初步
SLD-1026Z
产品说明
Sirenza的微器件“
SLD-1026Z
是一个强大的3瓦的高性能
LDMOS晶体管设计用于操作从10至2700MHz 。它是一个
对于需要高线性度和效率的应用解决方案，卓越的
以较低的成本。将SLD - 1026Z通常用于驱动器的设计
对于功率放大器，中继器，和RFID applications.The阶段
功率晶体管采用Sirenza的最新的，高性能的制作
LDMOS II的过程。该产品采用符合RoHS / WEEE标准
包带雾锡完成，通过“Z”后缀指定。
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
3瓦的离散LDMOS器件
塑料表面贴装封装
功能示意图
ESD
保护
专有SOF -26封装
产品特点
3瓦特输出P
1dB
单极性电源电压
高增益：19分贝915MHz的
高效率：在3W CW 44 ％
XeMOS II LDMOS
专有的低热阻封装
集成ESD保护， 1B类
基站PA驱动器
中继器
RFID
军事通信
GSM / EDGE / CDMA / WCDMA
应用
背面桨=接地
RF连接特定的阳离子
符号
频率
收益
收益
效率
效率
IRL
IRL
参数
操作的频率
3瓦CW ， 902-928兆赫
3瓦CW ， 2110年至2170年兆赫
漏极效率为3瓦CW ， 915MHz的
漏极效率为3瓦CW ， 2140MHz时
输入回波损耗， 3瓦的输出功率， 915MHz的
输入回波损耗， 3瓦的输出功率， 2140兆赫
3阶IMD在3瓦特PEP （双色） ， 915MHz的
线性
3阶IMD在3瓦特PEP （双色） ， 2140MHz时
1dB压缩（P
1dB
） ， 915 MHz的
1dB压缩（P
1dB
） ， 2140兆赫
ACP在0.3瓦的输出， 2140MHz时， 10 MHz载波间隔，
3GPP2 ，测试模式1,64 DPCH ， 67 ％的剪裁，
PAR = 9.3 @ 0.01 ％ CCDF
IM3为0.3瓦， 2140MHz时的输出， 10 MHz载波间隔，
3GPP2 ，测试模式1,64 DPCH ， 67 ％的剪裁，
PAR = 9.3 @ 0.01 ％ CCDF
热阻（结到外壳）
V
DS
= 28.0V ，我
DQ
= 50毫安，T
轮缘
= 25C
rd
rd
单位
兆赫
dB
dB
%
%
dB
dB
dBc的
dBc的
瓦
瓦
dBc的
民
10
典型值
-
19
14
44
43
-12
-12
-28
-28
3.5
3.0
-48
最大
2700
2载波WCDMA
性能
dBc的
摄氏度/ W
-47
17
R
TH
测试条件
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，并且所有这些
信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的微器件
不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2005 Sirenza的微型器件公司全球版权所有。
303 S.科技法庭，
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
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初步
SLD - 1026Z 3瓦的LDMOS FET
DC特定网络阳离子
符号
g
m
V
GS
门槛
V
GS
静
V
DS
击穿
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
R
DSON
参数
正向跨导@ 30毫安我
DS
I
DS
= 3mA电流， V
DS
=28V
I
DS
= 50mA时V
DS
=28V
1毫安V
DS
当前
输入电容（门源）V
GS
=0V V
DS
=28V
反向电容（栅漏）V
GS
=0V V
DS
=28V
输出电容（漏极至源极）V
GS
=0V V
DS
=28V
漏极到源极电阻，V
GS
=10V V
DS
=250mV
单位
毫安/ V
伏
伏
伏
pF
pF
pF
3
民
典型
150
4.2
4
65
5.2
0.2
3.2
3.0
5
最大
质量指标
参数
ESD额定值
描述
人体模型
等级
1B
引脚说明
针＃
1, 3
2
4, 6
5
GND
功能
NC
门
NC
漏
源， GND
描述
这些引脚没有内部连接到封装。总线它们的引脚2所示，该应用电路。
晶体管RF输入和栅极偏置电压。栅极偏置电压必须进行温度补偿，以保持恒定
偏置电流在整个工作温度范围内。必须小心，以防止视频瞬时超过
最大输入功率或电压。
这些引脚没有内部连接到封装。总线他们中所示的应用程序的电路的引脚5 。
晶体管的RF输出和漏极偏压。典型电压28V 。
这些引脚的直流连接到背面桨。它们提供的背面桨良好的热连接的
手工焊接和返修。许多热和电接地通孔，推荐如图所示的着陆图案。
引脚图
GND
1
ESD
保护
6
5
2
绝对最大额定值
参数
漏极电压（V
DS
)
栅极电压（V
GS
)
RF输入功率
负载阻抗为无损伤连续运行
输出设备通道温度
工作温度范围
价值
35
20
+30
10:1
+150
-40至+85
-40到+150
单位
伏
伏
DBM
VSWR
C
C
C
3
GND
4
存储温度范围
该设备超出这些限制的任何一个操作可能会造成永久性的损害。为
可靠连续运行看一个页面上表中规定的典型设定值。
注1 ：
栅极电压必须施加到V
GS
同时或应用程序的漏极电压，以防止潜在的破坏性振荡后导致。偏置电压
不应该被施加到晶体管，除非它被适当地终止在两个输入和输出。
注2 ：
所需的V
GS
对应于一个特定的I
DQ
将从设备到设备而变化，由于正常裸片到裸片的变化的阈值电压与LDMOS
晶体管。
注3 ：
阈值电压（V
gsth
）的LDMOS晶体管随器件温度。外部温度补偿是必须的。见Sirenza的
应用笔记AN- 067 LDMOS偏置温度补偿。
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
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SLD - 1026Z 3瓦的LDMOS FET
在400 MHz的应用电路典型性能曲线
60
2音频增益，效率，线性度和IRL与频率
VDD = 28V ， IDQ = 30mA时噘= 3W PEP ，台达F = 1兆赫
0
2音频增益，效率，线性度VS噘
VDD = 28V ， IDQ = 30mA时频率= 450兆赫，台达F = 1兆赫
45
40
35
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
IMD （ DBC）
50
增益（dB ） ，效率（％ ）
-10
增益（dB ） ，效率（％ ）
40
-20
IMD （ DBC） ， IRL （分贝）
30
25
20
15
10
5
30
-30
20
-40
10
收益
IM3
IM7
380
400
420
440
效率
IM5
IRL
460
480
500
-50
收益
IM3
IM7
效率
IM5
-60
-65
-70
0
频率（MHz）
-60
520
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
噘嘴（W PEP ）
CW增益，效率， IRL与频率
VDD = 28V ， IDQ = 30mA时噘= 3W
60
0
CW增益，效率与噘
VDD = 28V ， IDQ = 30mA时频率= 450 MHz的
22
60
50
增益（dB ） ，效率（％ ）
-5
输入回波损耗（dB ）
21.5
50
40
-10
21
增益（dB ）
40
效率（％）
30
-15
20.5
30
20
收益
效率
IRL
-20
20
20
10
-25
19.5
收益
效率
10
0
380
400
420
440
460
480
500
频率（MHz）
-30
520
19
0
0.5
1
1.5
2
的Pout （W）的
2.5
3
3.5
4
0
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在800 MHz的应用电路典型性能曲线
60
50
增益（dB ） ，效率（％ ）
2音频增益，效率，线性度和IRL与频率
VDD = 28V ， IDQ = 30mA时噘= 3W PEP ，台达F = 1兆赫
0
收益
效率
IM3
IM5
IM7
IRL
-10
IMD （ DBC） ， IRL （分贝）
增益（dB ） ，效率（％ ）
2音频增益，效率，线性度VS噘
VDD = 28V ， IDQ = 30mA时频率= 880兆赫，台达F = 1兆赫
45
40
35
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
IMD （ DBC）
40
-20
30
25
20
15
10
5
30
-30
20
-40
10
-50
收益
IM3
IM7
效率
IM5
-60
-65
-70
0
820
840
860
880
900
920
频率（MHz）
-60
940
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
噘嘴（W PEP ）
CW增益，效率， IRL与频率
VDD = 28V ， IDQ = 30mA时噘= 3W
60
0
CW增益，效率与噘
VDD = 28V ， IDQ = 30mA时频率= 880 MHz的
20
60
50
增益（dB ） ，效率（％ ）
-5
输入回波损耗（dB ）
19.5
50
40
-10
19
增益（dB ）
40
效率（％）
30
-15
18.5
30
20
收益
效率
IRL
-20
18
20
10
-25
17.5
收益
效率
10
0
820
840
860
880
900
920
频率（MHz）
-30
940
17
0
0.5
1
1.5
2
的Pout （W）的
2.5
3
3.5
4
0
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在800 MHz的应用电路典型性能曲线
CDMA增益，效率， ACPR ， ALT1 VS噘
VDD = 28V ， IDQ = 30mA时频率= 880 MHz的
45
40
增益（dB ） ，效率（％ ）
35
30
25
20
15
10
5
0
0.01
N-二CDMA IS- 95 （先导，同步，寻呼，
交通守则8 - 13 ）
N-二CDMA频谱。噘嘴= 0.3 W， VDD = 28V ， IDQ = 40毫安。
在CCDF PAR = 9.8分贝@ 0.01 ％概率
-35
20
10
0
ACPR （分贝） ， ALT1 （分贝）
1.2288 MHz信道带宽
收益
ACPR
效率
ALT1
-40
-45
-50
-55
-60
-65
-70
-75
-80
-10
-20
dB
-30
-40
-50
-60
-70
0.876
ALT1 30
千赫BW
ACPR 30
千赫BW
ACPR 30
千赫BW
ALT1 30
千赫BW
0.1
噘嘴（W PEP ）
1
0.878
0.880
频率（GHz ）
0.882
0.884
CCDF的N- CDMA IS- 95 （先导，同步，寻呼，交通
代码8 - 13 ） 。单载波测试信号
100
10
概率（％）
1
0.1
N-二CDMA 。 1.2288 MHz的信道带宽。
ACPR测量在30 kHz带宽@
± 750 kHz偏置。 ALT1测量30千赫
带宽@ ± 1980 kHz偏置。 PAR = 9.8
0.01
0.001
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
峰值 - 均值（分贝）
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初步
SLD-1026Z
产品说明
Sirenza的微器件“
SLD-1026Z
是一个强大的3瓦的高性能
LDMOS晶体管设计用于操作从10至2700MHz 。它是一个
对于需要高线性度和效率的应用解决方案，卓越的
以较低的成本。将SLD - 1026Z通常用于驱动器的设计
对于功率放大器，中继器，和RFID applications.The阶段
功率晶体管采用Sirenza的最新的，高性能的制作
LDMOS II的过程。该产品采用符合RoHS / WEEE标准
包带雾锡完成，通过“Z”后缀指定。
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
3瓦的离散LDMOS器件
塑料表面贴装封装
功能示意图
ESD
保护
专有SOF -26封装
产品特点
3瓦特输出P
1dB
单极性电源电压
高增益：19分贝915MHz的
高效率：在3W CW 44 ％
XeMOS II LDMOS
专有的低热阻封装
集成ESD保护， 1B类
基站PA驱动器
中继器
RFID
军事通信
GSM / EDGE / TD-SCDMA / CDMA / WCDMA
应用
背面桨=接地
RF连接特定的阳离子
符号
频率
收益
收益
效率
效率
IRL
IRL
参数
操作的频率
3瓦CW ， 902-928兆赫
3瓦CW ， 2110年至2170年兆赫
漏极效率为3瓦CW ， 915MHz的
漏极效率为3瓦CW ， 2140MHz时
输入回波损耗， 3瓦的输出功率， 915MHz的
输入回波损耗， 3瓦的输出功率， 2140兆赫
3阶IMD在3瓦特PEP （双色） ， 915MHz的
线性
3阶IMD在3瓦特PEP （双色） ， 2140MHz时
1dB压缩（P
1dB
） ， 915 MHz的
1dB压缩（P
1dB
） ， 2140兆赫
ACP在0.3瓦的输出， 2140MHz时， 10 MHz载波间隔，
3GPP2 ，测试模式1,64 DPCH ， 67 ％的剪裁，
PAR = 9.3 @ 0.01 ％ CCDF
IM3为0.3瓦， 2140MHz时的输出， 10 MHz载波间隔，
3GPP2 ，测试模式1,64 DPCH ， 67 ％的剪裁，
PAR = 9.3 @ 0.01 ％ CCDF
热阻（结到外壳）
V
DS
= 28.0V ，我
DQ
= 50毫安，T
轮缘
= 25C
rd
rd
单位
兆赫
dB
dB
%
%
dB
dB
dBc的
dBc的
瓦
瓦
dBc的
民
10
典型值
-
19
14
44
43
-12
-12
-28
-28
3.5
3.0
-48
最大
2700
2载波WCDMA
性能
dBc的
摄氏度/ W
-47
17
R
TH
测试条件
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，并且所有这些
信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的微器件
不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2005 Sirenza的微型器件公司全球版权所有。
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DC特定网络阳离子
符号
g
m
V
GS
门槛
V
GS
静
V
DS
击穿
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
R
DSON
参数
正向跨导@ 30毫安我
DS
I
DS
= 3mA电流， V
DS
=28V
I
DS
= 50mA时V
DS
=28V
1毫安V
DS
当前
输入电容（门源）V
GS
=0V V
DS
=28V
反向电容（栅漏）V
GS
=0V V
DS
=28V
输出电容（漏极至源极）V
GS
=0V V
DS
=28V
漏极到源极电阻，V
GS
=10V V
DS
=250mV
单位
毫安/ V
伏
伏
伏
pF
pF
pF
3
民
典型
150
4.2
4
65
5.2
0.2
3.2
3.0
5
最大
质量指标
参数
ESD额定值
描述
人体模型
等级
1B
引脚说明
针＃
1, 3
2
4, 6
5
GND
功能
NC
门
NC
漏
源， GND
描述
这些引脚没有内部连接到封装。总线它们的引脚2所示，该应用电路。
晶体管RF输入和栅极偏置电压。栅极偏置电压必须进行温度补偿，以保持恒定
偏置电流在整个工作温度范围内。必须小心，以防止视频瞬时超过
最大输入功率或电压。
这些引脚没有内部连接到封装。总线他们中所示的应用程序的电路的引脚5 。
晶体管的RF输出和漏极偏压。典型电压28V 。
这些引脚的直流连接到背面桨。它们提供的背面桨良好的热连接的
手工焊接和返修。许多热和电接地通孔，推荐如图所示的着陆图案。
引脚图
GND
1
ESD
保护
6
5
2
绝对最大额定值
参数
漏极电压（V
DS
)
栅极电压（V
GS
)
RF输入功率
负载阻抗为无损伤连续运行
输出设备通道温度
工作温度范围
价值
35
20
+30
10:1
+150
-40至+85
-40到+150
单位
伏
伏
DBM
VSWR
C
C
C
3
GND
4
存储温度范围
该设备超出这些限制的任何一个操作可能会造成永久性的损害。为
可靠连续运行看一个页面上表中规定的典型设定值。
注1 ：
栅极电压必须施加到V
GS
同时或应用程序的漏极电压，以防止潜在的破坏性振荡后导致。偏置电压
不应该被施加到晶体管，除非它被适当地终止在两个输入和输出。
注2 ：
所需的V
GS
对应于一个特定的I
DQ
将从设备到设备而变化，由于正常裸片到裸片的变化的阈值电压与LDMOS
晶体管。
注3 ：
阈值电压（V
gsth
）的LDMOS晶体管随器件温度。外部温度补偿是必须的。见Sirenza的
应用笔记AN- 067 LDMOS偏置温度补偿。
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
303 S.科技法庭
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
http://www.sirenza.com
EDS - 104157冯
初步
SLD - 1026Z 3瓦的LDMOS FET
在400 MHz的应用电路典型性能曲线
60
2音频增益，效率，线性度和IRL与频率
VDD = 28V ， IDQ = 30mA时噘= 3W PEP ，台达F = 1兆赫
0
2音频增益，效率，线性度VS噘
VDD = 28V ， IDQ = 30mA时频率= 450兆赫，台达F = 1兆赫
45
40
35
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
IMD （ DBC）
50
增益（dB ） ，效率（％ ）
-10
增益（dB ） ，效率（％ ）
40
-20
IMD （ DBC） ， IRL （分贝）
30
25
20
15
10
5
30
-30
20
-40
10
收益
IM3
IM7
380
400
420
440
效率
IM5
IRL
460
480
500
-50
收益
IM3
IM7
效率
IM5
-60
-65
-70
0
频率（MHz）
-60
520
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
噘嘴（W PEP ）
CW增益，效率， IRL与频率
VDD = 28V ， IDQ = 30mA时噘= 3W
60
0
CW增益，效率与噘
VDD = 28V ， IDQ = 30mA时频率= 450 MHz的
22
60
50
增益（dB ） ，效率（％ ）
-5
输入回波损耗（dB ）
21.5
50
40
-10
21
增益（dB ）
40
效率（％）
30
-15
20.5
30
20
收益
效率
IRL
-20
20
20
10
-25
19.5
收益
效率
10
0
380
400
420
440
460
480
500
频率（MHz）
-30
520
19
0
0.5
1
1.5
2
的Pout （W）的
2.5
3
3.5
4
0
303 S.科技法庭
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
3
http://www.sirenza.com
EDS - 104157冯
初步
SLD - 1026Z 3瓦的LDMOS FET
在800 MHz的应用电路典型性能曲线
60
50
增益（dB ） ，效率（％ ）
2音频增益，效率，线性度和IRL与频率
VDD = 28V ， IDQ = 30mA时噘= 3W PEP ，台达F = 1兆赫
0
收益
效率
IM3
IM5
IM7
IRL
-10
IMD （ DBC） ， IRL （分贝）
增益（dB ） ，效率（％ ）
2音频增益，效率，线性度VS噘
VDD = 28V ， IDQ = 30mA时频率= 880兆赫，台达F = 1兆赫
45
40
35
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
IMD （ DBC）
40
-20
30
25
20
15
10
5
30
-30
20
-40
10
-50
收益
IM3
IM7
效率
IM5
-60
-65
-70
0
820
840
860
880
900
920
频率（MHz）
-60
940
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
噘嘴（W PEP ）
CW增益，效率， IRL与频率
VDD = 28V ， IDQ = 30mA时噘= 3W
60
0
CW增益，效率与噘
VDD = 28V ， IDQ = 30mA时频率= 880 MHz的
20
60
50
增益（dB ） ，效率（％ ）
-5
输入回波损耗（dB ）
19.5
50
40
-10
19
增益（dB ）
40
效率（％）
30
-15
18.5
30
20
收益
效率
IRL
-20
18
20
10
-25
17.5
收益
效率
10
0
820
840
860
880
900
920
频率（MHz）
-30
940
17
0
0.5
1
1.5
2
的Pout （W）的
2.5
3
3.5
4
0
303 S.科技法庭
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
4
http://www.sirenza.com
EDS - 104157冯
初步
SLD - 1026Z 3瓦的LDMOS FET
在800 MHz的应用电路典型性能曲线
CDMA增益，效率， ACPR ， ALT1 VS噘
VDD = 28V ， IDQ = 30mA时频率= 880 MHz的
45
40
增益（dB ） ，效率（％ ）
35
30
25
20
15
10
5
0
0.01
N-二CDMA IS- 95 （先导，同步，寻呼，
交通守则8 - 13 ）
N-二CDMA频谱。噘嘴= 0.3 W， VDD = 28V ， IDQ = 40毫安。
在CCDF PAR = 9.8分贝@ 0.01 ％概率
-35
20
10
0
ACPR （分贝） ， ALT1 （分贝）
1.2288 MHz信道带宽
收益
ACPR
效率
ALT1
-40
-45
-50
-55
-60
-65
-70
-75
-80
-10
-20
dB
-30
-40
-50
-60
-70
0.876
ALT1 30
千赫BW
ACPR 30
千赫BW
ACPR 30
千赫BW
ALT1 30
千赫BW
0.1
噘嘴（W PEP ）
1
0.878
0.880
频率（GHz ）
0.882
0.884
CCDF的N- CDMA IS- 95 （先导，同步，寻呼，交通
代码8 - 13 ） 。单载波测试信号
100
10
概率（％）
1
0.1
N-二CDMA 。 1.2288 MHz的信道带宽。
ACPR测量在30 kHz带宽@
± 750 kHz偏置。 ALT1测量30千赫
带宽@ ± 1980 kHz偏置。 PAR = 9.8
0.01
0.001
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
峰值 - 均值（分贝）
303 S.科技法庭
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
5
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