SM12GZ47,SM12JZ47,SM12GZ47A,SM12JZ47A
东芝双向晶闸管硅平面型
SM12GZ47,SM12JZ47,SM12GZ47A,SM12JZ47A
AC电源控制应用
单位：mm
l
重复峰值断态电压
l
R.M.S通态电流
l
高整流（ dv / dt的）
l
隔离电压
: V
ISOL
=
1500V
AC
: V
DRM
= 400, 600V
: I
T（ RMS ）
=
12A
最大额定值
特征
重复峰值
断态电压和
重复峰值
反向电压
SM12GZ47
SM12GZ47A
SM12JZ47
SM12JZ47A
符号
等级
400
V
DRM
600
I
T（ RMS ）
I
TSM
余吨
的di / dt
P
GM
P
G（ AV ）
V
FGM
I
GM
T
j
T
英镑
V
ISOL
2
单位
V
R. M. S.导通电流泰特
（全正弦波TC = 72 ° C）
壹Cylce浪涌通态
电流（不重复）
余吨限值
对国家崛起的临界速度
当前
（注1 ）
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值栅极电压
栅极峰值电流
结温
存储温度范围
绝缘电压（ AC ，T = 1分。 ）
2
12
120 （ 50赫兹）
132 （ 60赫兹）
72
50
5
0.5
10
2
40~125
40~125
1500
A
A
A S
A / μs的
W
W
V
A
°C
°C
V
2
JEDEC
JEITA
东芝
重量：1.7g
―
―
1310H1A
注1 ： di / dt的测试条件
V
DRM
= 0.5 ×额定
I
TM
≤
17A
t
gw
≥
10s
t
gr
≤
250ns
i
gp
= I
GT
× 2.0
1
2001-07-10
SM12GZ47,SM12JZ47,SM12GZ47A,SM12JZ47A
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
重复峰值断态电流
I
门极触发电压
II
III
IV
I
SM12GZ47
SM12JZ47
门极触发
当前
SM12GZ47A
SM12JZ47A
II
III
IV
I
II
III
IV
峰值通态电压
GATE非触发电压
保持电流
热阻
临界速度
关国家的崛起
电压
临界速度
关国家的崛起
电压
换相
SM12GZ47
SM12JZ47
SM12GZ47A
SM12JZ47A
SM12GZ47
SM12JZ47
SM12GZ47A
SM12JZ47A
V
TM
V
GD
I
H
R
日（J -C ）
I
TM
= 17A
V
D
=额定， TC = 125°C
V
D
= 12V，我
TM
= 1A
结到外壳， AC
V
DRM
=额定，T
j
= 125°C
指数上升
I
GT
V
D
= 12V,
R
L
= 20
V
GT
V
D
= 12V,
R
L
= 20
符号
I
DRM
测试条件
V
DRM
=额定
T2 （ + ） ，门（ + ）
T2（ +），门（ - ）
T 2 （ - ），门（ - ）
T 2 （ - ），门（+）
T2 （ + ） ，门（ + ）
T2（ +），门（ - ）
T 2 （ - ），门（ - ）
T 2 （ - ），门（+）
T2 （ + ） ，门（ + ）
T2（ +），门（ - ）
T 2 （ - ），门（ - ）
T 2 （ - ），门（+）
民
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
0.2
―
―
―
―
10
4
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
300
200
―
―
最大
20
1.5
1.5
1.5
―
30
30
30
―
20
20
20
―
1.5
―
50
3.0
―
V / μs的
―
―
V / μs的
―
V
V
mA
C / W
mA
V
单位
A
dv / dt的
（ dv / dt的）C
V
DRM
= 400V ，T
j
= 125°C
（ di / dt的）C =
6.5A / MS
记号
* NUMBER
*1
*2
*3
符号
东芝产品标志
SM12GZ47 ， SM12GZ47A
TYPE
SM12JZ47 ， SM12JZ47A
SM12GZ47A ， SM12JZ47A
M12GZ47
M12JZ47
A
标志
*4
例子
8A ： 1998年1月
8B ： 1998年2月
8L ： 1998年12月
2
2001-07-10
SM12GZ47,SM12JZ47,SM12GZ47A,SM12JZ47A
3
2001-07-10
SM12GZ47,SM12JZ47,SM12GZ47A,SM12JZ47A
4
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SM12GZ47,SM12JZ47,SM12GZ47A,SM12JZ47A
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
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SM12GZ47,SM12JZ47,SM12GZ47A,SM12JZ47A
东芝双向晶闸管硅平面型
SM12GZ47,SM12JZ47,SM12GZ47A,SM12JZ47A
AC电源控制应用
单位：mm
l
重复峰值断态电压
l
R.M.S通态电流
l
高整流（ dv / dt的）
l
隔离电压
: V
ISOL
=
1500V
AC
: V
DRM
= 400, 600V
: I
T（ RMS ）
=
12A
最大额定值
特征
重复峰值
断态电压和
重复峰值
反向电压
SM12GZ47
SM12GZ47A
SM12JZ47
SM12JZ47A
符号
等级
400
V
DRM
600
I
T（ RMS ）
I
TSM
余吨
的di / dt
P
GM
P
G（ AV ）
V
FGM
I
GM
T
j
T
英镑
V
ISOL
2
单位
V
R. M. S.导通电流泰特
（全正弦波TC = 72 ° C）
壹Cylce浪涌通态
电流（不重复）
余吨限值
对国家崛起的临界速度
当前
（注1 ）
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值栅极电压
栅极峰值电流
结温
存储温度范围
绝缘电压（ AC ，T = 1分。 ）
2
12
120 （ 50赫兹）
132 （ 60赫兹）
72
50
5
0.5
10
2
40~125
40~125
1500
A
A
A S
A / μs的
W
W
V
A
°C
°C
V
2
JEDEC
JEITA
东芝
重量：1.7g
―
―
1310H1A
注1 ： di / dt的测试条件
V
DRM
= 0.5 ×额定
I
TM
≤
17A
t
gw
≥
10s
t
gr
≤
250ns
i
gp
= I
GT
× 2.0
1
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SM12GZ47,SM12JZ47,SM12GZ47A,SM12JZ47A
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
重复峰值断态电流
I
门极触发电压
II
III
IV
I
SM12GZ47
SM12JZ47
门极触发
当前
SM12GZ47A
SM12JZ47A
II
III
IV
I
II
III
IV
峰值通态电压
GATE非触发电压
保持电流
热阻
临界速度
关国家的崛起
电压
临界速度
关国家的崛起
电压
换相
SM12GZ47
SM12JZ47
SM12GZ47A
SM12JZ47A
SM12GZ47
SM12JZ47
SM12GZ47A
SM12JZ47A
V
TM
V
GD
I
H
R
日（J -C ）
I
TM
= 17A
V
D
=额定， TC = 125°C
V
D
= 12V，我
TM
= 1A
结到外壳， AC
V
DRM
=额定，T
j
= 125°C
指数上升
I
GT
V
D
= 12V,
R
L
= 20
V
GT
V
D
= 12V,
R
L
= 20
符号
I
DRM
测试条件
V
DRM
=额定
T2 （ + ） ，门（ + ）
T2（ +），门（ - ）
T 2 （ - ），门（ - ）
T 2 （ - ），门（+）
T2 （ + ） ，门（ + ）
T2（ +），门（ - ）
T 2 （ - ），门（ - ）
T 2 （ - ），门（+）
T2 （ + ） ，门（ + ）
T2（ +），门（ - ）
T 2 （ - ），门（ - ）
T 2 （ - ），门（+）
民
―
―
―
―
―
―
―
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0.2
―
―
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10
4
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
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―
―
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―
―
―
300
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最大
20
1.5
1.5
1.5
―
30
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30
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20
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V / μs的
―
―
V / μs的
―
V
V
mA
C / W
mA
V
单位
A
dv / dt的
（ dv / dt的）C
V
DRM
= 400V ，T
j
= 125°C
（ di / dt的）C =
6.5A / MS
记号
* NUMBER
*1
*2
*3
符号
东芝产品标志
SM12GZ47 ， SM12GZ47A
TYPE
SM12JZ47 ， SM12JZ47A
SM12GZ47A ， SM12JZ47A
M12GZ47
M12JZ47
A
标志
*4
例子
8A ： 1998年1月
8B ： 1998年2月
8L ： 1998年12月
2
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SM12GZ47,SM12JZ47,SM12GZ47A,SM12JZ47A
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SM12GZ47,SM12JZ47,SM12GZ47A,SM12JZ47A
4
2001-07-10
SM12GZ47,SM12JZ47,SM12GZ47A,SM12JZ47A
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
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