JZ51

AC电源控制应用

重复峰值断态电压： V

DRM

= 400, 600V

R.M.S通态电流

高整流（ dv / dt的）

隔离电压

: I

T（ RMS ）

= 25A

（ dv / dt的）C =

10V

/ s

: V

ISOL

1500V

单位：mm

最大额定值

特征

重复峰值

断态电压

SM25GZ51

SM25JZ51

符号

DRM

T（ RMS ）

TSM

余吨

（注1 ）

的di / dt

G（ AV ）

英镑

ISOL

等级

400

600

230 （ 50赫兹）

253 （ 60赫兹）

260

0.5

40~125

1500

单位

A S

A / μs的

°C

R.M.S通态电流

（全正弦波TC = 73 ° C）

峰值一个周期浪涌通态

电流（不重复）

余吨限值

临界上升率

的通态电流

栅极峰值功耗

平均门功耗

峰值栅极电压

栅极峰值电流

结温

存储温度范围

隔离电压（交流，吨= 1分钟）

JEDEC

JEITA

东芝

重量： 5.9克

―

1316A1A

注1 ： di / dt的测试条件

DRM

= 0.5 ×额定

≤

40A

≥

10s

≤

250ns

= I

× 2.0

2001-07-13

SM25GZ51,SM25JZ51

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

重复峰值断态电流

门极触发电压

III

门极触发电流

III

峰值通态电压

GATE非触发电压

保持电流

热阻

断态电压临界上升率

在换向

日（J -C ）

dv / dt的

（ dv / dt的）C

= 40A

=额定， TC = 125°C

= 12V，我

= 1A

结到外壳， AC

DRM

=额定，T

= 125°C

指数上升

DRM

= 400V ，T

= 125°C

（ di / dt的）C =

15A / MS

= 12V

= 20

= 12V

= 20

符号

DRM

测试条件

DRM

=额定

T2 （ + ），门（ + ）

T2（ +），门（ - ）

T 2 （ - ），门（ - ）

T2 （ + ），门（ + ）

T2（ +），门（ - ）

T 2 （ - ），门（ - ）

民

―

0.2

―

典型值。

―

300

―

最大

1.5

―

1.3

―

C / W

V / μs的

单位

记号

数

TYPE

符号

SM25GZ51

SM25JZ51

标志

M25GZ51

M25JZ51

例子

8A ： 1998年1月

8B ： 1998年2月

8L ： 1998年12月

2001-07-13

SM25GZ51,SM25JZ51

2001-07-13

SM25GZ51,SM25JZ51

2001-07-13

SM25GZ51,SM25JZ51

限制产品使用

000707EAA

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市

文件应在客户自己的风险进行。

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有

承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为

该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式

任何知识产权或东芝或他人的其他权利。

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

2001-07-13

SM25GZ51,SM25JZ51

东芝双向晶闸管ILICON平面型

SM25GZ51,SM25JZ51

AC电源控制应用

重复峰值断态电压： V

DRM

= 400, 600V

R.M.S通态电流

高整流（ dv / dt的）

隔离电压

: I

T（ RMS ）

= 25A

（ dv / dt的）C =

10V

/ s

: V

ISOL

1500V

单位：mm

最大额定值

特征

重复峰值

断态电压

SM25GZ51

SM25JZ51

符号

DRM

T（ RMS ）

TSM

余吨

（注1 ）

的di / dt

G（ AV ）

英镑

ISOL

等级

400

600

230 （ 50赫兹）

253 （ 60赫兹）

260

0.5

40~125

1500

单位

A S

A / μs的

°C

R.M.S通态电流

（全正弦波TC = 73 ° C）

峰值一个周期浪涌通态

电流（不重复）

余吨限值

临界上升率

的通态电流

栅极峰值功耗

平均门功耗

峰值栅极电压

栅极峰值电流

结温

存储温度范围

隔离电压（交流，吨= 1分钟）

JEDEC

JEITA

东芝

重量： 5.9克

―

1316A1A

注1 ： di / dt的测试条件

DRM

= 0.5 ×额定

≤

40A

≥

10s

≤

250ns

= I

× 2.0

2001-07-13

SM25GZ51,SM25JZ51

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

重复峰值断态电流

门极触发电压

III

门极触发电流

III

峰值通态电压

GATE非触发电压

保持电流

热阻

断态电压临界上升率

在换向

日（J -C ）

dv / dt的

（ dv / dt的）C

= 40A

=额定， TC = 125°C

= 12V，我

= 1A

结到外壳， AC

DRM

=额定，T

= 125°C

指数上升

DRM

= 400V ，T

= 125°C

（ di / dt的）C =

15A / MS

= 12V

= 20

= 12V

= 20

符号

DRM

测试条件

DRM

=额定

T2 （ + ），门（ + ）

T2（ +），门（ - ）

T 2 （ - ），门（ - ）

T2 （ + ），门（ + ）

T2（ +），门（ - ）

T 2 （ - ），门（ - ）

民

―

0.2

―

典型值。

―

300

―

最大

1.5

―

1.3

―

C / W

V / μs的

单位

记号

数

TYPE

符号

SM25GZ51

SM25JZ51

标志

M25GZ51

M25JZ51

例子

8A ： 1998年1月

8B ： 1998年2月

8L ： 1998年12月

2001-07-13

SM25GZ51,SM25JZ51

2001-07-13

SM25GZ51,SM25JZ51

2001-07-13

SM25GZ51,SM25JZ51

限制产品使用

000707EAA

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市

文件应在客户自己的风险进行。

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有

承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为

该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式

任何知识产权或东芝或他人的其他权利。

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

2001-07-13