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SLD1122VS
5mW的可视激光二极管
描述
该SLD1122VS是一个红色激光二极管设计为
激光指示器。这设有一个小型封装,
更低的功耗。
特点
可见光( 670nm处典型值)。
小型封装( φ5.6mm )
低工作电流( IOP = 50毫安典型值)。
低工作电压( VOP = 2.4V最大值)。
基横模
应用
激光指示器
结构
AlGaInP中的量子阱结构的激光二极管
光功率输出监视器PIN光电二极管
推荐的工作输出
3mW
绝对最大额定值
( TC = 25 ° C)
光输出功率P
O
5
反向电压
V
R
LD
2
PD
15
工作温度Topr
-10至+50
保存温度Tstg
-40至+85
Cinnection图
常见
M-294
mW
V
V
°C
°C
引脚配置
3
PD
2
1
LD
2
1
3
1. LD阴极
2. PD阳极
3.常见
底部视图
索尼保留更改产品规格,恕不另行通知。本资料概不转让任何许可
任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路,如果有的话,是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
–1–
E93822B79-PS
SLD1122VS
电气和光学特性
( TC = 25 ° C)
阈值电流
工作电流
工作电压
波长
辐射
阵地
准确性
垂直
并行
位置
第i个
IOP
VOP
λ
θ⊥
θ//
± X, ± Y, ±
φ//
φ⊥
ηD
As
IMON
P
O
=为3mW
| Z// – Z⊥ |
P
O
=为3mW , Vr为5V
0.08
0.15
0.45
32
0.20
P
O
=为3mW
P
O
=为3mW
P
O
=为3mW
P
O
=为3mW
P
O
=为3mW
660
24
7
符号
条件
分钟。
典型值。
40
50
2.2
670
32
11
TC :外壳温度
马克斯。
60
70
2.4
685
40
15
±150
±4
±4
0.7
单位
mA
mA
V
nm
m
毫瓦/ MA
m
0.60
mA
效率差
散光
电流监视器
–2–
SLD1122VS
代表特征的例子
光输出功率与正向电流特性
光功率输出与监视器的电流特性
6
TC = 0 ℃,
TC = 0 ℃,
25°C
25°C
50°C
IMON
3
I
F
远场图形( FFP)
宝=为3mW ,TC = 25°C
宝 - 光功率输出[毫瓦]
5
4
相对辐射强度
50°C
θ⊥
θ//
2
1
0
0
20
40
60
80
–60
–40
–20
0
20
40
60
I
F
- 正向电流[mA ]
0
0.25
0.5
亿盟 - 监控电流[mA ]
角(°)
阈值电流与温度特性
200
监测电流与温度特性
0.4
宝=为3mW
第i - 阈值电流[mA ]
亿盟 - 监控电流[mA ]
–20 –10
30
100
0.3
0.2
0.1
10
0
10
20
40
50
60
TC - 外壳温度[° C]
0
–20
0
20
40
60
TC - 外壳温度[° C]
–3–
SLD1122VS
频谱的温度依赖性
宝=为3mW
TC = 50℃
相对辐射强度
TC = 25°C
TC = 0 ℃,
660
665
670
675
λ
- 波长[ nm]的
680
685
–4–
SLD1122VS
频谱的权力依赖
TC = 25°C
宝=为5mW
相对辐射强度
宝=为3mW
宝= 1mW的
665
670
675
λ
- 波长[ nm]的
680
–5–
SLD1122VS
5mW的可视激光二极管
描述
该SLD1122VS是一个红色激光二极管设计为
激光指示器。这设有一个小型封装,
更低的功耗。
特点
可见光( 670nm处典型值)。
小型封装( φ5.6mm )
低工作电流( IOP = 50毫安典型值)。
低工作电压( VOP = 2.4V最大值)。
基横模
应用
激光指示器
结构
AlGaInP中的量子阱结构的激光二极管
光功率输出监视器PIN光电二极管
推荐的工作输出
3mW
绝对最大额定值
( TC = 25 ° C)
光输出功率P
O
5
反向电压
V
R
LD
2
PD
15
工作温度Topr
-10至+50
保存温度Tstg
-40至+85
Cinnection图
常见
M-294
mW
V
V
°C
°C
引脚配置
3
PD
2
1
LD
2
1
3
1. LD阴极
2. PD阳极
3.常见
底部视图
索尼保留更改产品规格,恕不另行通知。本资料概不转让任何许可
任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路,如果有的话,是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
–1–
E93822B79-PS
SLD1122VS
电气和光学特性
( TC = 25 ° C)
阈值电流
工作电流
工作电压
波长
辐射
阵地
准确性
垂直
并行
位置
第i个
IOP
VOP
λ
θ⊥
θ//
± X, ± Y, ±
φ//
φ⊥
ηD
As
IMON
P
O
=为3mW
| Z// – Z⊥ |
P
O
=为3mW , Vr为5V
0.08
0.15
0.45
32
0.20
P
O
=为3mW
P
O
=为3mW
P
O
=为3mW
P
O
=为3mW
P
O
=为3mW
660
24
7
符号
条件
分钟。
典型值。
40
50
2.2
670
32
11
TC :外壳温度
马克斯。
60
70
2.4
685
40
15
±150
±4
±4
0.7
单位
mA
mA
V
nm
m
毫瓦/ MA
m
0.60
mA
效率差
散光
电流监视器
–2–
SLD1122VS
代表特征的例子
光输出功率与正向电流特性
光功率输出与监视器的电流特性
6
TC = 0 ℃,
TC = 0 ℃,
25°C
25°C
50°C
IMON
3
I
F
远场图形( FFP)
宝=为3mW ,TC = 25°C
宝 - 光功率输出[毫瓦]
5
4
相对辐射强度
50°C
θ⊥
θ//
2
1
0
0
20
40
60
80
–60
–40
–20
0
20
40
60
I
F
- 正向电流[mA ]
0
0.25
0.5
亿盟 - 监控电流[mA ]
角(°)
阈值电流与温度特性
200
监测电流与温度特性
0.4
宝=为3mW
第i - 阈值电流[mA ]
亿盟 - 监控电流[mA ]
–20 –10
30
100
0.3
0.2
0.1
10
0
10
20
40
50
60
TC - 外壳温度[° C]
0
–20
0
20
40
60
TC - 外壳温度[° C]
–3–
SLD1122VS
频谱的温度依赖性
宝=为3mW
TC = 50℃
相对辐射强度
TC = 25°C
TC = 0 ℃,
660
665
670
675
λ
- 波长[ nm]的
680
685
–4–
SLD1122VS
频谱的权力依赖
TC = 25°C
宝=为5mW
相对辐射强度
宝=为3mW
宝= 1mW的
665
670
675
λ
- 波长[ nm]的
680
–5–
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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