EPD TVS 二极管
ESD和闩锁保护
保护产品
描述
该SLV系列瞬态电压抑制器是
国家的最先进的设计，以保护低压， CMOS
从半导体瞬变引起的电 -
静电放电（ESD） ，电缆放电事件（CDE） ，
雷电等引起的电压浪涌。
该器件采用Semtech的propri-构建
etary EPD制程技术。环保署过程亲
国际志愿组织的低电压对峙与显著降低
在漏电流和电容超过硅
雪崩二极管的过程。该SLVE2.8 & SLVG2.8
是采用SOT- 143封装并具有低的2.8V与工作
ING电压。它们可用于保护一行中
差分或共模。 “流得来速”的设计
最大限度地减少引线电感，并减少电压
过冲与ESD事件有关。
该SLV是专门设计用来保护低电压
组分，例如以太网收发器，激光
二极管，ASIC及高速RAM 。低钳位
在SLV的电压亲最大限度地减少压力
tected IC 。
该SLV系列TVS二极管将超过浪涌重
IEC 61000-4-2的quirements ， 4级。
SLVE2.8 & SLVG2.8
特点
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300瓦特峰值脉冲功率（ TP = 8 /20μS ）
!
用于低电压的数据线，以瞬态保护
IEC 61000-4-2 （ ESD ） 15千伏（空气） ，具有8kV（接触）
IEC 61000-4-4 （ EFT ） 40A （ TP = 5 / 50ns的）
IEC 61000-4-5 （闪电） 24A （ TP = 8 /20μS ）
保护一行
全面的引脚输出，便于电路板布局
低电容
低漏电流
低操作和钳位电压
固态EPD TVS工艺技术
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机械特性
JEDEC SOT- 143封装
模塑料FL可燃性等级：UL 94V- 0
标识：标识代码
包装：磁带和卷轴每EIA 481
应用
ESD和闩锁保护
模拟输入
WAN / LAN设备
低电压ASIC的
台式机，服务器，笔记本电脑&掌上电脑
便携式仪表
基站
激光二极管保护
示意图&引脚CON组fi guration
示意图&引脚CON组fi guration
4
1
1
4
2
3
2
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SLVG2.8 （顶视图）
修订2001年1月18日
1
SLVE2.8 （顶视图）
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SLVE2.8 & SLVG2.8
保护产品
应用信息
设备连接
电子设备容易受到瞬时扰动
从各种来源获得，包括bances ：静电放电到
开放式接口或接口，直接或附近的雷电
罢工电缆和电线，并被控电缆“热
插入“到I / O端口。该SLV系列的设计
防止损坏和闩敏感元件
向上这可能是由于这样的瞬态事件。该
SLVG2.8的目的是保护一个单向行
而SLVE2.8旨在保护一条双向
tional线（或两个差分线）。对于选项
连接装置如下：
＆ QUOT ;
电路图
4
1
1
4
2
SLVG2.8
3
2
3
＆ QUOT ;
SLVE2.8 ：
共模保护1双向的
方面的资料线通过连接数据取得
线路输入/在针脚2和3引脚1和4输出
连接到地。对于差动保护，
销1 & 4可以连接到第二个I / O线。
为获得最佳结果，接地连接应
直接向电路板上的接地平面。该
路径长度应保持尽可能的短，以
减小寄生电感。
SLVG2.8 ：
共模保护1 unidi-的
rectional线由线连接到实现
在引脚保护2 & 3.引脚1 & 4顷CON-
连接至接地。为获得最佳效果，地面
连接应直接到地面
飞机在黑板上。该路径长度应该
保持尽可能的短，以减少寄生
电感。
SLVE2.8
共模保护（ SLVE2.8 & SLVG2.8 ）
4
1
LINE
In
2
3
LINE
OUT
对于Suppres-电路板布局建议
锡永的ESD 。
良好的电路板布局的关键压制
静电放电引起的瞬变。下面的准则
推荐：
＆ QUOT ;
放置TVS靠近输入端子或连接
器来限制瞬态耦合。
＆ QUOT ;
尽量减少电视和之间的路径长度
保护线路。
＆ QUOT ;
最小化所有导电回路包括电源和
接地环路。
＆ QUOT ;
该ESD瞬变接地回路应
保持尽可能地短。
＆ QUOT ;
不要运行近板边缘的关键信号。
＆ QUOT ;
使用地平面尽可能。
差模保护（ SLVE2.8只）
1号线
In
4
1
1号线
OUT
2号线
In
2
3
2号线
OUT
2001年升特公司
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SLVE2.8 & SLVG2.8
保护产品
应用信息
（续）
EPD TVS
特征
I
PP
该SLV系列是采用Semtech的propri-构建
etary EPD技术。环保署TVS的结构
极大地不同于传统的pn结器件。
在5V以下，高的漏电流和结电压
电容使传统的雪崩技术
不实用于大多数应用。然而，通过利用
环保署技术， SLVE2.8 & SLVG2.8可以
在2.8V有效地运作，同时保持出色
电气特性。
环保署TVS在采用了复杂的nppn结构
相反的pn结构传统通常发现
tional硅雪崩TVS二极管。环保署机器人，
NISM由工程中心区域实现
这样，反向偏置结做在设备
没有雪崩，但“穿通”发送conduct-
荷兰国际集团的状态。与supe-设备这种结构的结果
在低电压时rior直流电气参数
保持吸收能力的高瞬态
电流。
环保署器件的IV特性曲线如图
在图1的装置，表现出高阻抗
到电路到工作电压（V
RWM
） 。在一
瞬态事件，则设备将开始导通，因为它是
施力方向相反。当punch-
通过电压（V
PT
）被超过，设备进入
低阻抗状态时，转向瞬态电流
离的保护电路。当该装置是
传导电流，这将显示出轻微的“阶跃恢复”或
负阻特性，由于其结构。
这必须在连接设备时，应考虑
到电源轨。返回到非导通
状态时，电流通过该装置必须低于
卡扣反向电流（约< 50毫安） 。
I
SB
I
PT
V
BRR
I
R
V
RWM
V
SB
V
PT
V
C
I
BRR
EPD TVS VI特性曲线
2001年升特公司
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