SLD-69C1
平面光电二极管
特点
平面光电二极管
宽接收角
大有效面积的芯片
快速开关时间
低漏电流
线性响应VS辐射
提供多个暗电流范围
描述
平面光电二极管被设计为工作在
无论是光伏或光导模式。高
灵敏度和低暗电流允许使用在甚至低
光应用。大面积硅光电二极管
措施3.6毫米X 6.1毫米（ 0.140 “× 0.240 ”）。该
光电二极管被提供在陶瓷基体具有明确
环氧树脂圆顶窗口。
绝对最大额定值
储存温度
工作温度
焊接温度（ 3 ）
1.8
明确
环氧树脂
9.2
7.9
3.4
马克斯。
0.5
19.0
分钟。
RED DOT
6.7
阳极+
阴极 -
芯片尺寸为3.6毫米× 6.1毫米
有效面积： 18.3平方毫米
尺寸（mm） 。
定向灵敏度特性
40°
50°
30°
20°
10°
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
半角= 60°
60°
-20 ° C至+ 75°C
-20 ° C至+ 75°C
260°C
70°
80°
90°
100°
1.0
注：（ 1 ） EE =光源@ 2854
°K
（ 2 ） EE =光源@
λ
= 880 nm的
（ 3 ） >2毫米从案例< 5秒。
0.8
0.6
0.4
20°
40°
60°
80°
100° 120°
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
民
典型值
I
SC
短路电流
600
900
V
OC
开路电压
0.40
I
D
反向暗电流：
SLD-69C1A
SLD-69C1B
SLD-69C1C
SLD-69C1D
SLD-69C1E
C
J
结电容
350
t
R
上升时间
8
t
F
下降时间
10
TC
I
I
SC
温度。 COEF 。
+0.2
V
BR
反向击穿电压
50
最高灵敏度波长
930
λ
P
灵敏度光谱范围
400
λ
R
验收半角
60
θ
1/2
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
最大
单位
测试条件
2
V
R
= 0V ， EE = 25mW的/厘米（1）
A
2
V
ee值= 25MW /平方厘米（1）
nA
nA
nA
nA
nA
pF
s
s
%/°C
V
nm
nm
度
V
R
= 0.1V ， EE = 0
V
R
= 5V ， EE = 0
V
R
= 5V ， EE = 0
V
R
= 5V ， EE = 0
V
R
= 5V ， EE = 0
V
R
= 0， EE = 0中，f = 1MHz的
V
R
= 10V ，R
L
=1k (2)
V
R
= 10V ，R
L
=1k (2)
(1)
I
R
= 100
A
100
100
20
5
1
1100
（离中心线）
101651 REV 2
5200圣帕特里克街，蒙特利尔
阙， H4E 4N9 ，加拿大
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传真： 514-768-8889
QF-84
旧铁路，王子街
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