SLD-68HF1
平面光电二极管
特点
低电容，快速开关时间
低漏电流
线性响应VS辐射
气密封装与平窗
提供多个暗电流范围
描述
这个小面积的平面，钝化硅
光电检测器被设计为工作在
光伏或反向偏置模式。它提供
在输出信号与光出色的线性度
强度。低暗电流和低电容
使它成为理想的检测器，用于快速上升时间
应用程序。
绝对最大额定值
储存温度
工作温度
焊接温度（ 3 ）
阴极
0.8
3.9
0.41 - 0.48
5.3
（常见到外壳）
4.7
2.54
25分钟。
芯片尺寸= 1.7毫米× 1.7毫米
有效面积为2.0平方毫米
阳极
45°
尺寸（mm） 。
公差±0.13
定向灵敏度特性
50°
40°
30°
20°
10°
1.0
.8
半值角= 35 °
-40°C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
260°C
60°
.6
70°
80°
90°
.4
.2
0
注：（ 1 ） EE =光源@ 2854
°K
（ 2 ） EE =光源@
λ
= 880 nm的
（ 3 ） >2毫米从案例< 5秒。
100° 1.0
.8
.6
.4
0
20°
40°
60°
80°
100° 120°
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
民
典型值
I
SC
短路电流
110
130
V
OC
开路电压
0.40
I
D
反向暗电流：
SLD-68HF1A
SLD-68HF1B
SLD-68HF1C
SLD-68HF1D
SLD-68HF1E
C
J
结电容
40
t
R
上升时间
1.0
t
F
下降时间
1.5
TC
I
温度。 COEF 。我
SC
+0.2
V
BR
反向击穿电压
50
最高灵敏度波长
950
λ
P
灵敏度光谱范围
400
λ
R
验收半角
35
θ
1/2
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
最大
单位
测试条件
2
V
R
= 0V ， EE = 25mW的/厘米（1）
A
2
V
ee值= 25MW /平方厘米（1）
nA
nA
nA
nA
pA
pF
s
s
%/°C
V
nm
nm
度
V
R
= 100mV的， EE = 0
V
R
= 5V ， EE = 0
V
R
= 5V ， EE = 0
V
R
= 5V ， EE = 0
V
R
= 5V ， EE = 0
V
R
= 0， EE = 0中，f = 1MHz的
V
R
= 10V ，R
L
=1k (2)
V
R
= 10V ，R
L
=1k (2)
(1)
I
R
=100A
100
100
10
1
250
1100
（离中心线）
102537 REV 1
5200圣帕特里克街，蒙特利尔
阙， H4E 4N9 ，加拿大
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传真： 514-768-8889
QF-84
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阿尔弗斯顿，坎布里亚郡， LA12 7NQ ，英国
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