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超高功率阵列式红外激光二极管
实现了40瓦光输出功率
SLD432S
你知道吗,超高功率的红外激光二极管中使用
焊接设备和用于修剪光掩膜设备?
这些超高功率的红外激光二极管现在的高可靠性
能力来响应这个进展的工业设备的需求。
索尼继续推增加的功率和改进的极限
可靠性在支持这些发展的激光二极管。
索尼公司已经开发出了SLD432S 40瓦的光功率输出
阵列的激光二极管,具有两个高功率和为所述能力
在广泛的应用中使用。
s
s
s
s
发射波长: 808
±3
nm
额定光输出功率: 40瓦, CW
手术
高可靠性
低工作电流
超高功率
激光二极管阵列
超高功率发展
激光二极管开始跟单条纹
类型的设备。一维线性
阵列激光器的开发是为了响应
对于需要更高的功率水平
超高功率的红外激光二极管。这
阵列激光二极管的概念是一个技术
可应用时的可靠性和
其他特征的单条带的
超高功率激光二极管技术
已经达到一个较高的水平。该技
术,允许在SLD344YT等
单条型激光二极管产品
达到6 W输出电平成为了
为阵列的技术基础LA-
SER二极管。
高可靠性超高
功率激光二极管
本次发布的SLD432S有struc-
TURE其中33发射器100
m
宽度排列成一维
如图2 ,以允许线性阵列
设备来实现的光功率
的40瓦的输出(参见图1和表1)。
该设备使用同一个包中
20瓦SLD431S阵列激光二极管,从而允许
荷兰国际集团用户设计的,其中激光设备
可以很容易地更换。 (见图3 )的
埋电流限制结构是
在该器件结构人员开发时使用
展中该设备中,并且因此该装置
支持使用低工作电流
的水平。索尼成功地实现了一
激光束的辐射角度(在垂直
方向)比超窄
阵列的激光二极管具有其他struc-
Tures的通过优化激光器结构。在
焊工和使用该应用程序的其他
产物,该辐射角意味着
损失是难以发生的激光时
束聚焦在YAG晶体,并
使得能够提供足够的马歇尔
杜松子酒的光学设计。充分考虑
被赋予实现的稳定性和
质量和可靠性的均匀性,以便
强烈期望在工业应用中。
支持波长
选择
虽然这种装置采用了808
±3
nm
波长所需的YAG激
作为一般的应用,索尼可以提供
其它红外波长如果需要的话。
V
O
I
C
E
阵列红外的发展
激光二极管,使用在AlGaAs马
terial从激光二极管熟悉
在CD播放器和类似用
产品终于达到了
40 W.非常高的水平。我们
计划继续增加
功率电平与所述功能
采用这种材料的激光二极管,
这非常适合于卷
生产。索尼公司
看的前沿激光
二极管。
光电流
50
CW驱动
TC = 25°C
远场模式
1.0
CW驱动
TC = 25°C
宝= 40瓦
SPECTRUM
1.0
CW驱动
TC = 25°C
宝= 40瓦
40
0.8
θ⊥
0.8
宝[W]
30
0.6
θ//
0.6
20
0.4
0.4
10
0.2
0.2
0
0
15
30
IF [ A]
45
60
0.0
–40
–20
0
20
40
0.0
790
800
810
820
830
角[ °的
波长[nm]的
s
图1 SLD432S代表特征
s
表1 SLD432S主要特点
阈值电流
工作电流
P侧电极
工作电压
振荡波长
激光束
发光点
活性层
GaAs衬底
100
m
N侧电极
辐射
平行
连接点
垂直
要结
符号典型值
第i个
IOP
VOP
λp
θ
//
θ
ηD
13
50
1.9
808
8
度。
24
1.2
W / A
单位
A
V
nm
效率差
条件: TC = 25°C
宝= 40瓦CW @
s
图2 SLD432S芯片结构
M3
17.8
5.5
3 ,十字槽头
机螺钉( M2 )
2-φ3.2
LD ( - )
LD (+)
14
±0.2
5
20
±0.5
17
10
10
±0.2
15
24.9
±0.2
2
4.7
±0.1
LD芯片
6
7
8
9
(10.3)
2
φ2
depth4
(单位:毫米)
s
图3 SLD432S封装尺寸
SLD432S
40W阵列激光二极管
描述
该SLD432S是具有高功率激光二极管
阵列结构,实现了40W的高功率。
特点
高功率
推荐的光功率输出: PO = 40W
阵列结构
开包
应用
固态激光激发
结构
GaAlAs的量子阱结构的激光二极管
绝对最大额定值
( TC = 25 ° C)
光功率输出
Pomax
44
反向电压
V
R
LD
2
初步
M-S006
W
V
工作寿命
平均无故障时间10,000小时(有效值)宝= 20W , TC = 25℃
此保修期应为收到的产品或1,000小时的运行时间为准后90天
shoter 。
索尼公司质量保证部应分析失败在上述保修期内的任何产品,如果
分析结果表明,该产品在索尼的部分失败,原因是材料或制造缺陷,
该产品应免费更换。
激光二极管自然有不同的生命周期而遵循Weibull分布。
索尼保留更改产品规格,恕不另行通知。本资料概不转让任何许可
任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路,如果有的话,是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
–1–
PE02441-PS
SLD432S
电气和光学特性
阈值电流
工作电流
工作电压
波长
波长光谱
宽度
辐射
阵地
准确性
垂直
并行
位置
符号
第i个
IOP
VOP
λp
λw
θ⊥
θ//
ΔX,ΔY
φ⊥
φ//
η
D
PO = 40W
PO = 40W
PO = 40W
PO = 40W
PO = 40W
PO = 40W ( FWHM )
PO = 40W
条件
( TC = 25℃ ,TC :外壳温度)
分钟。
805
典型值。
14
50
1.9
24
8
1.1
马克斯。
18
55
2.8
811
2.5
30
15
±300
±5
±4
单位
A
A
V
nm
nm
m
W / A
效率差
–2–
SLD432S
操作注意事项
注意不要使用本产品时,应考虑以下几点。
( 1 )本产品符合IEC60825-1下和JIS标准C6802 "Laser产品有4类产品
辐射安全Standards" 。
激光二极管
激光二极管
本产品符合21
CFR第1040.10和1040.11
激光辐射
避免眼睛或皮肤护理
直接或散射辐射
索尼公司
避免接触
激光辐射
从这个发射
光圈。
35年6月7日Kitashinagawa ,
品川-ku,东京
141-0001日本
最大输出
波长
OVER 1 W
600 - 950纳米
IV级激光产品
( 2 )眼睛防护激光束
小心不要让激光束进入任何情况下,你的眼睛。
观察激光束,始终使用阻断激光束护目镜。 IR范围, IR的用法
摄像机和荧光板还建议监测激光安全。
(3)砷化镓
本产品采用砷化镓(GaAs ) 。这不是正常的使用中的问题,但砷化镓蒸气可能
可能会损害人体。因此,从未粉碎,加热至最大储存温度
或更高,或将本产品放置在你的嘴。
此外,以下的处理方法是在废弃产品时推荐使用。
1.从事收集,运输和处理的中间认证的承包商的服务
含砷的项目。
2.到最终处置的特别管理产业废弃物是管理产品
从一般工业废弃物和生活垃圾分开处理。
(4 )防止浪涌电流和静电放电的
激光二极管是最敏感的半导体中的静电放电。当一个大电流
过激光二极管,即使在极短的时间过去了,强烈的光从激光发射
二极管促进了激光二极管的劣化,然后销毁。因此,请注意浪涌电流
应该不会流到从交换机和其它的激光二极管的驱动电路。此外,如果在激光二极管被处理
不慎,它可以立刻因为静电放电是由人体内易于施加破坏。
因此,一定要非常小心,过电流和静电放电。
( 5 )用于特殊应用
本产品并非设计或根据情况下使用的设备制造中使用
失败可能对生命和肢体的危险,或者导致显著的物质损失,等等。
当调查用于医疗,汽车,核电控制咨询Sony销售代表
或其他特殊应用。此外,使用被设计该电源以不超过光功率
输出绝对最大额定值规定。
–3–
SLD432S
包装外形
单位:mm
M-S006
3 ,十字槽头
机械螺丝( M2 )
LD ( - )
2-φ3.2
LD (+)
M3
17.8
5.5
5
10 ± 0.2
15
24.9 ± 0.2
LD芯片
6
7
8
9
(10.3)
2
2
14 ± 0.2
10
20 ± 0.5
17
4.7 ± 0.1
φ2
DEPTH4
SONY CODE
EIAJ代码
JEDEC代码
M-S006
包装MASS
18.36g
–4–
索尼公司
SLD432S
40W阵列激光二极管
描述
该SLD432S是具有高功率激光二极管
阵列结构,实现了40W的高功率。
特点
高功率
推荐的光功率输出: PO = 40W
阵列结构
开包
应用
固态激光激发
结构
GaAlAs的量子阱结构的激光二极管
绝对最大额定值
( TC = 25 ° C)
光功率输出
Pomax
44
反向电压
V
R
LD
2
初步
M-S006
W
V
工作寿命
平均无故障时间10,000小时(有效值)宝= 20W , TC = 25℃
此保修期应为收到的产品或1,000小时的运行时间为准后90天
shoter 。
索尼公司质量保证部应分析失败在上述保修期内的任何产品,如果
分析结果表明,该产品在索尼的部分失败,原因是材料或制造缺陷,
该产品应免费更换。
激光二极管自然有不同的生命周期而遵循Weibull分布。
索尼保留更改产品规格,恕不另行通知。本资料概不转让任何许可
任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路,如果有的话,是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
–1–
PE02441-PS
SLD432S
电气和光学特性
阈值电流
工作电流
工作电压
波长
波长光谱
宽度
辐射
阵地
准确性
垂直
并行
位置
符号
第i个
IOP
VOP
λp
λw
θ⊥
θ//
ΔX,ΔY
φ⊥
φ//
η
D
PO = 40W
PO = 40W
PO = 40W
PO = 40W
PO = 40W
PO = 40W ( FWHM )
PO = 40W
条件
( TC = 25℃ ,TC :外壳温度)
分钟。
805
典型值。
14
50
1.9
24
8
1.1
马克斯。
18
55
2.8
811
2.5
30
15
±300
±5
±4
单位
A
A
V
nm
nm
m
W / A
效率差
–2–
SLD432S
操作注意事项
注意不要使用本产品时,应考虑以下几点。
( 1 )本产品符合IEC60825-1下和JIS标准C6802 "Laser产品有4类产品
辐射安全Standards" 。
激光二极管
激光二极管
本产品符合21
CFR第1040.10和1040.11
激光辐射
避免眼睛或皮肤护理
直接或散射辐射
索尼公司
避免接触
激光辐射
从这个发射
光圈。
35年6月7日Kitashinagawa ,
品川-ku,东京
141-0001日本
最大输出
波长
OVER 1 W
600 - 950纳米
IV级激光产品
( 2 )眼睛防护激光束
小心不要让激光束进入任何情况下,你的眼睛。
观察激光束,始终使用阻断激光束护目镜。 IR范围, IR的用法
摄像机和荧光板还建议监测激光安全。
(3)砷化镓
本产品采用砷化镓(GaAs ) 。这不是正常的使用中的问题,但砷化镓蒸气可能
可能会损害人体。因此,从未粉碎,加热至最大储存温度
或更高,或将本产品放置在你的嘴。
此外,以下的处理方法是在废弃产品时推荐使用。
1.从事收集,运输和处理的中间认证的承包商的服务
含砷的项目。
2.到最终处置的特别管理产业废弃物是管理产品
从一般工业废弃物和生活垃圾分开处理。
(4 )防止浪涌电流和静电放电的
激光二极管是最敏感的半导体中的静电放电。当一个大电流
过激光二极管,即使在极短的时间过去了,强烈的光从激光发射
二极管促进了激光二极管的劣化,然后销毁。因此,请注意浪涌电流
应该不会流到从交换机和其它的激光二极管的驱动电路。此外,如果在激光二极管被处理
不慎,它可以立刻因为静电放电是由人体内易于施加破坏。
因此,一定要非常小心,过电流和静电放电。
( 5 )用于特殊应用
本产品并非设计或根据情况下使用的设备制造中使用
失败可能对生命和肢体的危险,或者导致显著的物质损失,等等。
当调查用于医疗,汽车,核电控制咨询Sony销售代表
或其他特殊应用。此外,使用被设计该电源以不超过光功率
输出绝对最大额定值规定。
–3–
SLD432S
包装外形
单位:mm
M-S006
3 ,十字槽头
机械螺丝( M2 )
LD ( - )
2-φ3.2
LD (+)
M3
17.8
5.5
5
10 ± 0.2
15
24.9 ± 0.2
LD芯片
6
7
8
9
(10.3)
2
2
14 ± 0.2
10
20 ± 0.5
17
4.7 ± 0.1
φ2
DEPTH4
SONY CODE
EIAJ代码
JEDEC代码
M-S006
包装MASS
18.36g
–4–
索尼公司
超高功率阵列式红外激光二极管
实现了40瓦光输出功率
SLD432S
你知道吗,超高功率的红外激光二极管中使用
焊接设备和用于修剪光掩膜设备?
这些超高功率的红外激光二极管现在的高可靠性
能力来响应这个进展的工业设备的需求。
索尼继续推增加的功率和改进的极限
可靠性在支持这些发展的激光二极管。
索尼公司已经开发出了SLD432S 40瓦的光功率输出
阵列的激光二极管,具有两个高功率和为所述能力
在广泛的应用中使用。
s
s
s
s
发射波长: 808
±3
nm
额定光输出功率: 40瓦, CW
手术
高可靠性
低工作电流
超高功率
激光二极管阵列
超高功率发展
激光二极管开始跟单条纹
类型的设备。一维线性
阵列激光器的开发是为了响应
对于需要更高的功率水平
超高功率的红外激光二极管。这
阵列激光二极管的概念是一个技术
可应用时的可靠性和
其他特征的单条带的
超高功率激光二极管技术
已经达到一个较高的水平。该技
术,允许在SLD344YT等
单条型激光二极管产品
达到6 W输出电平成为了
为阵列的技术基础LA-
SER二极管。
高可靠性超高
功率激光二极管
本次发布的SLD432S有struc-
TURE其中33发射器100
m
宽度排列成一维
如图2 ,以允许线性阵列
设备来实现的光功率
的40瓦的输出(参见图1和表1)。
该设备使用同一个包中
20瓦SLD431S阵列激光二极管,从而允许
荷兰国际集团用户设计的,其中激光设备
可以很容易地更换。 (见图3 )的
埋电流限制结构是
在该器件结构人员开发时使用
展中该设备中,并且因此该装置
支持使用低工作电流
的水平。索尼成功地实现了一
激光束的辐射角度(在垂直
方向)比超窄
阵列的激光二极管具有其他struc-
Tures的通过优化激光器结构。在
焊工和使用该应用程序的其他
产物,该辐射角意味着
损失是难以发生的激光时
束聚焦在YAG晶体,并
使得能够提供足够的马歇尔
杜松子酒的光学设计。充分考虑
被赋予实现的稳定性和
质量和可靠性的均匀性,以便
强烈期望在工业应用中。
支持波长
选择
虽然这种装置采用了808
±3
nm
波长所需的YAG激
作为一般的应用,索尼可以提供
其它红外波长如果需要的话。
V
O
I
C
E
阵列红外的发展
激光二极管,使用在AlGaAs马
terial从激光二极管熟悉
在CD播放器和类似用
产品终于达到了
40 W.非常高的水平。我们
计划继续增加
功率电平与所述功能
采用这种材料的激光二极管,
这非常适合于卷
生产。索尼公司
看的前沿激光
二极管。
光电流
50
CW驱动
TC = 25°C
远场模式
1.0
CW驱动
TC = 25°C
宝= 40瓦
SPECTRUM
1.0
CW驱动
TC = 25°C
宝= 40瓦
40
0.8
θ⊥
0.8
宝[W]
30
0.6
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0.6
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0.4
0.4
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0.2
0.2
0
0
15
30
IF [ A]
45
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0.0
–40
–20
0
20
40
0.0
790
800
810
820
830
角[ °的
波长[nm]的
s
图1 SLD432S代表特征
s
表1 SLD432S主要特点
阈值电流
工作电流
P侧电极
工作电压
振荡波长
激光束
发光点
活性层
GaAs衬底
100
m
N侧电极
辐射
平行
连接点
垂直
要结
符号典型值
第i个
IOP
VOP
λp
θ
//
θ
ηD
13
50
1.9
808
8
度。
24
1.2
W / A
单位
A
V
nm
效率差
条件: TC = 25°C
宝= 40瓦CW @
s
图2 SLD432S芯片结构
M3
17.8
5.5
3 ,十字槽头
机螺钉( M2 )
2-φ3.2
LD ( - )
LD (+)
14
±0.2
5
20
±0.5
17
10
10
±0.2
15
24.9
±0.2
2
4.7
±0.1
LD芯片
6
7
8
9
(10.3)
2
φ2
depth4
(单位:毫米)
s
图3 SLD432S封装尺寸
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SLD432S
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:800888908 复制
    电话:755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

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    终端采购配单精选

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