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SL74HC323
8位双向通用
移位寄存器与并行I / O
高性能硅栅CMOS
该SL74HC323在引出线的LS / ALS323相同。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器,它们与LS / ALSTTL输出兼容。
该SL74HC323设有多路并行输入/输出数据
端口主动全8位处理的20引脚封装。由于大
输出驱动能力和三态功能,这种装置是理想
适合用在面向总线的系统总线接口。
订购信息
两种模式选择输入和两个输出使能输入用于
SL74HC323N塑料
选择的操作模式为在功能表中列出。
SL74HC323D SOIC
同步并行加载,采取两种模式 - 完成
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
选择线, S和S
2
高。这会将输出中的高
1
阻抗状态,这允许施加到数据端口的数据被
读入寄存器。读出寄存器中的可
当被使能的输出来实现的。低电平有效的复位同步覆盖所有其他投入。
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
引脚分配
工作电压范围: 2.0 6.0 V
低输入电流: 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
逻辑图
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
SLS
系统逻辑
半导体
SL74HC323
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
DC输出电压(参考GND)
DC输入电流,每个引脚
直流输出电流,每个引脚
直流电源电流,V
CC
和GND引脚
在静止空气中,塑料DIP功耗+
SOIC封装+
储存温度
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
(塑料DIP或SOIC封装)
价值
-0.5到+7.0
-1.5到V
CC
+1.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±35
±75
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/°C, 65 °至125°C
SOIC封装: - 7毫瓦/°C, 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压(参考GND)
直流输入电压,输出电压(参考GND)
工作温度,所有封装类型
输入上升和下降时间(图1 )
V
CC
=2.0 V
V
CC
=4.5 V
V
CC
=6.0 V
2.0
0
-55
0
0
0
最大
6.0
V
CC
+125
1000
500
400
单位
V
V
°C
ns
该器件包含保护电路,以防止损坏,由于高静电压或电
场。但是,必须采取预防措施,以避免超过最大额定更高的任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作,V
IN
和V
OUT
应限制到范围
GND≤ (V
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如, GND或V) 。
CC
未使用的输出必须悬空。 I / O引脚都必须连接到一个适当的端接线路或公交车。
SLS
系统逻辑
半导体
SL74HC323
DC电气特性
(电压参考GND)
V
CC
符号
参数
测试条件
V
保证限额
25
°C
to
-55°C
1.5
3.15
4.2
0.3
0.9
1.2
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.26
0.26
±0.1
±0.5
≤85
°C
1.5
3.15
4.2
0.3
0.9
1.2
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.33
0.33
±1.0
±5.0
≤125
°C
1.5
3.15
4.2
0.3
0.9
1.2
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
0.4
0.4
±1.0
±10
A
A
V
单位
V
IH
最小高级别
输入电压
最大的低-Level
输入电压
最小高级别
输出电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V
I
OUT
20
A
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V
I
OUT
20
A
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OUT
20
A
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OUT
6.0毫安( P / Q)
I
OUT
7.8毫安( P / Q)
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OUT
4.0毫安( Q' )
I
OUT
5.2毫安( Q' )
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
4.5
6.0
6.0
6.0
V
V
IL
V
V
OH
V
V
OL
最底层
输出电压
V
IN
= V
IL
或V
IH
I
OUT
20
A
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OUT
6.0毫安( P / Q)
I
OUT
7.8毫安( P / Q)
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OUT
4.0毫安( Q' )
I
OUT
5.2毫安( Q' )
I
IN
I
OZ
最大输入
漏电流
最大的三态
漏电流
(Q
A
直通Q
H
)
最大静态
电源电流
(每包)
V
IN
=V
CC
或GND
输出高阻抗
状态
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
OUT
=V
CC
或GND
V
IN
=V
CC
或GND
I
OUT
=0A
I
CC
6.0
8.0
80
160
A
SLS
系统逻辑
半导体
SL74HC323
AC电气特性
(C
L
= 50pF的,输入吨
r
=t
f
= 6.0纳秒)
V
CC
符号
f
最大
参数
最大时钟频率( 50 %占空比)
(图1和5)
最大传输延迟,时钟到Q
A
'或Q
H
(图1和5)
最大传输延迟,时钟到Q
A
或Q
H
(图1和5)
最大传输延迟, OE1 , OE2 , S1 , S2或
以Q
A
直通Q
H
(图3和6)
最大传输延迟, OE1 , OE2 , S1 , S2或
以Q
A
直通Q
H
(图3和6)
最大输出转换时间,Q
A
直通Q
H
(图1和5)
最大输出转换时间,Q
A
'或Q
H
(图1和5)
最大输入电容
最大三态输出电容
(输出高阻抗状态) ,Q
A
直通Q
H
功率耗散电容(每包) ,
输出使能
C
PD
用于确定空载动态功率
消费:
P
D
=C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
-
-
保证限额
25
°C
to
-55°C
5.0
25
29
170
34
29
160
32
27
150
30
26
150
30
26
60
12
10
75
15
13
10
15
≤85
°C
4.0
20
24
215
43
37
200
40
34
190
38
33
190
38
33
75
15
13
95
19
16
10
15
≤125
°C
3.4
17
20
255
51
43
240
48
41
225
45
38
225
45
38
90
18
15
110
22
19
10
15
单位
兆赫
t
PLH
, t
PHL
ns
t
PLH
, t
PHL
ns
t
PLZ
, t
PHZ
ns
t
PZL
, t
PZH
ns
t
TLH
, t
THL
ns
t
TLH
, t
THL
ns
C
IN
C
OUT
pF
pF
典型的25°C ,V
CC
=5.0 V
240
pF
SLS
系统逻辑
半导体
SL74HC323
时序要求
(C
L
= 50pF的,输入吨
r
=t
f
= 6.0纳秒)
V
CC
符号
t
su
参数
最小建立时间,模式选择S1
或S2到时钟(图4)
最小建立时间,数据输入S
A
,
S
H
, P
A
直通P
H
时钟
(图4)
最小保持时间,时钟为模式
选择S1或S2 (图4)
最小保持时间,时钟到数据
输入,S
A
, S
H
, P
A
直通P
H
(图4)
最小脉冲宽度,时钟(图
1)
最小脉冲宽度,复位(图
2)
最大输入上升和下降时间
(图1)
V
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
保证限额
25
°C
to-55°C
100
20
17
100
20
17
120
24
20
5
5
5
80
16
14
80
16
14
1000
500
400
≤85°C
125
25
21
125
25
21
150
30
26
5
5
5
100
20
17
100
20
17
1000
500
400
≤125°C
150
30
26
150
30
26
180
36
31
5
5
5
120
24
20
120
24
20
1000
500
400
单位
ns
t
su
ns
t
h
ns
t
h
ns
t
w
ns
t
w
ns
t
r
, t
f
ns
SLS
系统逻辑
半导体
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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