半导体
SM1316-L
LED芯片
特点
1.6毫米（ L） ×为0.8mm（ W）小尺寸表面贴装型
薄型封装的0.55毫米（H ）厚度
透明清晰的光学镜头
低功耗型芯片LED
应用
LCD背光
键盘背光
符号背光
前面板指示灯
外形尺寸
单位：
mm
KSD-O8G021-001
1
SM1316-L
绝对最大额定值
特征
功耗
正向电流
*
1
最大正向电流
反向电压
工作温度范围
存储温度范围
(Ta=25
o
C)
符号
P
D
I
F
I
FP
V
R
T
OPR
T
英镑
等级
60
25
50
4
-2580
-30100
单位
mW
mA
mA
V
℃
℃
240 ℃ 10秒
*
2
焊接温度
T
SOL
* 1.Duty比= 1/16 ，脉冲宽度= 0.1毫秒
* 2 。推荐的回流焊接温度曲线
- 预热150 ℃至185 ℃ 120秒内焊接240 ℃10秒内
逐渐冷却（避免淬火）
温度（ ℃ ）
240
峰值温度最高。 240 ℃
预热区
150 185 ℃ ， 90 ± 30秒
185
150
最大。 3 ℃ /秒
最大。 4 ℃ /秒
从25 ℃达峰时间最高温度。 6分钟
0
60
150
180
240
时间（秒）
最大。 -6 ℃ /秒
最大。 10秒
焊锡区
220 ℃ ，最大。 60秒
25
电/光特性
特征
正向电压
*
3
发光强度
峰值波长
频谱带宽
反向电流
*
4
半角
θ1/2
(Ta=25
o
C)
符号
V
F
I
V
测试条件
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
V
R
=4V
民
2.0
4
558
-
-
-
-
典型值
-
-
561
30
-
±65
±70
最大
2.4
17
565
-
10
-
-
单位
V
MCD
nm
nm
uA
度
λ
P
λ
I
R
X
Y
I
F
= 20mA下
KSD-O8G021-001
2
SM1316-L
* 3 。发光强度最大容差为每个等级划分界限是
±18%
第I （试验结果
F
= 20mA下仅供参考）
*4.
θ
1/2
是离轴角，其中所述发光强度是
1/2
的峰强度
V
F
/ I
V
/
λ
P
等级分类（ TA = 25 ℃ ）
测试条件@ I
F
=20mA
正向电压[V]的
光强度[ MCD ]
E : 4~6
F : 6~10
2 : 2.2~2.4
G : 10~17
b : 561~565
峰波长[ nm]的
1 : 2.0~2.2
a : 558~561
（不要使用等级分类相结合。它必须单独使用等级分类）
KSD-O8G021-001
3
SM1316-L
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设备（办公室和通信设备，测量设备，家用
设备等）。
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在需要较高的质量和/或可靠性，设备和在设备，而
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5
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