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SLD105VL
GaAlAs的激光二极管
描述
该SLD105VL是低电流消耗
的GaAlAs激光器开发的CD 。
特点
低电流消耗
小型封装( φ 5.6毫米)
应用
皮卡便携式CD
结构
的GaAlAs双异质结构激光二极管
PIN光电二极管的光输出功率监测器
推荐工作光功率输出
2.5毫瓦
绝对最大额定值
( TA = 25 ° C)
光功率输出
反向电压
工作温度
TOPR
储存温度
TSTG
-40至+85
°C
-10至+60
°C
P
O
V
R
LD
PD
5
2
15
mV
V
V
M-260
接线图
引脚配置
常见
3
2
1
PD
2
1
LD
3
1. LD阳极
2. PD阳极
3.常见
底部视图
索尼保留更改产品规格,恕不另行通知。本资料概不转让任何许可
任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路,如果有的话,是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
—1—
E96Y22-TE
SLD105VL
光学和电学特性
阈值电流
工作电流
工作电压
振荡波长
电流监视器
辐射
阵地
准确性
垂直
并行
对称
θ //
位置
第i个
(T
C
=25 °C)
条件
P
O
= 2.5毫瓦
P
O
= 2.5毫瓦
P
O
= 2.5毫瓦
P
O
= 2.5毫瓦
V
R
=0 V
P
O
= 2.5毫瓦
1.7
760
0.08
20
8
分钟。
典型值。
30
35
1.9
790
0.15
39
12
T
C
:外壳温度
马克斯。
41
44
2.5
810
0.4
45
21
30
±150
±3
0.2
–30
0.6
–25
85
150
30
nA
pF
0.7
–20
单位
mA
mA
V
nm
mA
%
m
毫瓦/ MA
m
符号
IOP
VOP
λp
Im
θ⊥
θ //
S
R
± X, ± Y, ±
η
D
A
S
S / N
I
D
C
T
P
O
= 2.5毫瓦
P
O
= 2.5毫瓦
Z //–Z⊥
FC = 720千赫
f=30
千赫
P
O
= 2.5毫瓦
V
R
=5 V
V
R
= 5 V , F = 1千赫
效率差
散光
S / N比
PD暗电流
引脚之间的电容PD
动力
S
R
S
R
=
S
L
S
R
| S
L
– S
R
|
S
L
+ S
R
–7°
0° 7°
θ
||
—2—
SLD105VL
代表特征的例子
光输出功率与正向电流特性
7
TC = 10 ℃, 20 ℃, 30 ℃, 40 ℃, 50 ℃, 60 ℃,
P
O
=为3mW , TC = 25℃
远场图形( FFP)
P
O
- 光学输出功率(毫瓦)
6
TC = 10 ℃, 60 ℃,
5
4
3
2
1
0
相对辐射强度
θ⊥
θ //
0
0
10
0.1
20
30
40
50
0.5
I
F
(MA )
IMON (毫安)
–30
0
角(度)
30
0.2
0.3
0.4
I
F
-forward电流(mA )
阈值电流与温度特性
100
90
80
70
60
50
40
30
微分效率与温度特性
1.0
P
O
=3mW
ηD微分
效率(毫瓦/ mA)的
0
20
40
60
TC-外壳温度( ° C)
80
第i -阈值电流(mA )
0.8
0.6
0.4
20
0.2
10
–20
0
–20
0
20
40
60
TC-外壳温度( ° C)
80
PIN二极管的电压电流特性
0.25
P
O
=为3mW , TC = 25℃
0.800
1.000
监测电流与温度特性
P
O
=3mW
IM-监控电流(mA )
0
电压(V)的
1.0
0.600
0.500
0.400
0.300
电流(mA )
0
0.200
–0.25
–1.0
0.100
–20
0
20
40
60
TC-外壳温度( ° C)
80
—3—
SLD105VL
光功率输出远场模式的依赖
(平行于路口)
光功率输出远场模式的依赖
(垂直于路口)
P
O
=5mW
P
O
=5mW
相对辐射强度
相对辐射强度
P
O
=4mW
P
O
=4mW
P
O
=3mW
P
O
=3mW
P
O
=2mW
P
O
=2mW
–30
0
角(度)
30
–30
0
角(度)
30
远场模式的温度依赖性
(平行于路口)
P
O
=3mW
远场模式的温度依赖性
(垂直于路口)
P
O
=3mW
Tc=60°C
相对辐射强度
相对辐射强度
Tc=50°C
Tc=40°C
Tc=60°C
Tc=50°C
Tc=40°C
Tc=30°C
Tc=20°C
–30
0
角(度)
30
Tc=30°C
Tc=20°C
–30
0
角(度)
30
—4—
SLD105VL
光功率输出频谱的依赖性
Tc=25°C
P
O
=5mW
相对辐射强度
P
O
=3mW
P
O
=1mW
780
785
790
λ波长
(纳米)
795
800
—5—
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