【SLA5022绝对最大额定值符号VMIOIOPVGSSIBPT评级60±6(PW≤100ms)±10】,IC型号SLA5022,SLA5022 PDF资料,SLA5022经销商,ic,电子元器件-51电子网

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SLA5022

绝对最大额定值

符号

V

M

I

O

I

OP

V

GSS

I

B

P

T

评级

60

±6

(PW≤100ms)

±10

(PW≤1ms)

±10

–0.5

5 (T

a

=25°C)

35 (T

c

=25°C)

25

3.57

1000（间翅片及引线脚， AC）的

150

-40到+150

PNP达林顿+ N沟道MOSFET

3相电机的驱动

(T

a

=25°C)

外形尺寸

A

SLA

电气特性（水槽： N沟道MOSFET ）

符号

V

（ BR ） DSS

I

GSS

I

DSS

V

TH

回复（ YFS ）

R

DS （ ON）

C

国际空间站

C

OSS

t

on

t

关闭

V

SD

t

rr

民

60

规范

典型值

最大

±500

1.0

3.1

250

2.0

4.6

0.17

0.25

400

160

80

50

1.1

150

1.5

0.22

0.30

单位

V

nA

(T

a

=25°C)

单位

V

A

A

V

A

W

° C / W

° C / W

V

RMS

°C

°C

条件

I

D

=250

A，V

GS

=0V

V

GS

=±10V

V

DS

=60V, V

GS

=0V

V

DS

= 10V ，我

D

=250

A

V

DS

= 10V ，我

D

=4A

V

GS

= 10V ，我

D

=4A

V

GS

= 4V ，我

D

=4A

V

DS

= 25V ， F = 1.0MHz的，

V

GS

=0V

I

D

= 4A ，V

DD

=30V,

V

GS

=5V

I

SD

= 4A ，V

GS

=0V

I

F

=±100mA

A

V

S

W

pF

pF

ns

ns

V

ns

θ

J- á

θ

J-

V

ISO

T

j

T

英镑

sEquivalent

电路图

1

R

1

R

2

V

M

2

8

3

OUT

1

9

7

OUT

2

10

OUT

3

4

6

5

11

12

R

1

：典型的3kΩ

2

： 80Ω （典型值）

特性曲线（ N沟道）

V

DS

-I

D

特性（典型值）

10

10V

V

GS

-I

D

温度特性（典型）

10

I

DS

-R

DS （ ON）

特性（典型值）

0.3

(V

DS

=10V)

8

4V

8

4V

I

D

(A)

6

3.5V

6

I

D

(A)

（上）

()

0.2

4

4

T

C

=–40°C

25°C

R

DS

V

GS

=10V

0.1

V

GS

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2

2

125°C

0

0

2

4

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8

10

0

0

1

2

3

4

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0

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

V

DS

(V)

V

GS

(V)

I

D

(A)

I

D

-re

（ YFS ）

温度特性（典型）

10

V

DS

=10V

T

C

-R

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特性（典型值）

(I

D

=2.5A)

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V

DS

-Cpacitance特性（典型）

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西塞

V

GS

=0V

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5

500

°

C

4V

T

()

0

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=

5

°

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C

电容（pF）

0.3

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科斯

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=10V

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1

25°C

R

DS

50

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10

0

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30

40

50

I

D

(A)

T

C

(°C)

V

DS

(V)

V

SD

-I

DR

特性（典型值）

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C

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D

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0

s

10

ED

8

M

1m

10

s

5

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N

)

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m

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sh

ot

)

I

DR

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I

D

(A)

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10V

1

4

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2

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0

0.5

1.0

1.5

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1

5

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V

SD

(V)

V

DS

(V)

60

SLA5022

电气特性（来源： PNP晶体管）

符号

I

CBO

I

EBO

V

首席执行官

h

FE

V

CE

（SAT）

V

BE

（SAT）

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t

rr

t

on

t

英镑

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f

f

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ob

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1.0

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–1

–60

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5000

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V

V

V

民

规范

典型值

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a

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V

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I

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C

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C

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I

C

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E

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mA

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s

s

s

s

兆赫

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I

C

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CE

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I

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C

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20000

h

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20000

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CE

=–4V)

(V

CE

=–4V)

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典型值

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5000

5000

I

C

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FE

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–1mA

h

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1000

1000

°

C

25

C

=1

75

°

T

a

°

C

25

–3

C

0

°

–2

500

500

0

0

–2

–4

–6

200

–0.1

–0.5

–1

–5

–10

200

–0.1

–0.5

–1

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V

CE

(V)

I

C

(A)

I

C

(A)

V

CE

（SAT） -I

C

温度特性（典型）

–3

V

CE

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特性（典型值）

–3

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C

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(I

C

/ I

B

=1000)

(V

CE

=–4V)

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V

CE

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V

CE

（ SAT ）（V ）

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–2

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I

C

(A)

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I

C

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T

a

=–30°C

–1

75°C

125°C

I

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–0.1

–0.5

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–5

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–5

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C

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=

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°

C

25

°

C

25°C

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I

C

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I

C

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V

BE

(V)

θ

J- á

-pw特点

20

–20

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P

T

-T

a

特征

硅脂

自然冷却

所有的电路工作

10

–10

10

–5

1m

10

ms

s

0

s

θ

CH-C

（ ° C / W）

I

C

(A)

5

第i个

W

P

T

(W)

In

鳍

ITE

He

–1

–0.5

at

罪

k

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1

单脉冲

无需散热器

T

a

=25°C

5

0

0

无需散热器

0.5

1

5

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50 100

500 1000

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–3

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CE

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(°C)

61

SLA5022

绝对最大额定值

符号

V

M

I

O

I

OP

V

GSS

I

B

P

T

评级

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(PW≤1ms)

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=25°C)

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3.57

1000（间翅片及引线脚， AC）的

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-40到+150

PNP达林顿+ N沟道MOSFET

3相电机的驱动

(T

a

=25°C)

外形尺寸

A

SLA （ 12针）

电气特性（水槽： N沟道MOSFET ）

符号

V

（ BR ） DSS

I

GSS

I

DSS

V

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回复（ YFS ）

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DS （ ON）

C

国际空间站

C

OSS

t

on

t

关闭

V

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t

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民

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规范

典型值

最大

±500

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单位

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nA

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pF

ns

ns

V

ns

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单位

V

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A

V

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° C / W

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RMS

°C

°C

条件

I

D

=250

A，V

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=0V

V

GS

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V

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V

DS

= 10V ，我

D

=250

A

V

DS

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V

GS

= 10V ，我

D

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V

GS

= 4V ，我

D

=4A

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= 25V ， F = 1.0MHz的，

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=0V

I

D

= 4A ，V

DD

=30V,

V

GS

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= 4A ，V

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=0V

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j

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英镑

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1

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9

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2

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R

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：典型的3kΩ

2

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DS

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特性（典型值）

10

10V

V

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-I

D

温度特性（典型）

10

I

DS

-R

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特性（典型值）

0.3

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DS

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8

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8

4V

I

D

(A)

6

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0

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2

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(V)

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I

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温度特性（典型）

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特性（典型值）

(I

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DS

-Cpacitance特性（典型）

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西塞

V

GS

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5

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°

C

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T

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–

C

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C

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电容（pF）

0.3

重（ YFS ）（S）

科斯

（上）

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GS

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T

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(°C)

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(V)

V

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-I

DR

特性（典型值）

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=25°C)

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I

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（脉冲）最大

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LI

M

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1m

10

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m

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sh

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ot

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DR

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VGS=0V

10V

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0.5

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1.5

0.1

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R

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1

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V

SD

(V)

V

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(V)

60

SLA5022

电气特性（来源： PNP晶体管）

符号

I

CBO

I

EBO

V

首席执行官

h

FE

V

CE

（SAT）

V

BE

（SAT）

V

FEC

t

rr

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f

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ob

1.0

1.0

1.4

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V

V

V

民

规范

典型值

最大

–10

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=25°C)

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V

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V

EB

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I

C

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V

CE

= -4V ，我

C

=–4A

I

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FEC

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F

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C

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E

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V

CB

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A

mA

V

s

s

s

s

兆赫

pF

特性曲线（ PNP ）

I

C

-V

CE

特性（典型值）

–12

I

B

=–10mA

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mA

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FE

-I

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特性（典型值）

20000

h

FE

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C

温度特性（典型）

20000

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(V

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5000

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FE

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°

C

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500

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200

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I

C

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温度特性（典型）

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C

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（ SAT ）（V ）

V

CE

（ SAT ）（V ）

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C

(A)

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C

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C

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I

C

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I

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V

BE

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20

–20

安全工作区（ SOA ）

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25

20

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P

T

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a

特征

硅脂

自然冷却

所有的电路工作

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–10

10

–5

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1m

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（ ° C / W）

I

C

(A)

5

第i个

W

P

T

(W)

ITE

鳍

In

k

罪

at

He

–1

–0.5

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1

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T

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无需散热器

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(°C)

61

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联系人：连

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