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SL74HC4051
模拟多路复用器多路解复用器
高性能硅栅CMOS
该SL74HC4051利用硅栅CMOS技术来实现
快速传播延迟,低导通电阻和低关断漏泄
电流。这些模拟多路复用器/多路分解器控制的模拟
电压穿越整个电源范围可能会有所不同(从
V
CC
到V
EE
).
信道选择输入决定模拟的哪一个
输入/输出端被连接,通过一个模拟开关的装置,以
通用输出/ Input.When的使能引脚为高电平时,所有的模拟
开关关断。
信道选择和启用输入与标准兼容
CMOS输出;与上拉电阻,它们与兼容
LS / ALSTTL输出。
快速交换和传播速度
交换机之间的低串扰
所有输入/输出保护二极管
模拟电源电压范围(V
CC
-V
EE
) = 2.0 12.0 V
数字(控制)电源电压范围(V
CC
-GND )= 2.0 6.0 V
低噪音
订购信息
SL74HC4051N塑料
SL74HC4051D SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
引脚分配
逻辑图
单极, 8位加共关闭
功能表
控制输入
启用
C
L
L
L
L
PIN 16 = V
CC
引脚7 = V
EE
PIN 8 = GND
L
L
L
L
H
L
L
L
L
H
H
H
H
X
SELECT
B
L
L
H
H
L
L
H
H
X
A
L
H
L
H
L
H
L
H
X
X0
X1
X2
X3
X4
X5
X6
X7
ON
频道
X =无关
SLS
系统逻辑
半导体
SL74HC4051
最大额定值
*
符号
V
CC
V
EE
V
IS
V
IN
I
P
D
TSTG
T
L
*
参数
正直流电源电压(参考GND)
(参考V
EE
)
负直流电源电压(参考GND)
模拟输入电压
数字输入电压(参考GND)
直流输入电流流入或流出的任何引脚
在静止空气中,塑料DIP功耗+
SOIC封装+
储存温度
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
(塑料DIP或SOIC封装)
价值
-0.5到+7.0
-0.5至14.0
-7.0到+0.5
V
EE
- 0.5 V
CC
+0.5
-1.5到V
CC
+1.5
±25
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
V
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/°C, 65 °至125°C
SOIC封装: - 7毫瓦/°C, 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
EE
V
IS
V
IN
V
IO *
T
A
t
r
, t
f
参数
正电源电压(参考GND)
(参考V
EE
)
负直流电源电压(参考GND)
模拟输入电压
数字输入电压(参考GND)
在开关的静态或动态电压
工作温度,所有封装类型
输入上升和下降时间(通道选择
或使能输入)
V
CC
=2.0 V
V
CC
=4.5 V
V
CC
=6.0 V
2.0
2.0
- 6.0
V
EE
GND
-
-55
0
0
0
最大
6.0
12.0
GND
V
CC
V
CC
1.2
+125
1000
500
400
单位
V
V
V
V
V
°C
ns
*
对电压降的开关大于1.2伏(开关) ,过度V通电可得出;
CC
我。即,电流从开关可同时含有V
CC
并切换输入组件。的可靠性
设备将不会受到影响,除非最大额定值超出。
该器件包含保护电路,以防止损坏,由于高静电压或电
场。但是,必须采取预防措施,以避免超过最大额定更高的任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作,V
IN
和V
OUT
应限制到范围
在推荐工作条件表示..
未使用数字输入引脚必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如, GND或
V
CC
) 。未使用的模拟量I / O引脚可以悬空或终止。
SLS
系统逻辑
半导体
SL74HC4051
DC电气特性
数字部分(电压参考GND )V
EE
= GND ,
除非另有说明
V
CC
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压,通道 -
选择或使能输入
最大的低-Level
输入电压,通道 -
选择或使能输入
最大输入
漏电流,
通道选择或
使能输入
最大静态
电源电流(每
包)
测试条件
R
ON
=每规格
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
6.0
保证限额
25
°C
to
-55°C
1.5
3.15
4.2
0.3
0.9
1.2
±0.1
≤85
°C
1.5
3.15
4.2
0.3
0.9
1.2
±1.0
≤125
°C
1.5
3.15
4.2
0.3
0.9
1.2
±1.0
单位
V
V
IL
R
ON
=每规格
V
I
IN
V
IN
=V
CC
或GND ,
V
EE
=-6.0 V
A
I
CC
通道选择= V
CC
或GND
ENABLE - V
CC
或GND
V
IS
= V
CC
或GND
V
IO
= 0 V
V
EE
= GND
V
EE
= - 6.0
A
6.0
6.0
2
8
20
80
40
160
DC电气特性
模拟部分
V
CC
符号
R
ON
参数
最大“开”电阻
测试条件
V
IN
=V
IL
或V
IH
V
IS
= V
CC
或V
EE
I
S
2.0毫安(图1 )
V
IN
=V
IL
或V
IH
V
IS
= V
CC
或V
EE
(端点)
I
S
2.0毫安(图1 )
R
ON
在“ON”的最大区别
任何之间的电阻
两个通道在同一
最大的场外渠道
泄漏电流,在任何一
通道
最大的场外渠道
泄漏电流,普通
通道
I
ON
最大的同频
泄漏电流,通道到
通道
V
IN
=V
IL
或V
IH
V
IS
= 1/2 (V
CC
- V
EE
)
I
S
2.0毫安
V
IN
=V
IL
或V
IH
V
IO
= V
CC
- V
EE
开关关闭(图2 )
V
IN
=V
IL
或V
IH
V
IO
= V
CC
- V
EE
开关(图3 )
V
IN
=V
IL
或V
IH
交换机到交换机= V
CC
-
V
EE
(图4)
V
4.5
4.5
6.0
4.5
4.5
6.0
4.5
4.5
6.0
6.0
V
EE
V
0.0
-4.5
-6.0
0.0
-4.5
-6.0
0.0
-4.5
-6.0
-6.0
保证限额
25
°C
to
-55°C
190
120
100
150
100
80
30
12
10
0.1
≤85
°C
240
150
125
190
125
100
35
15
12
0.5
≤125
单位
°C
280
170
140
230
140
115
40
18
14
1.0
I
关闭
A
6.0
-6.0
0.2
2.0
4.0
6.0
-6.0
0.2
2.0
4.0
A
SLS
系统逻辑
半导体
SL74HC4051
AC电气特性
(C
L
= 50pF的,输入吨
r
=t
f
= 6.0纳秒)
V
CC
符号
t
PLH
, t
PHL
参数
最大传输延迟,通道选择
模拟输出(图8和图9)
最大传输延迟,模拟输入
模拟输出(图10和图11)
最大传输延迟,启用以模拟
输出(图12和13)的
最大传输延迟,启用以模拟
输出(图12和13)的
最大输入容量,信道选择或
使能输入
最大电容
模拟量I / O
COMMON O / I
穿心
功率耗散电容(每包)
(图14)
C
PD
用于确定空载动态功率
消费:
P
D
=C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
所有开关OFF
-
-
130
1.0
130
1.0
130
1.0
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
-
-
保证限额
25
°C
to
-55°C
370
74
63
60
12
10
290
58
49
345
69
59
10
35
≤85°C
465
93
79
75
15
13
364
73
62
435
87
74
10
35
≤125°C
550
110
94
90
18
15
430
86
73
515
103
87
10
35
单位
ns
t
PLH
, t
PHL
ns
t
PLZ
, t
PHZ
ns
t
PZL
, t
PZH
ns
C
IN
C
I / O
pF
pF
典型的25°C ,V
CC
=5.0 V, V
EE
=0 V
45
pF
SLS
系统逻辑
半导体
SL74HC4051
额外的应用特性
( GND = 0.0 V)
V
CC
符号
BW
参数
最大开 -
通道
带宽或
最低
频率
响应
(图5)
关通道
穿心
隔离
(图6)
测试条件
f
in
= 1 MHz的正弦波
调整F
in
电压,以获得0 dBm的在V
OS
增加F
in
频直到分贝仪
读取的-3 dB
R
L
=50
,
C
L
= 10 pF的
V
V
EE
V
极限
*
25
°C
单位
兆赫
2.25
4.50
6.00
-2.25
-4.50
-6.00
80
80
80
-
f
in
正弦波
调整F
in
电压,以获得0 dBm的在V
IS
f
in
= 10千赫,R
L
=600
,
C
L
= 50 pF的
2.25
4.50
6.00
f
in
= 1.0兆赫,R
L
=50
,
C
L
= 10 pF的
2.25
4.50
6.00
-2.25
-4.50
-6.00
-2.25
-4.50
-6.00
-50
-50
-50
-40
-40
-40
dB
-
穿心
噪声,通道
选择输入到
COMMON O / I
(图7)
V
IN
1 MHz的方波(T
r
= t
f
= 6纳秒)
调整R
L
在安装程序,这样我
S
= 0 =启用
GND
R
L
=600
,
C
L
= 50 pF的
mV
PP
2.25
4.50
6.00
2.25
4.50
6.00
-2.25
-4.50
-6.00
-2.25
-4.50
-6.00
25
105
135
35
145
190
%
R
L
=10
,
C
L
= 10 pF的
THD
总谐波
f
in
= 1千赫,R
L
= 10 kΩ的,C
L
= 50 pF的
失真( THD图THD =
- THD
来源
15)
V
IS
=4.0 V
PP
正弦波
V
IS
=8.0 V
PP
正弦波
V
IS
=11.0 V
PP
正弦波
2.25
4.50
6.00
-2.25
-4.50
-6.00
0.10
0.08
0.05
*没有测试极限。由设计决定,并经资格验证。
SLS
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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