SL4015B
双路4级静态移位寄存器
高压硅栅CMOS
该SL4015B由两个相同的，独立的， 4级serial-
输入/并行输出寄存器。每个寄存器有独立的时钟
和RESET输入以及一个串行数据输入。 “Q”输出
可从各两个寄存器中的四个阶段。所有的寄存器
阶段是D型，主从触发器。的逻辑电平存在于所述
数据输入被传递到第一级寄存器和移位过
一个阶段，在每个正向时钟过渡。重置所有
级是由一个高级别上的复位线来实现的。注册
扩展到使用一个SL4015B包8的阶段，或以多于8
使用阶段附加SL4015B的是可能的。
工作电压范围： 3.0 18 V
1最大输入电流
A
在18 V以上全包 -
温度范围内100 nA的在18 V和25℃
噪声容限（在整个封装温度范围） ：
1.0 V分钟@ 5.0 V电源
2.0 V分钟@ 10.0 V电源
订购信息
SL4015BN塑料
SL4015BD SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
引脚分配
逻辑图
功能表
输入
时钟
数据
L
H
PIN 16 = V
CC
PIN 8 = GND
2.5 V分钟@ 15.0 V电源
X
X
X
RESET
L
L
L
H
输出
Q1
L
H
Q
n
Q
n-1
Q
n-1
没有变化
L
L
X =无关
SLS
系统逻辑
半导体
SL4015B
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
P
D
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
在静止空气中，塑料DIP功耗+
SOIC封装+
每个输出晶体管功耗
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
价值
-0.5至+20
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5到V
CC
+0.5
±10
750
500
100
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
民
3.0
0
-55
最大
18
V
CC
+125
单位
V
V
°C
该器件包含保护电路，以防止损坏，由于高静电压或电
场。但是，必须采取预防措施，以避免超过最大额定更高的任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作，V
IN
和V
OUT
应限制到范围
GND≤ （V
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或V） 。
CC
未使用的输出必须悬空。
SLS
系统逻辑
半导体
.
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