产品说明
斯坦福Microdevices的SLN - 286是一款高性能
砷化镓异质结双极型晶体管的MMIC
容纳在一个低成本表面安装塑料封装中。一
达林顿配置用于宽带性能
从DC - 3.5 GHz的。
在SLN -286只需要2隔直流电容器和一个
偏置电阻器进行操作。噪声系数可以通过优化
使用2-元素匹配的输入，以产生<2.0分贝噪声
图。
这50欧姆低噪声放大器只需要一个电源电压和
仅消耗5毫安。对于宽带应用，它可以是
偏置在4毫安与噪声系数和增益的影响最小。
在SLN - 286在磁带和卷轴可在1000， 3000和
每卷5000设备。
SLN-286
DC - 3.5 GHz的， 3Volt
50欧姆的低噪声放大器MMIC放大器
噪声系数与频率的关系
2.5
4毫安
2
产品特点
专利技术，可靠的GaAs HBT技术
低噪声系数： 1.7分贝从0.1到1.5 GHz的
关联度高增益：27 dB典型值。在2.0 GHz的
真正的50欧姆MMIC ：无需外部匹配
需要
低电流消耗：仅有5毫安3V
低噪声MMIC产品
dB
1.5
5毫安
低成本表面贴装塑料封装
1
0.1
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
GHz的
应用
AMPS ， PCS ， DECT ，手机
三频&宽带接收器
在大电气规格= 25℃
S YM BOL
P一R A M E TE R 5 ：率T e S T C 0 N D我TIO N s个
加利其
M IN 。
TY页。
M AX 。
NF
50 OHM
S
21
VSW
NF
50 OHM
S
21
VSW
N}÷为e F IG ü E在5 0 O小时分钟S：
V·D S = 3 0.0 V，编号S = 5m的
5 0 O小时分钟G A在
:
V·D S = 3 0.0 V，编号S = 5m的
5 0 O小时分钟M A T C H（在P U被T A N D O u那样TP ü T）
:
V·D S = 3 0.0 V，编号S = 5m的
N}÷为e F IG ü E在5 0 O小时分钟S：
V·D S = 2.8 V，编号S = 4μm的
5 0 O小时分钟G A在
:
V·D S = 2.8 V，编号S = 4μm的
5 0 O小时分钟M A T C H（在P U被T A N D O u那样TP ü T）
:
V·D S = 2.8 V，编号S = 4μm的
本安输出P owerat 1天BC ompress IO
:
F = D C -3 0.5摹
牛逼 IR D 2 O R D所è R I T E R C ê P吨P 2 O在T
:
F = D C -3 0.5摹
F = D C -1 0.5摹
F = 1 。 5 - 3 0.5摹
F = D C -1 0.5摹
F = 1 。 5 - 3 0.5摹
F = D C -1 0.5摹
F = 1 。 5 - 3 0.5摹
F = D C -1 0.5摹
F = 1 。 5 - 3 0.5摹
F = D C -1 0.5摹
F = 1 。 5 - 3 0.5摹
F = D C -1 0.5摹
F = 1 。 5 - 3 0.5摹
V D = 3 0.0 V ，ID = 5m的
V D = 2.8 V， ID = 4微米的
V D = 3 0.0 V ，ID = 5m的
V D = 2.8 V， ID = 4微米的
dB
dB
dB
22
1 .7
2 .2
25
23
1 .8 :1
2 .5 :1
1 .9
2 .4
19
22
20
1 .4 :1
2 .0 :1
-1 2
-1 4
+3
+1
2 .1
-
dB
dB
dB
2 .3
-
DBM
DBM
DBM
P
1dB
IP
3
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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4-21
SLN -286 DC- 3.5 GHz的MMIC LNA放大器
25典型性能
°
C（ VDS = 3.0V ， IDS = 5毫安）
| S11 |与频率的关系
0
-5
30
5毫安
25
| S21 |与频率的关系
dB
-10
-15
-20
0.1
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
dB
20
4毫安
15
10
0.1
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
GHz的
GHz的
| S12 |与频率的关系
0
-10
0
-5
-10
| S22 |与频率的关系
dB
-20
-30
-40
0.1
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
dB
-15
-20
-25
-30
0.1
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
低噪声MMIC产品
频率摹
.1 0 0
.2 5 0
.5 0 0
1 .0 0
1 .5 0
2 .0 0
2 .5 0
3 .0 0
3 .5 0
4 .0 0
GHz的
GHz的
电源输出& TOIP与频率的关系
12
8
4
0
TOIP
dB
-4
-8
-12
-16
-20
噘
0.1
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
GHz的
典型的S参数VDS = 3.0V ，IDS = 5毫安
|S 11 |
S11中A N克
|S 2 1 |
S21中NG
|S 1 2 |
S12一NG
|S 2 2 |
S22一NG
0 .0 7 4
0 .0 8 3
0 .0 7 9
0 .1 7 8
0 .2 9 0
0 .3 7 2
0 .4 2 7
0 .4 3 7
0 .4 1 4
0 .3 9 3
-1 2 4
-11 3
-9 8
-1 6 8
89
22
-4 7
-11 7
180
126
11 .0 2
11 .1 2
11 .4 5
1 2 .4 9
1 2 .6 8
1 2 .9 1
11 .0 2
9 .2 2
7 .4 5
5 .5 3
-4
-8
-4 7
-1 0 0
-1 6 0
140
73
18
-3 8
-8 4
.0 3 9
.0 3 3
.0 3 2
.0 3 5
.0 3 3
.0 3 7
.0 4 0
.0 4 5
.0 5 1
.0 5 3
13
9
-1 7
-3 4
-5 1
80
-1 0 3
-1 3 4
-1 5 8
177
.2 0 1
.2 1 5
.2 1 0
.1 5 3
.0 3 8
.1 3 3
.2 5 5
.3 5 0
.3 6 5
.3 7 7
-5 0
-2 6
-4 8
-1 0 9
-1 7 5
-6 0
-1 4 5
141
-7 9
23
（ S参数包括两个1.0密耳直径的键合线的影响，每30密耳长，连接到栅和漏焊盘上模）
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4-22
SLN -286 DC- 3.5 GHz的MMIC LNA放大器
绝对最大额定值
P A R A M ETE
A B S 0路TE
米XIM ü米
产品型号订购信息
产品型号
设备每卷
带尺寸
SLN-286-TR1
D E VIC式C urre新台币
宝宽E R D所issipa化
的R F在P UT宝瓦特儿
菊 ctionテ米P·EラTURE
P·Eラ锡克テ米P·Eラ恩重
申通快递RA克èテ米PE岭恩重
50mA
4 4 0米W
1 0 0米W
+2 0 0 C
-4 5 ℃ 8 5℃
5 -6 ℃ 1 5 0℃
SLN-286-TR2
SLN-286-TR3
1000
3000
5000
7"
13"
13"
注意事项：
上述中的任一项1.操作此装置的
这些参数可能会导致
永久性损坏。
供应
电压（Vs）
Rbias两端（欧姆）
RECOM谁料偏置电阻值
3.3V
60
5V
400
7.5V
900
9V
1200
12V
1800
15V
2400
20V
3400
3.3
器件的引脚
低噪声MMIC产品
针
1
2
功能
RF输入
地
RF输出
和偏置
地
3.0
3
4
典型的偏置CON组fi guration
设备概述
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4-23
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