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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第673页 > SM16JZ51
TIGER ELECTRONIC CO 。 ， LTD。
16A双向可控硅
概述
可无论是通孔或表面贴装封装， SM16JZ51双向可控硅系列
适用于一般用途的交流开关。它们可以用作一个开/关功能的应用
如静态继电器，加热调节，感应电动机起动电路...或相位控制
在调光器的操作，电机速度控制器， ...
在无缓冲器的版本是专门推荐用于使用
感性负载，由于其较高的换向性能。通过使用内部陶瓷垫，
产品speci fi cation
SM16JZ51
绝对最大额定值（ TA = 25℃ ）
O
参数
重复峰值断态电压
峰值断态反向电压
RMS通态电流
通态电流非重复性峰值
马克斯。工作结温
储存温度
符号
V
DRM
V
RRM
I
T
I
TSM
T
j
T
英镑
价值
600
600
16
150
110
-45~150
单位
V
V
A
A
o
C
C
o
TOP-3Fa
电气特性（TA = 25℃ ）
参数
重复峰值断态
电压
重复峰值断态
当前
通态电压
保持电流
T2+G+
门极触发
当前
T2+G-
T2-G-
T2-G+
T2+G+
门极触发
电压
T2+G-
T2-G-
T2-G+
符号
测试条件
I
D
=0.1mA
V
DRM
=520V
I
T
=22.5A
I
T
=1.0A,I
GT
=50mA
分钟。
600
—
—
—
—
最大
—
20
1.5
50
30
30
30
—
1.5
1.5
1.5
—
—
V
mA
单位
V
uA
V
mA
O
V
DRM
I
DRM
V
TM
I
H
I
GT
V
AK
=12V
，
R
L
=20
Ω
—
—
—
—
V
GT
V
D
=12V
，
R
L
=20
Ω
—
SM16GZ51,SM16JZ51
东芝双向晶闸管硅平面型
SM16GZ51,SM16JZ51
AC电源控制应用
单位：mm
l
重复峰值断态电压
l
R.M.S通态电流
l
高整流（ dv / dt的）
l
隔离电压
: V
DRM
= 400, 600 V
: I
T（ RMS ）
=
16
A
（ dv / dt的）C =
10
V / μs的
: V
ISOL
=
1500
V AC
最大额定值
特征
重复峰值
断态电压
SM16GZ51
SM16JZ51
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
余吨
的di / dt
P
GM
P
G（ AV ）
V
GM
I
GM
T
j
T
英镑
V
ISOL
2
等级
400
600
16
150（ 50赫兹）
165 （ 60赫兹）
112.5
50
5
0.5
10
2
40~125
40~125
1500
单位
V
A
A
A S
A / μs的
W
W
V
A
°C
°C
V
2
R. M. S.导通电流泰特
（全正弦波TA = 82 ° C）
壹Cylce浪涌通态
电流（不重复）
余吨限值
崛起的导通状态的暴击率
当前
（注1 ）
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值栅极电压
栅极峰值电流
结温
存储温度范围
隔离电压（交流，吨= 1分钟）
2
JEDEC
JEITA
东芝
重量： 2.0克
―
―
1316A1A
注1 ： di / dt的测试条件
V
DRM
= 0.5 ×额定，我
TM
≤
25 A，T
gw
≥
10微秒，T
gr
≤
250纳秒，我
gp
= I
GT
× 2.0
1
2001-07-10
SM16GZ51,SM16JZ51
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
重复峰值断态电流
I
门极触发电压
II
III
IV
I
门极触发电流
II
III
IV
峰值通态电压
GATE非触发电压
保持电流
热阻
断态电压临界上升率
断态电压临界上升率
在换向
V
TM
V
GD
I
H
R
日（J -C ）
dv / dt的
（ dv / dt的）C
I
TM
= 25 A
V
D
=额定， TC = 125°C
V
D
= 12 V，I
TM
= 1 A
结到外壳， AC
V
DRM
=额定，T
j
= 125°C
指数上升
V
DRM
= 400 V ，T
j
= 125°C
（ di / dt的）C =
8.7
A / MS
I
GT
V
D
= 12 V,
R
L
= 20
V
GT
V
D
= 12 V,
R
L
= 20
符号
I
DRM
测试条件
V
DRM
=额定
T2 （ + ） ，门（ + ）
T2（ +），门（ - ）
T 2 （ - ），门（ - ）
T 2 （ - ），门（+）
T2 （ + ） ，门（ + ）
T2（ +），门（ - ）
T 2 （ - ），门（ - ）
T 2 （ - ），门（+）
民
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
0.2
―
―
―
10
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
300
―
最大
20
1.5
1.5
1.5
―
30
30
30
―
1.5
―
50
1.8
―
―
V
V
mA
C / W
V / μs的
V / μs的
mA
V
单位
A
记号
* NUMBER
*1
TYPE
符号
M16GZ51
M16JZ51
标志
SM16GZ51
SM16JZ51
*2
例子
8A ： 1998年1月
8B ： 1998年2月
8L ： 1998年12月
2
2001-07-10
SM16GZ51,SM16JZ51
3
2001-07-10
SM16GZ51,SM16JZ51
4
2001-07-10
SM16GZ51,SM16JZ51
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
5
2001-07-10
SM16GZ51,SM16JZ51
东芝双向晶闸管硅平面型
SM16GZ51,SM16JZ51
AC电源控制应用
单位：mm
l
重复峰值断态电压
l
R.M.S通态电流
l
高整流（ dv / dt的）
l
隔离电压
: V
DRM
= 400, 600 V
: I
T（ RMS ）
=
16
A
（ dv / dt的）C =
10
V / μs的
: V
ISOL
=
1500
V AC
最大额定值
特征
重复峰值
断态电压
SM16GZ51
SM16JZ51
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
余吨
的di / dt
P
GM
P
G（ AV ）
V
GM
I
GM
T
j
T
英镑
V
ISOL
2
等级
400
600
16
150（ 50赫兹）
165 （ 60赫兹）
112.5
50
5
0.5
10
2
40~125
40~125
1500
单位
V
A
A
A S
A / μs的
W
W
V
A
°C
°C
V
2
R. M. S.导通电流泰特
（全正弦波TA = 82 ° C）
壹Cylce浪涌通态
电流（不重复）
余吨限值
崛起的导通状态的暴击率
当前
（注1 ）
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值栅极电压
栅极峰值电流
结温
存储温度范围
隔离电压（交流，吨= 1分钟）
2
JEDEC
JEITA
东芝
重量： 2.0克
―
―
1316A1A
注1 ： di / dt的测试条件
V
DRM
= 0.5 ×额定，我
TM
≤
25 A，T
gw
≥
10微秒，T
gr
≤
250纳秒，我
gp
= I
GT
× 2.0
1
2001-07-10
SM16GZ51,SM16JZ51
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
重复峰值断态电流
I
门极触发电压
II
III
IV
I
门极触发电流
II
III
IV
峰值通态电压
GATE非触发电压
保持电流
热阻
断态电压临界上升率
断态电压临界上升率
在换向
V
TM
V
GD
I
H
R
日（J -C ）
dv / dt的
（ dv / dt的）C
I
TM
= 25 A
V
D
=额定， TC = 125°C
V
D
= 12 V，I
TM
= 1 A
结到外壳， AC
V
DRM
=额定，T
j
= 125°C
指数上升
V
DRM
= 400 V ，T
j
= 125°C
（ di / dt的）C =
8.7
A / MS
I
GT
V
D
= 12 V,
R
L
= 20
V
GT
V
D
= 12 V,
R
L
= 20
符号
I
DRM
测试条件
V
DRM
=额定
T2 （ + ） ，门（ + ）
T2（ +），门（ - ）
T 2 （ - ），门（ - ）
T 2 （ - ），门（+）
T2 （ + ） ，门（ + ）
T2（ +），门（ - ）
T 2 （ - ），门（ - ）
T 2 （ - ），门（+）
民
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
0.2
―
―
―
10
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
300
―
最大
20
1.5
1.5
1.5
―
30
30
30
―
1.5
―
50
1.8
―
―
V
V
mA
C / W
V / μs的
V / μs的
mA
V
单位
A
记号
* NUMBER
*1
TYPE
符号
M16GZ51
M16JZ51
标志
SM16GZ51
SM16JZ51
*2
例子
8A ： 1998年1月
8B ： 1998年2月
8L ： 1998年12月
2
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SM16GZ51,SM16JZ51
3
2001-07-10
SM16GZ51,SM16JZ51
4
2001-07-10
SM16GZ51,SM16JZ51
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
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2001-07-10
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SVM7903CAB
SC87C451CGA68
SY100EL11VZC
SMTC1-1200H-10
S-1000N32-I4T1G
S-817B26AY-X
SC01500912
S-816A40AMC-BAPT2G
SD150N16MSC
SN761633RTAR
SN74LV06ADR
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SL23EP04SI-2H
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ST62T10CB3
SN75C3223EDB
SN54LS194AJ
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    SM16JZ51
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    -
    -
    -
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