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SLD1132VS
635nm的红色激光二极管
描述
该SLD1132VS是一个红色激光二极管设计为
激光指示器。它的波长( 635nm的典型值)为
通过为35nm和知名度缩短增加
约7倍,比conven-
tional可见激光二极管( 670nm处典型值) 。
特点
短波长( 635nm的典型值)。
小型封装( φ5.6 )
基本横向/单纵模
应用
激光指示器
结构
AlGaInP中的量子阱结构的激光二极管
光功率输出监视器PIN光电二极管
推荐的光功率输出
3mW
绝对最大额定值
光功率输出
Po
反向电压
V
R
工作温度
储存温度
TOPR
TSTG
M-274
LD
PD
5
2
15
mW
V
V
-10到+40°C
-40到+ 85℃
接线图
引脚配置
3
常见
PD
2
1
LD
2
1
3
1. LD阴极
2. PD阳极
3.常见
底部视图
索尼保留更改产品规格,恕不另行通知。本资料概不转让任何许可
任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路,如果有的话,是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
–1–
E94Y01C98-PS
SLD1132VS
电气和光学特性
( TC = 25 ° C)
阈值电流
工作电流
工作电压
波长
辐射
阵地
准确性
垂直
并行
位置
第i个
IOP
VOP
λ
θ⊥
θ//
± X, ± Y, ±
φ
φ
ηD
As
IMON
宝=为3mW
| Z // – Z⊥ |
宝=为3mW , Vr为5V
0.05
0.10
0.15
0.35
宝=为3mW
宝=为3mW
宝=为3mW
宝=为3mW
宝=为3mW
625
24
5
符号
条件
分钟。
典型值。
50
60
2.4
635
32
7
TC :外壳温度
马克斯。
70
80
3.0
645
40
12
±80
±3
±4
0.8
20
0.30
单位
mA
mA
V
nm
m
毫瓦/ MA
m
mA
效率差
散光
电流监视器
操作注意事项
( 1 )眼睛防护激光束
激光二极管的光输出的范围从
几毫瓦到3W 。然而光功率
激光束在二极管芯片密度
达到1MW /平方厘米
2
。与气体激光器,因为
激光二极管的光束是发散的,非平行
激光二极管的光束是相当安全的激光
二极管。观察激光束,总是
使用阻断红外线护目镜。
IR范围,红外摄像机的使用和
荧光板也建议
监测激光安全。
安全护目镜
防止激光束
激光二极管
镜头
光纤
材料
红外荧光板
光板
光功率输出的控制装置
温度控制装置
(2 )防止浪涌电流和静电放电的
激光二极管是最敏感的半导体中的静电放电。当一个大电流
过激光二极管通过甚至在极短的时间(以纳秒的数量级)时,强烈的光
从激光二极管发射的促进劣化,然后激光二极管被破坏。因此,请注意
的浪涌电流不应当从交换机和其他流的激光二极管驱动电路。另外,如果激光
二极管被不小心处理的,它可以立即被破坏,因为静电放电被容易地应用
一个人的身体。是伟大的小心过电流和静电放电。
–2–
SLD1132VS
代表特征的例子
光输出功率与正向电流特性
光功率输出与监视器的电流特性
6
T
C
= 0°C 25°C
远场图形( FFP)
宝=为3mW ,TC = 25°C
宝 - 光功率输出[毫瓦]
5
40°C
IMON
3
T
C
= 0°C 25°C
40°C
相对辐射强度
θ
θ
4
2
IF
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
–60
–40
–20
0
20
40
60
0
0.2
IOP - 监控电流[mA ]
I
F
- 正向电流[mA ]
角(°)
阈值电流与温度特性
200
监测电流与温度特性
0.4
P
O
=为3mW
第i - 阈值电流[mA ]
IM - 监控电流[mA ]
100
0.3
0.2
0.1
10
–20
–10
0
10
20
30
40
50
60
0
–20
0
20
40
60
TC - 外壳温度[° C]
TC - 外壳温度[° C]
–3–
SLD1132VS
频谱的温度依赖性
宝=为3mW
TC = 40℃
相对辐射强度
TC = 25°C
TC = 0 ℃,
620
630
640
λ
- 波长[ nm]的
650
660
–4–
SLD1132VS
频谱的权力依赖
TC = 25°C
宝=为5mW
相对辐射强度
宝=为3mW
宝= 1mW的
620
630
640
λ
- 波长[ nm]的
650
660
–5–
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