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SLD322V

高功率密度0.5W激光二极管

描述

该SLD322V是通过MOCVD方法制造的高功率，增益波导激光二极管

。相比于

SLD300系列，该激光二极管具有高亮度输出具有双倍光密度可以是

通过QW -SCH结构来实现

MOCVD ：金属有机化学气相沉积

QW -SCH ：量子阱分别限制异质结

特点

高功率

推荐的光功率输出： PO = 0.5W

低工作电流： IOP = 0.75A （ PO = 0.5W ）

应用

固态激光激发

医疗用途

材料工艺

测量

结构

GaAlAs的量子阱结构的激光二极管

绝对最大额定值

（ TC = 25 ° C）

光功率输出

0.55

反向电压

工作温度（ Tc）的范围Topr

-10至+30

储存温度

引脚配置

TSTG

-40至+85

°C

1. LD阴极

2. PD阳极

3.常见

底部视图

索尼保留更改产品规格，恕不另行通知。本资料概不转让任何许可

任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路，如果有的话，是示出典型的实施例

该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。

–1–

E93205A81-PS

SLD322V

电气和光学特性

项

阈值电流

工作电流

工作电压

波长

电流监视器

辐射角

（ F. W· H· M。

)

定位精度

效率差

垂直

并行

位置

角

符号

第i个

IOP

VOP

λp

IMON

θ⊥

θ//

ΔX，ΔY

φ⊥

= 0.5W

= 10V

= 0.5W

790

0.15

条件

分钟。

（TC ：外壳温度， TC = 25 ° C）

典型值。

0.18

0.75

2.1

马克斯。

0.3

1.2

3.0

840

0.8

3.0

±50

±3

= 0.5W

0.5

0.9

单位

度

W / A

= 0.5W

F. W· H· M· ：半峰全宽

波长选择分类

TYPE

SLD322V-1

SLD322V-2

SLD322V-3

TYPE

SLD322V-21

SLD322V-24

SLD322V-25

波长（nm ）

795 ± 5

810 ± 10

830 ± 10

波长（nm ）

798 ± 3

807 ± 3

810 ± 3

操作注意事项

眼睛防护激光束

激光二极管的光输出的范围从

几毫瓦到3W 。然而光功率

激光束在二极管芯片密度

达到1MW /平方厘米

。与气体激光器，因为

激光二极管的光束是发散的，非平行

激光二极管的光束是相当安全的激光

二极管。观察激光束，通常使用

阻断红外线护目镜。用法

IR范围，红外摄像机和荧光板是

也推荐用于监控激光束

安全。

激光二极管

镜头

光纤

材料

安全护目镜

保护

激光束

红外荧光板

ATC

光学西非开发银行

光功率输出的控制装置

温度控制装置

–2–

SLD322V

代表特征的例子

光输出功率与正向电流特性

1000

= 0°C

宝 - 光功率输出[毫瓦]

800

= 0°C

600

= –10°C

= 30°C

400

= 25°C

宝 - 光功率输出[毫瓦]

500

= –10°C

= 30°C

光功率输出与监视器的电流特性

= 25°C

250

200

400

600

800

1000

0.5

亿盟 - 监控电流[mA ]

1.0

- 正向电流[mA ]

阈值电流与温度特性

1000

远场模式的权力依赖（平行于路口）

= 25°C

第i - 阈值电流[mA ]

500

辐射强度（可选刻度）

= 500mW的

= 400毫瓦

= 300mW的

= 200mW的

= 100mW的

100

–10

–90

–60

–30

TC - 外壳温度[° C]

角（°）

远场模式的权力依赖

（垂直于路口）

= 25°C

辐射强度（可选刻度）

远场模式的温度依赖性

（平行于路口）

= 500mW的

辐射强度（可选刻度）

–90

–60

–30

= 500mW的

= 400毫瓦

= 300mW的

= 200mW的

= 100mW的

= 25°C

= 10°C

= –5°C

–90

–60

–30

角（°）

–3–

SLD322V

远场模式的温度依赖性

（垂直于路口）

820

= 500mW的

辐射强度（可选刻度）

波长依赖性

宝= 500mW的

λp

- 波长[ nm]的

= 25°C

= 10°C

= –5°C

–60

–30

810

800

–90

790

–10

角（°）

TC - 外壳温度[° C]

微分效率与温度特性

- 微分效率[毫瓦/ MA ]

1.0

0.5

–10

TC - 外壳温度[° C]

–4–

SLD322V

频谱的权力依赖

1.0

TC = 25°C

PO = 0.2W

0.8

相对辐射强度

0.8

1.0

TC = 25°C

宝= 0.3W

0.6

0.4

0.2

796

798

800

802

804

796

798

800

802

804

波长[nm]的

1.0

TC = 25°C

宝= 0.4W

0.8

相对辐射强度

1.0

TC = 25°C

宝= 0.5W

0.8

0.6

0.4

0.2

796

798

800

802

804

796

798

800

802

804

波长[nm]的

–5–