SLE 4432/40/41/42数据表扩展
修订历史：
以前的版本：
页面
科目（自上次调整变化）
原始版本09.98
重要提示：
欲了解更多信息，请联系：
西门子半导体集团在德国慕尼黑，
安全&芯片卡IC ，
传真+49 89 636-22360
此组件的供应不包括其在智能使用许可
卡应用。此许可证是由于INNOVATRON专利
137塞瓦斯托波尔大道， 75002巴黎，法国，传真+33 1 4013 3909
发布时间由西门子公司， Bereich Halbleiter ， HL CC组的应用
Balanstr 。 73 ， D- 81541慕尼黑
西门子股份公司1998年版权所有。
请注意！
至于第三方专利或其他权利而言，只有承担责任的组件，而不是为
应用程序，进程和部件或组件内实现的电路。
这些信息描述了组件的类型，不得被视为保证的特点。
交货条件和权利，改变设计保留。
有关技术，交付和价格的问题，请联系在德国或半导体集团总部
西门子公司的代表和世界各地（地址列表） 。
由于技术要求组件可能含有危险物质。有关的各类信息
问题，请联系您就近的西门子办公室，半导体集团。
西门子AG是经过批准的CECC制造商。
填料
请使用回收经营者知道你。我们还可以帮助您 - 取得联系您最近的销售办事处。
通过合作，我们将采取包装材料的背面，如果是排序。你必须承担的运输成本。
包装被退还给我们无序或我们没有义务接受材料，我们必须要发票你
所发生的任何费用。
在生命支持设备或系统使用的组件必须明确授权这样的目的！
关键组件
1)
西门子半导体集团的，只能用于生命支持设备一起使用，或
系统
2)
与西门子公司的半导体集团的明确书面批准。
1 ）关键部件是在生命支持设备或系统，其故障可以合理使用的组件
预期造成生命支持设备或系统的故障，或者影响其安全性或有效性
设备或系统。
2）寿命支持设备或系统的目的是（a）至被植入人体，或（b） ，以支持和/或
维护和维持人类的生命。如果他们失败了，这是合理的假设使用者的健康可能是
濒临灭绝。
SLE 4432
SLE 4442
SLE 4440
SLE 4441
智能256字节的EEPROM，带有写保护功能
智能256字节的EEPROM，带有写保护功能
和可编程安全码（ PSC ）
特点
SLE 4432
SLE 4442
256 ×8位EEPROM组织
按字节寻址
最低的32个地址不可逆字节方式保护
（字节0 ... 31 ）
保护存储32× 1位的机构
两线连接协议
处理完表示，在数据输出
环境温度T
A
-35... +80°C
电源电压5 V
5
/ +10 %
电源电流< 10毫安
EEPROM的编程时间5毫秒
ESD保护典型的4000 V
耐力最低10
5
写/擦除周期/位
1)
数据保存至少10年
1)
联系方式配置，并答到复位（同步传输） ，根据
ISO标准7816
M3
SLE 4442的附加功能
数据只能正确的3字节可编程安全码输入后更改
TYPE
SLE 4432 M3
SLE 4432
SLE 4442 M3
SLE 4442
订购代码封装
根据要求
根据要求
根据要求
根据要求
引线键合模块M3
芯片
引线键合模块M3
芯片
1)
值
依赖于温度，以获取更多信息，请参阅您的西门子销售办事处。
半导体集团
3
数据表拓09.98
SLE 4432
SLE 4442
SLE 4440
SLE 4441
聪明的64字节EEPROM，带有写保护功能
和可编程安全码（ PSC ）
智能128字节的EEPROM，带有写保护功能
和可编程安全码（ PSC ）
64× 8位EEPROM组织（ SLE 4440 ）
128 ×8位EEPROM组织（ SLE 4441 ）
按字节寻址
最低的32个地址不可逆字节方式保护
（字节0 ... 31 ）
保护存储32× 1位的机构
两线连接协议
处理完表示，在数据输出
环境温度T
A
-35... +80°C
电源电压5 V
5
/ +10 %
电源电流< 10毫安
EEPROM的编程时间5毫秒
ESD保护典型的4000 V
耐力最低10
5
写/擦除周期/位
1)
M3
SLE 4440
SLE 4441
数据保存至少10年
1)
联系方式配置，并答到复位（同步传输） ，根据
ISO标准7816
数据只能正确的3字节可编程安全码输入后更改
TYPE
SLE 4440 M3
SLE 4440
SLE 4441 M3
SLE 4441
订购代码封装
根据要求
根据要求
根据要求
根据要求
引线键合模块M3
芯片
引线键合模块M3
芯片
1)
值
依赖于温度，以获取更多信息，请参阅您的西门子销售办事处。
半导体集团
4
数据表拓09.98
SLE 4432
SLE 4442
SLE 4440
SLE 4441
介绍
本文档描述的数据表07.95的变化和扩展
SLE 4432 / SLE 4442.该数据表07.95的所有信息也适用于SLE 4440和
SLE 4441 （如业务信息），除了本文档中提及的数据。
详细的下列项目添加或更改
内存大小SLE 4440
内存大小SLE 4441
环境温度T
A
–35°C…+80°C
ESD保护分钟。 1500 V ，典型的4000 V
耐力最低100000写入/擦除周期/位
包装：模块M3
编码信息
尤其是传输协议（2线）和命令是对所有芯片完全兼容
类型。
1.
存储器概述
该内存的组织形式
主内存
of
64字节的SLE 4440
128字节为SLE 4441
256字节为SLE 4432和4442 SLE
每个区的前32个字节的主存储器，可以不可逆地保护，以防止数据变化
通过写入对应的位
内存保护
（32位） 。依赖的状态
保护位的存储器是只读（ROM）或可擦除和写入再次（ EEPROM）中。
变化的厂商代码是唯一可能由芯片制造商。
改变主内存的数据并写入了一下保护内存是唯一可能
后的一个正确的验证
可编程安全码
（PSC）对SLE 4440 ，SLE 4441
与SLE 4442 。
半导体集团
5
数据表拓09.98
QQ：2881677436 复制
