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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1582页 > SL74HC595D
SL74HC595
8位串行输入/串行或并行输出移位
与锁存三态输出寄存器
高性能硅栅CMOS
该SL74HC595在引出线的LS / ALS595相同。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器，它们与LS / ALSTTL输出兼容。
该SL74HC595由一个8位的移位寄存器和一个8位的D型
三态并行输出锁存型。移位寄存器接受
串行数据，并提供一个串行输出。移位寄存器还提供了
并行数据到8
位的锁存器。移位寄存器和锁存器有
独立的时钟输入。此装置还具有异步复位
对于移位寄存器。
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
订购信息
SL74HC595N塑料
SL74HC595D SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
引脚分配
逻辑图
PIN 16 = V
CC
PIN 8 = GND
SLS
系统逻辑
半导体
SL74HC595
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中，塑料DIP功耗+
SOIC封装+
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
价值
-0.5到+7.0
-1.5到V
CC
+1.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±35
±75
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图1 ）
V
CC
=2.0 V
V
CC
=4.5 V
V
CC
=6.0 V
民
2.0
0
-55
0
0
0
最大
6.0
V
CC
+125
1000
500
400
单位
V
V
°C
ns
该器件包含保护电路，以防止损坏，由于高静电压或电
场。但是，必须采取预防措施，以避免超过最大额定更高的任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作，V
IN
和V
OUT
应限制到范围
GND≤ （V
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或V） 。
CC
未使用的输出必须悬空。
SLS
系统逻辑
半导体
SL74HC595
DC电气特性
（电压参考GND）
V
CC
符号
参数
测试条件
V
保证限额
25
°C
to
-55°C
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
±0.5
≤85
°C
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1.0
±5.0
≤125
°C
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1.0
±10
A
A
V
V
V
单位
V
IH
最小高级别
输入电压
最大的低-Level
输入电压
最小高级别
输出电压，Q
A
-
Q
H
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V
I
OUT
≤
20
A
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V
I
OUT
≤
20
A
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OUT
≤
20
A
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OUT
≤
6.0毫安
I
OUT
≤
7.8毫安
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
6.0
6.0
V
V
IL
V
V
OH
V
V
OL
最底层
输出电压，Q
A
-
Q
H
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OUT
≤
20
A
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OUT
≤
6.0毫安
I
OUT
≤
7.8毫安
V
OH
最小高级别
输出电压， SQ
H
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OUT
≤
20
A
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OUT
≤
4.0毫安
I
OUT
≤
5.2毫安
V
OL
最底层
输出电压， SQ
H
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OUT
≤
20
A
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OUT
≤
4.0毫安
I
OUT
≤
5.2毫安
I
IN
I
OZ
最大输入
漏电流
最大的三态
漏电流，Q
A
-
Q
H
最大静态
电源电流
（每包）
V
IN
=V
CC
或GND
输出高阻抗
状态
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
IN
=V
CC
或GND
V
IN
=V
CC
或GND
I
OUT
=0A
I
CC
6.0
4.0
40
160
A
SLS
系统逻辑
半导体
SL74HC595
SLS
系统逻辑
半导体
SL74HC595
AC电气特性
(C
L
= 50pF的，输入吨
r
=t
f
= 6.0纳秒）
V
CC
符号
f
最大
参数
最低时钟频率（ 50 ％占空比）
（图1和7 ）
最大传输延迟，移位时钟，以SQ
H
（图1和7 ）
最大传输延迟，复位到SQ
H
（图2和7）
最大传输延迟，时钟锁存到Q
A
-
Q
H
（图3和7）
最大传输延迟，输出使能到
Q
A
-Q
H
（图4和8）的
最大传输延迟，输出使能到
Q
A
-Q
H
（图4和8）的
最大输出转换时间，Q
A
-Q
H
（图
3和7）
最大输出转换时间， SQ
H
（图1和7）
最大输入电容
最大三态输出电容
（输出高阻抗状态） ，Q
A
-Q
H
功率耗散电容（每包）
C
PD
用于确定空载动态功率
消费：
P
D
=C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
-
-
保证限额
25
°C
to
-55°C
6.0
30
35
140
28
24
145
29
25
140
28
24
150
30
26
135
27
23
60
12
10
75
15
13
10
15
≤85
°C
4.8
24
28
175
35
30
180
36
31
175
35
30
190
38
33
170
34
29
75
15
13
95
19
16
10
15
≤125
°C
4.0
20
24
210
42
36
220
44
38
210
42
36
225
45
38
205
41
35
90
18
15
110
22
19
10
15
单位
兆赫
t
PLH
, t
PHL
ns
t
PHL
ns
t
PLH
, t
PHL
ns
t
PLZ
, t
PHZ
ns
t
PZL
, t
PZH
ns
t
TLH
, t
THL
ns
t
TLH
, t
THL
ns
C
IN
C
OUT
pF
pF
典型的25°C ，V
CC
=5.0 V
300
pF
SLS
系统逻辑
半导体
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SC2642TSTRT
SFI-A3216-101
ST62T09LN3/OTP
S-875037CUP-ACC-T2
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