SLVU2.8K
单向TVSarray
斯科茨代尔区划
产品预览
描述
Microsemi的专有齐纳工艺提供了低对峙电压和
最低的待机电流在0.1μA的行业。
这3针单向阵列
设计用于在应用程序中使用，其中保护是需要在董事会层面
免受静电放电（ ESD）电压瞬变通过IEC的定义
符合IEC 61000-4-4和61000-4-2的影响，电快速瞬变（ EFT ）
二次照明。
该产品是专为在单向模式1提供保护
如在（图1 ）中定义的线。在反并联配置的两个设备将提供
所限定（图2）低电容双向保护和低电容
如（图3 ）中所定义的双向一行差分线对的保护。
这些瞬态电压抑制器（ TVS ）二极管阵列保护2.8伏
组件如DRAM的SRAM的CMOS ， HCMOS ， HSIC和低电压
接口。由于物理尺寸，重量和保护能力的，这
产品非常适合于使用但不限于小型化的电子设备，例如
作为手持仪器仪表，计算机，计算机外围设备和手机等
PDA的。
特点
2.8保护电压分量
保护1单向线对地
单向单线电容5.0 pF的
低漏电0.1 μA
T·V·S阵列
性S E R I （E S）
W W W .
Microsemi的
.
COM
应用
§
EIA- RS232的数据传输速率
19.6kbs
§
EIA- RS422的数据传输速率
10Mbs
§
EIA- RS423的数据传输速率
100kbs
§
200 MHz的最大
包装
每EIA标准481磁带&卷轴
每7英寸卷筒3000件
最大额定值
工作温度： -55 ° C至+ 150°C
存储温度： -55°C至+ 150°C
峰值脉冲电流24安培8/20微秒
（图2）
机械
成型SOT23表面贴装
重0.014克（近似值）
车身标有设备编号
每行的电气特性@ 25 ° C除非另有说明
反向
对峙
电压
V
WM
销3比1或
引脚2比1
伏
最大
2.8
PUNCH-
通过
电压
V
PT
I
PT
= 2A
引脚3比1
伏
民
3.0
SNAP-回
电压
V
SB
I
SB
= 50毫安
引脚3比1
伏
民
2.8
夹紧
电压
V
C
@ 2安培
引脚3比1
伏
最大
3.9
夹紧
电压
V
C
@ 5安培
引脚3比1
伏
最大
7.0
夹紧
电压
V
C
@ 24安培
引脚3比1
伏
最大
12.5
夹紧
电压
V
C
@ 2安培
引脚2比1
伏
最大
5.5
部分
数
设备
记号
SLVU2.8K
SLVU2.8K
U2.8
夹紧
电压
V
C
@ 5安培
引脚2比1
伏
最大
8.5
夹紧
电压
V
C
@ 24安培
引脚2比1
伏
最大
15
待机
（泄漏）
电容
当前
中（f = 1 MHz）的
I
D
@0V
V
WM
= 2.8V
C
中T = 25℃
引脚3比1 & 2
销3为1或2：1
A
pF
最大
典型值
0.1
50
电容
中（f = 1 MHz）的
@0V
C
销2比1 （3
北卡罗来纳州）
pF
典型值
5.0
反向
击穿
V
BR
@I
T
= 10A
引脚3 2
伏
民
40
反向漏
当前
I
RD
@
V
WM
= 2.8V
中T = 25℃
引脚3 2
A
最大
0.1
正向电压
I
F
= 1A ， TP = 120微秒
针2 3
伏
最大
2
“电气特性控向二极管”
版权
2001
MSC1708.PDF 02-08 2001年版本G
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
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产品预览
W W W .
Microsemi的
.
COM
S y时M B 0 1 S & D E F I N I T I O NS
符号
V
WM
V
PT
V
SB
V
C
I
D
C
德网络nition
额定关断电压：可施加在整个工作温度范围内的最大直流电压。 VWM
必须被选择为等于或大于要被保护的线路的工作电压
冲流通电压：最小电压的器件将呈现在指定的电流
搭扣回到电压：最小阶跃恢复电压的器件将呈现在指定的电流
钳位电压：在TVS器件的最大钳位电压时，在承受一定的电流
20脉冲时间
s.
WM 。
电容：限定@ 0伏以1MHz的频率和在微微法拉所述的TVS的电容。
图的
PPP峰值脉冲功率（kW ）
10000
8/20 μs的脉冲400W
1000
100
10
100ns
1s
10s
100s
1ms
10ms
图2
脉冲波形
图1
峰值脉冲功率与脉冲时间
包装和原理图
图的包装
数据
版权
2001
MSC1708.PDF 02-08 2001年版本G
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
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.
COM
应用笔记
注：根据其关断电压V瞬态电压抑制器（ TVS ）产品通常选择
WM
。产品
选择的电压应该等于或大于电路的连续峰值工作电压进行保护。
所有的电子设备都容易受到ESD ， EFT和雷电产生的干扰破坏。同
考虑到这一点的SLUV2.8K旨在提供部分保护的水平，达到或超过
IEC标准61000-4-2和61000-4-4加上感应雷电的中等水平。这个装置可以用于
为保护在一个单向线路，一个共模双向线路或一个差分线对。
下面的描述中定义的产品配置的品种。
单向一行
对于单向保护销3必须连接到受保护的
线和引脚1和2接地。负载电容为这个
构是不超过50的粉煤最大。当积极的瞬态
上线的TVS二极管将得到扭转偏置，这样就取
威胁从引脚3接地，钳位电压在额定V
C
of
该设备。如果发生不利的瞬间的威胁是通过处理
内部二极管和被钳制在二极管的正向电压降。
双向一个共模线
对于共模双向保护，两个设备都在使用反
并行配置。元件（D1）的引脚1连接到受保护的线路
和第2脚接地。设备（ D2），销2被连接到被保护线路
和1脚接地。负载电容为这个配置是5 PF
最大限度地为每个设备（ 10 pF的总和。如果正瞬态感受到的
线， TVS二极管（ D2）将得到扭转偏置，这样就采取威胁
从线到地夹紧处的电压额定钳位电压（V
C
)
该装置。如果负瞬态感觉到就行了，在TVS二极管D1
将得到扭转偏置，这样就采取从线到地面的威胁，
钳位电压在额定钳位电压V
C
该装置。
双向一个差分线对
一个差分线对的双向保护需要两个设备
连接在一个反平行构型。设备（ D1 ）的引脚1连接到
线1和引脚2到线路2的设备（ D2）的引脚2连接于第1行和销
1至2线在负瞬变， D1将进行从引脚2到引脚1 。
在积极的瞬态D2将从2脚传导到销1.装载
电容为这个双向配置为不超过10 pF的
最大。
科幻gure 3
电容为10pF
图1
电容为50 pF
图2
电容为10pF
应用
版权
2001
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斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
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