SLD-1083CZ
产品说明
Sirenza的微器件“
SLD-1083CZ
是一个强大的4瓦的perfor-
曼斯LDMOS晶体管设计用于从至2700MHz 。这是
对于需要高线性度和艾菲应用的最佳解决方案
效率以较低的成本。将SLD - 1083CZ通常用于设计
驱动级功率放大器，中继器和RFID应用
tions.The功率晶体管采用Sirenza的最新的，高性制造
formance LDMOS II的过程。
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
4瓦离散LDMOS FET的
陶瓷封装
功能示意图
ESD
保护
产品特点
4瓦的输出P
1dB
单极性电源电压
高增益：18分贝915MHz的
高效率：在3W CW 43 ％
XeMOS II LDMOS
集成ESD保护， 1B类
应用
基站PA驱动器
中继器
RFID
军事通信
GSM / CDMA
单位
兆赫
dB
%
dB
dBc的
瓦
DBM
DBM
摄氏度/ W
民
-
18
40
-9.5
-
-
-
-
典型值
-
19
43
-12
-30
4
21
29
11
最大
2700
-
-
-
-26
-
-
-
案例法兰=接地
RF连接特定的阳离子
符号
频率
收益
效率
IRL
参数
操作的频率
3瓦CW ， 902-928MHz
漏极效率为3瓦CW ， 915MHz的
输入回波损耗， 3瓦的输出功率， 915MHz的
3阶IMD在3瓦特PEP （双色） ， 915MHz的
1dB压缩（P
1dB
） ， 915MHz的
rd
线性
IS- 95 ，第9章FWD，偏移= 750kHz的， ACPR集成带宽，
ACPR=-55dB
IS- 95 ，第9章FWD，偏移= 750kHz的， ACPR集成带宽，
ACPR=-45dB
R
TH
测试条件
热阻（结到外壳）
V
DS
= 28.0V ，我
DQ
= 50毫安，T
轮缘
= 25C
DC特定网络阳离子
符号
g
m
V
GS
门槛
V
GS
静
V
DS
击穿
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
R
DSON
参数
正向跨导@ 30毫安我
DS
I
DS
= 3mA电流， V
DS
=28V
I
DS
= 50mA时V
DS
=28V
1毫安V
DS
当前
输入电容（门源）V
GS
=0V V
DS
=28V
反向电容（栅漏）V
GS
=0V V
DS
=28V
输出电容（漏极至源极）V
GS
=0V V
DS
=28V
漏极到源极电阻，V
GS
=10V V
DS
=250mV
单位
毫安/ V
伏
伏
伏
pF
pF
pF
3
民
典型
150
4.2
4
65
5.2
0.2
3.2
3.0
5
最大
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，并且所有这些
信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的微器件
不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2005 Sirenza的微型器件公司全球版权所有。
303 S.科技法庭，
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
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EDS- 104013 F版
SLD - 1083CZ 2700MHz 4瓦的LDMOS FET
质量指标
参数
ESD额定值
MTTF
描述
人体模型
85
o
引线框架， 200 C通道
o
单位
伏
小时
典型
750
1.2 X 10
6
引脚说明
针＃
1
2
轮缘
功能
门
漏
源， GND
描述
晶体管RF输入和栅极偏置电压。栅极偏置电压必须进行温度补偿，以保持恒定
偏置电流在整个工作温度范围内。必须小心，以防止视频瞬时超过了
最大输入功率或电压。
晶体管的RF输出和漏极偏压。典型电压28V 。
需要在封装的底面露出区域被机械地连接到电路板的接地平面
最佳的热和RF性能。请参阅推荐安装说明。
引脚图
ESD
保护
销1
销2
注1 ：
栅极电压必须施加到V
GS
导致并发或之后
应用漏电压，以防止潜在的破坏性
振荡。偏置电压不应该被施加到转录
体管，除非它被适当地终止在两个输入和输出。
注2 ：
所需的V
GS
对应于一个特定的I
DQ
会有所不同
设备到设备由于正常的管芯到管芯的变化在阈值
老电压withLDMOS晶体管。
注3 ：
阈值电压（V
gsth
）的LDMOS晶体管随
器件温度。外部温度补偿
是必需的。见Sirenza的应用笔记AN- 067 LDMOS
偏温度补偿。
案例法兰=接地
绝对最大额定值
参数
漏极电压（V
DS
)
栅极电压（V
GS
)
RF输入功率
负载阻抗的连续运行
无损伤
输出设备通道温度
焊接温度在回流焊
工作温度范围
存储温度范围
价值
35
20
+30
10:1
+200
+270
-20至+90
-40至+100
单位
伏
伏
DBM
VSWR
C
C
C
C
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行
看到一个页面上表中规定的典型设定值。
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
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EDS- 104013 F版
SLD - 1083CZ 2700MHz 4瓦的LDMOS FET
在900 MHz的应用电路典型性能曲线
50
45
40
增益（dB ） ，效率（％ ）
35
30
25
20
15
10
5
0
900
CW增益，效率， IRL与频率
VDD = 28V ， IDQ = 50mA时噘= 3W
0
24
CW增益，效率与噘
VDD = 28V ， IDQ = 50mA时频率= 915 MHz的
60
-4
23
50
IRL
-12
21
30
20
20
收益
19
-16
效率
10
905
910
915
920
-20
925
18
0
1
2
的Pout （W）的
3
4
5
0
频率（MHz）
60
2音频增益，效率，线性度和IRL与频率
VDD = 28V ， IDQ = 50mA时噘= 3W PEP ，台达F = 1兆赫
收益
IM3
IM7
效率
IM5
IRL
0
50
45
2音频增益，效率，线性度VS噘
VDD = 28V ， IDQ = 50mA时频率= 915兆赫，台达F = 1兆赫
-20
-25
-30
-35
IMD （ DBC）
-40
-45
-50
-55
50
增益（dB ） ，效率（％ ）
-10
增益（dB ） ，效率（％ ）
40
40
-20
IMD （ DBC） ， IRL （分贝）
35
30
25
20
15
10
5
30
-30
20
-40
10
-50
收益
IM3
IM7
0
1
2
3
噘嘴（W PEP ）
效率
IM5
-60
-65
-70
0
900
905
910
915
920
频率（MHz）
-60
925
0
4
5
6
要接收Gerber文件， DXF图纸，组装和建议，供测试板夹具，接触的应用
支撑位
support@sirenza.com 。
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
3
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效率（％）
收益
效率
输入回波损耗（dB ）
22
增益（dB ）
40
-8
SLD - 1083CZ 2700MHz 4瓦的LDMOS FET
900 MHz的应用电路
材料明细表 - 900 MHz的应用电路
参考型号
C1
C2
L1
L2
C10
C11, C20
C12
C18
C19, C22
J1, J2
J3
R1
R2
R3
R30
R5
R7
R9
R90
RT1
U1
6个螺丝
6垫圈
PCB
散热器
描述
第68章pF250V 5 ％ 0603
第18章pF250V 2 ％ 0604
IND ， 16 nH的5 ％， 0603
IND ， 9.5 nH的5 ％NH3 0603
CAP 0.1 UF 16V 10 ％ 0603
CAP 1000 PF 50V 10 ％ 603
CAP 68pF的250V 5 ％ 603
第10章用友35V 20 ％ TAN牛逼ELECT
CAP 0.1 UF 50V 10 ％ 805
连接器SMA END 0.037
连接器MTA SMD R / A 2 PIN
RES 324 1 / 16W 1 ％ 603
RES 0欧姆跳线805
POT TRIM 500 OHM 2MM
RES 49.9 1 / 16W 1 ％ 603
RES 130 1 / 16W 1 ％ 603
RES 210 1 / 16W 1 ％ 603
RES 0 1 / 16W 5 ％ 603
RES 1.0K 1 / 16W 1 ％ 603
热敏电阻100K 5 ％ 603
IC VOLT REG 100 MA 5 V SOT- 23
螺丝＃ 2-56 PHILIPS平头
垫圈＃ 2平SS
PCB ， 30密耳厚的Dk = 3.48
加工alumininum
MFG
ATC
ATC
Coilcraft公司
Coilcraft公司
AVX
AVX
ATC
基美
松下
约翰逊
AMP
松下
松下
松下
松下
松下
菲利普斯
松下
松下
松下
国
各个
各个
罗杰斯
各个
MFG部分＃
600S680JT250XT
600S180GT250XT
0603CS-160XJB
0603CS-9N5XJB
0603YG104ZA2A
06035C102KAT2A
600S680JT250XT
T494D106M035AS
ECJ2YB1H104K
142-0751-821
640455-2
ERJ-3EKF3240V
ERJ6GEY0R00V
EVM-2WSX80B52
ERJ-EKF49R9V
ERJ-3EKF1300V
9C06031A2100FKHFT
ERJ-3GSY0R00V
ERJ-3EKF1001V
ERT-J1VV104J
LM3480IM3-5.0
-
-
4350
-
要接收Gerber文件， DXF图纸，组装和建议，供测试板夹具，接触的应用
支撑位
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SLD - 1083CZ 2700MHz 4瓦的LDMOS FET
封装外形图
Chamferred铅
为FET漏极
引脚共面性
铅脚背面
0.000 ± 0.002
0.000±0.002
0.290
0.160
R0.015
细节A
顶视图
0.200
0.100
0.090
0.160
0.140
0.050
0.160
0.008
SIDE VIEW
细节A
端视图
推荐着陆垫的RF083包
产品型号订购信息
产品型号
SLD-1083CZ
设备每
REEL
500
带尺寸
7’’
所有尺寸为英寸
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SLD-1083CZ
产品说明
Sirenza的微器件“
SLD-1083CZ
是一个强大的4瓦的perfor-
曼斯LDMOS晶体管设计用于从至2700MHz 。这是
对于需要高线性度和艾菲应用的最佳解决方案
效率以较低的成本。将SLD - 1083CZ通常用于设计
驱动级功率放大器，中继器和RFID应用
tions.The功率晶体管采用Sirenza的最新的，高性制造
formance LDMOS II的过程。
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
4瓦离散LDMOS FET的
陶瓷封装
功能示意图
ESD
保护
产品特点
4瓦的输出P
1dB
单极性电源电压
高增益：18分贝915MHz的
高效率：在10W CW 47 ％
XeMOS II LDMOS
集成ESD保护， 1B类
应用
基站PA驱动器
中继器
RFID
军事通信
GSM / CDMA
单位
兆赫
dB
%
dB
dBc的
瓦
DBM
DBM
摄氏度/ W
民
-
18
40
-9.5
-
-
-
-
典型值
-
19
43
-12
-30
4
21
29
11
最大
2700
-
-
-
-26
-
-
-
案例法兰=接地
RF连接特定的阳离子
符号
频率
收益
效率
IRL
参数
操作的频率
3瓦CW ， 902-928MHz
漏极效率为3瓦CW ， 915MHz的
输入回波损耗， 3瓦的输出功率， 915MHz的
3阶IMD在3瓦特PEP （双色） ， 915MHz的
1dB压缩（P
1dB
） ， 915MHz的
rd
线性
IS- 95 ，第9章FWD，偏移= 750kHz的， ACPR集成带宽，
ACPR=-55dB
IS- 95 ，第9章FWD，偏移= 750kHz的， ACPR集成带宽，
ACPR=-45dB
R
TH
测试条件
热阻（结到外壳）
V
DS
= 28.0V ，我
DQ
= 30mA时吨
轮缘
= 25C
DC特定网络阳离子
符号
g
m
V
GS
门槛
V
DS
击穿
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
R
DSON
参数
正向跨导@ 30毫安我
DS
I
DS
= 3mA电流， V
DS
=28V
1毫安V
DS
当前
输入电容（门源）V
GS
=0V V
DS
=28V
反向电容（栅漏）V
GS
=0V V
DS
=28V
输出电容（漏极至源极）V
GS
=0V V
DS
=28V
漏极到源极电阻，V
GS
=10V V
DS
=250mV
单位
毫安/ V
伏
伏
pF
pF
pF
民
典型
150
4.2
65
5.2
0.2
3.2
3.0
最大
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，并且所有这些
信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的微器件
不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2005 Sirenza的微型器件公司全球版权所有。
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SLD - 1083CZ 2700MHz 4瓦的LDMOS FET
质量指标
参数
ESD额定值
MTTF
描述
人体模型
85
o
引线框架， 200 C通道
o
单位
伏
小时
典型
750
1.2 X 10
6
引脚说明
针＃
1
2
轮缘
功能
门
漏
源， GND
描述
晶体管RF输入和栅极偏置电压。栅极偏置电压必须进行温度补偿，以保持恒定
偏置电流在整个工作温度范围内。必须小心，以防止视频瞬时超过了
最大输入功率或电压。
晶体管的RF输出和漏极偏压。典型电压28V 。
需要在封装的底面露出区域被机械地连接到电路板的接地平面
最佳的热和RF性能。请参阅推荐安装说明。
引脚图
ESD
保护
销1
销2
注1 ：
栅极电压必须施加到V
GS
导致并发或之后
应用漏电压，以防止潜在的破坏性
振荡。偏置电压不应该被施加到转录
体管，除非它被适当地终止在两个输入和输出。
注2 ：
所需的V
GS
对应于一个特定的I
DQ
会有所不同
设备到设备由于正常的管芯到管芯的变化在阈值
老电压withLDMOS晶体管。
注3 ：
阈值电压（V
gsth
）的LDMOS晶体管随
器件温度。外部温度补偿
是必需的。见Sirenza的应用笔记AN- 067 LDMOS
偏温度补偿。
案例法兰=接地
绝对最大额定值
参数
漏极电压（V
DS
)
栅极电压（V
GS
)
RF输入功率
负载阻抗的连续运行
无损伤
输出设备通道温度
焊接温度在回流焊
工作温度范围
存储温度范围
价值
35
20
+30
10:1
+200
+270
-20至+90
-40至+100
单位
伏
伏
DBM
VSWR
C
C
C
C
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行
看到一个页面上表中规定的典型设定值。
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
303 S.科技法庭
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电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
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SLD - 1083CZ 2700MHz 4瓦的LDMOS FET
在900 MHz的应用电路典型性能曲线
50
45
40
增益（dB ） ，效率（％ ）
35
30
25
20
15
10
5
0
900
CW增益，效率， IRL与频率
VDD = 28V ， IDQ = 50mA时噘= 3W
0
24
CW增益，效率与噘
VDD = 28V ， IDQ = 50mA时频率= 915 MHz的
60
-4
23
50
IRL
-12
21
30
20
20
收益
19
-16
效率
10
905
910
915
920
-20
925
18
0
1
2
的Pout （W）的
3
4
5
0
频率（MHz）
60
2音频增益，效率，线性度和IRL与频率
VDD = 28V ， IDQ = 50mA时噘= 3W PEP ，台达F = 1兆赫
收益
IM3
IM7
效率
IM5
IRL
0
50
45
2音频增益，效率，线性度VS噘
VDD = 28V ， IDQ = 50mA时频率= 915兆赫，台达F = 1兆赫
-20
-25
-30
-35
IMD （ DBC）
-40
-45
-50
-55
50
增益（dB ） ，效率（％ ）
-10
增益（dB ） ，效率（％ ）
40
40
-20
IMD （ DBC） ， IRL （分贝）
35
30
25
20
15
10
5
30
-30
20
-40
10
-50
收益
IM3
IM7
0
1
2
3
噘嘴（W PEP ）
效率
IM5
-60
-65
-70
0
900
905
910
915
920
频率（MHz）
-60
925
0
4
5
6
要接收Gerber文件， DXF图纸，组装和建议，供测试板夹具，接触的应用
支撑位
support@sirenza.com 。
303 S.科技法庭
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
3
http://www.sirenza.com
EDS - 104013版D
效率（％）
收益
效率
输入回波损耗（dB ）
22
增益（dB ）
40
-8
SLD - 1083CZ 2700MHz 4瓦的LDMOS FET
900 MHz的应用电路
材料明细表 - 900 MHz的应用电路
参考型号
C1
C2
L1
L2
C10
C11, C20
C12
C18
C19, C22
J1, J2
J3
R1
R2
R3
R30
R5
R7
R9
R90
RT1
U1
6个螺丝
6垫圈
PCB
散热器
描述
CAP 68PF250V 5 ％ 0603
CAP 18PF250V 2 ％ 0604
IND ， 16 nH的5 ％， 0603
IND ， 9.5 nH的5 ％NH3 0603
CAP 0.1 UF 16V 10 ％ 0603
CAP 1000 PF 50V 10 ％ 603
CAP 68pF的250V 5 ％ 603 LF
第10章用友35V 20 ％ TAN牛逼ELECT
CAP 0.1 UF 50V 10 ％ 805
连接器SMA END 0.037
连接器MTA SMD R / A 2 PIN
RES 324 1 / 16W 1 ％ 603
RES 0欧姆跳线805
POT TRIM 500 OHM 2MM
RES 49.9 1 / 16W 1 ％ 603
RES 130 1 / 16W 1 ％ 603
RES 210 1 / 16W 1 ％ 603
RES 0 1 / 16W 5 ％ 603
RES 1.0K 1 / 16W 1 ％ 603
热敏电阻100K 5 ％ 603
IC VOLT REG 100 MA 5 V SOT- 23
螺丝＃ 2-56 PHILIPS平头
垫圈＃ 2平SS
PCB ， 30密耳厚的Dk = 3.48
加工alumininum
MFG
ATC
ATC
Coilcraft公司
Coilcraft公司
AVX
AVX
ATC
基美
松下
约翰逊
AMP
松下
松下
松下
松下
松下
菲利普斯
松下
松下
松下
国
各个
各个
罗杰斯
各个
MFG部分＃
600S680JT250XT
600S180GT250XT
0603CS-160XJB
0603CS-9N5XJB
0603YG104ZA2A
06035C102KAT2A
600S680JT250XT
T494D106M035AS
ECJ2YB1H104K
142-0751-821
640455-2
ERJ-3EKF3240V
ERJ6GEY0R00V
EVM-2WSX80B52
ERJ-EKF49R9V
ERJ-3EKF1300V
9C06031A2100FKHFT
ERJ-3GSY0R00V
ERJ-3EKF1001V
ERT-J1VV104J
LM3480IM3-5.0
-
-
4350
-
要接收Gerber文件， DXF图纸，组装和建议，供测试板夹具，接触的应用
支撑位
support@sirenza.com 。
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4
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EDS - 104013版D
SLD - 1083CZ 2700MHz 4瓦的LDMOS FET
封装外形图
Chamferred铅
为FET漏极
引脚共面性
铅脚背面
0.000 ± 0.002
0.000±0.002
0.290
0.160
R0.015
细节A
顶视图
0.200
0.100
0.090
0.160
0.140
0.050
0.160
0.008
SIDE VIEW
细节A
端视图
推荐着陆垫的RF083包
产品型号订购信息
产品型号
SLD-1083CZ
设备每
REEL
500
带尺寸
7’’
所有尺寸为英寸
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SLD-1083CZ
产品说明
Sirenza的微器件“
SLD-1083CZ
是一个强大的4瓦的perfor-
曼斯LDMOS晶体管设计用于从至2700MHz 。这是
对于需要高线性度和艾菲应用的最佳解决方案
效率以较低的成本。将SLD - 1083CZ通常用于设计
驱动级功率放大器，中继器和RFID应用
tions.The功率晶体管采用Sirenza的最新的，高性制造
formance LDMOS II的过程。
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
4瓦离散LDMOS FET的
陶瓷封装
功能示意图
ESD
保护
产品特点
4瓦的输出P
1dB
单极性电源电压
高增益：18分贝915MHz的
高效率：在10W CW 47 ％
XeMOS II LDMOS
集成ESD保护， 1B类
应用
基站PA驱动器
中继器
RFID
军事通信
GSM / CDMA
单位
兆赫
dB
%
dB
dBc的
瓦
DBM
DBM
摄氏度/ W
民
-
18
40
-9.5
-
-
-
-
典型值
-
19
43
-12
-30
4
21
29
11
最大
2700
-
-
-
-26
-
-
-
案例法兰=接地
RF连接特定的阳离子
符号
频率
收益
效率
IRL
参数
操作的频率
3瓦CW ， 902-928MHz
漏极效率为3瓦CW ， 915MHz的
输入回波损耗， 3瓦的输出功率， 915MHz的
3阶IMD在3瓦特PEP （双色） ， 915MHz的
1dB压缩（P
1dB
） ， 915MHz的
rd
线性
IS- 95 ，第9章FWD，偏移= 750kHz的， ACPR集成带宽，
ACPR=-55dB
IS- 95 ，第9章FWD，偏移= 750kHz的， ACPR集成带宽，
ACPR=-45dB
R
TH
测试条件
热阻（结到外壳）
V
DS
= 28.0V ，我
DQ
= 30mA时吨
轮缘
= 25C
DC特定网络阳离子
符号
g
m
V
GS
门槛
V
DS
击穿
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
R
DSON
参数
正向跨导@ 30毫安我
DS
I
DS
= 3mA电流， V
DS
=28V
1毫安V
DS
当前
输入电容（门源）V
GS
=0V V
DS
=28V
反向电容（栅漏）V
GS
=0V V
DS
=28V
输出电容（漏极至源极）V
GS
=0V V
DS
=28V
漏极到源极电阻，V
GS
=10V V
DS
=250mV
单位
毫安/ V
伏
伏
pF
pF
pF
民
典型
150
4.2
65
5.2
0.2
3.2
3.0
最大
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，并且所有这些
信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的微器件
不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2005 Sirenza的微型器件公司全球版权所有。
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SLD - 1083CZ 2700MHz 4瓦的LDMOS FET
质量指标
参数
ESD额定值
MTTF
描述
人体模型
85
o
引线框架， 200 C通道
o
单位
伏
小时
典型
750
1.2 X 10
6
引脚说明
针＃
1
2
轮缘
功能
门
漏
源， GND
描述
晶体管RF输入和栅极偏置电压。栅极偏置电压必须进行温度补偿，以保持恒定
偏置电流在整个工作温度范围内。必须小心，以防止视频瞬时超过了
最大输入功率或电压。
晶体管的RF输出和漏极偏压。典型电压28V 。
需要在封装的底面露出区域被机械地连接到电路板的接地平面
最佳的热和RF性能。请参阅推荐安装说明。
引脚图
ESD
保护
销1
销2
注1 ：
栅极电压必须施加到V
GS
导致并发或之后
应用漏电压，以防止潜在的破坏性
振荡。偏置电压不应该被施加到转录
体管，除非它被适当地终止在两个输入和输出。
注2 ：
所需的V
GS
对应于一个特定的I
DQ
会有所不同
设备到设备由于正常的管芯到管芯的变化在阈值
老电压withLDMOS晶体管。
注3 ：
阈值电压（V
gsth
）的LDMOS晶体管随
器件温度。外部温度补偿
是必需的。见Sirenza的应用笔记AN- 067 LDMOS
偏温度补偿。
案例法兰=接地
绝对最大额定值
参数
漏极电压（V
DS
)
栅极电压（V
GS
)
RF输入功率
负载阻抗的连续运行
无损伤
输出设备通道温度
焊接温度在回流焊
工作温度范围
存储温度范围
价值
35
20
+30
10:1
+200
+270
-20至+90
-40至+100
单位
伏
伏
DBM
VSWR
C
C
C
C
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行
看到一个页面上表中规定的典型设定值。
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
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在900 MHz的应用电路典型性能曲线
50
45
40
增益（dB ） ，效率（％ ）
35
30
25
20
15
10
5
0
900
CW增益，效率， IRL与频率
VDD = 28V ， IDQ = 50mA时噘= 3W
0
24
CW增益，效率与噘
VDD = 28V ， IDQ = 50mA时频率= 915 MHz的
60
-4
23
50
IRL
-12
21
30
20
20
收益
19
-16
效率
10
905
910
915
920
-20
925
18
0
1
2
的Pout （W）的
3
4
5
0
频率（MHz）
60
2音频增益，效率，线性度和IRL与频率
VDD = 28V ， IDQ = 50mA时噘= 3W PEP ，台达F = 1兆赫
收益
IM3
IM7
效率
IM5
IRL
0
50
45
2音频增益，效率，线性度VS噘
VDD = 28V ， IDQ = 50mA时频率= 915兆赫，台达F = 1兆赫
-20
-25
-30
-35
IMD （ DBC）
-40
-45
-50
-55
50
增益（dB ） ，效率（％ ）
-10
增益（dB ） ，效率（％ ）
40
40
-20
IMD （ DBC） ， IRL （分贝）
35
30
25
20
15
10
5
30
-30
20
-40
10
-50
收益
IM3
IM7
0
1
2
3
噘嘴（W PEP ）
效率
IM5
-60
-65
-70
0
900
905
910
915
920
频率（MHz）
-60
925
0
4
5
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效率（％）
收益
效率
输入回波损耗（dB ）
22
增益（dB ）
40
-8
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900 MHz的应用电路
材料明细表 - 900 MHz的应用电路
参考型号
C1
C2
L1
L2
C10
C11, C20
C12
C18
C19, C22
J1, J2
J3
R1
R2
R3
R30
R5
R7
R9
R90
RT1
U1
6个螺丝
6垫圈
PCB
散热器
描述
CAP 68PF250V 5 ％ 0603
CAP 18PF250V 2 ％ 0604
IND ， 16 nH的5 ％， 0603
IND ， 9.5 nH的5 ％NH3 0603
CAP 0.1 UF 16V 10 ％ 0603
CAP 1000 PF 50V 10 ％ 603
CAP 68pF的250V 5 ％ 603 LF
第10章用友35V 20 ％ TAN牛逼ELECT
CAP 0.1 UF 50V 10 ％ 805
连接器SMA END 0.037
连接器MTA SMD R / A 2 PIN
RES 324 1 / 16W 1 ％ 603
RES 0欧姆跳线805
POT TRIM 500 OHM 2MM
RES 49.9 1 / 16W 1 ％ 603
RES 130 1 / 16W 1 ％ 603
RES 210 1 / 16W 1 ％ 603
RES 0 1 / 16W 5 ％ 603
RES 1.0K 1 / 16W 1 ％ 603
热敏电阻100K 5 ％ 603
IC VOLT REG 100 MA 5 V SOT- 23
螺丝＃ 2-56 PHILIPS平头
垫圈＃ 2平SS
PCB ， 30密耳厚的Dk = 3.48
加工alumininum
MFG
ATC
ATC
Coilcraft公司
Coilcraft公司
AVX
AVX
ATC
基美
松下
约翰逊
AMP
松下
松下
松下
松下
松下
菲利普斯
松下
松下
松下
国
各个
各个
罗杰斯
各个
MFG部分＃
600S680JT250XT
600S180GT250XT
0603CS-160XJB
0603CS-9N5XJB
0603YG104ZA2A
06035C102KAT2A
600S680JT250XT
T494D106M035AS
ECJ2YB1H104K
142-0751-821
640455-2
ERJ-3EKF3240V
ERJ6GEY0R00V
EVM-2WSX80B52
ERJ-EKF49R9V
ERJ-3EKF1300V
9C06031A2100FKHFT
ERJ-3GSY0R00V
ERJ-3EKF1001V
ERT-J1VV104J
LM3480IM3-5.0
-
-
4350
-
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封装外形图
Chamferred铅
为FET漏极
引脚共面性
铅脚背面
0.000 ± 0.002
0.000±0.002
0.290
0.160
R0.015
细节A
顶视图
0.200
0.100
0.090
0.160
0.140
0.050
0.160
0.008
SIDE VIEW
细节A
端视图
推荐着陆垫的RF083包
产品型号订购信息
产品型号
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设备每
REEL
500
带尺寸
7’’
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