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超前信息
DS 3305 -2.0
SL2364
非常高性能的晶体管阵列
该SL2364是晶体管阵列内部连接
形成双长尾配对尾晶体管。这是一个
在一个非常高的制造单片集成电路
高速双极工艺具有最小可用F
T
of
2.5GHz的（典型的5GHz ） 。
该SL2364是在14 SO封装和高
性能Dilmon封装。
14
13
12
11
10
9
8
Q3
Q4
Q5
Q6
Q1
Q2
子
特点
1
2
3
4
5
6
7
完整的双长尾对一个封装
非常高F
T
- 通常为5 GHz的
非常良好的匹配包括热匹配
SL2364C
DC14
MP14
应用
图。 1引脚连接（顶视图）
宽带放大级
140和560兆比特PCM系统
光纤系统
高性能仪器仪表
无线电和卫星通信
电气特性
这些特征保证了以下条件下（除非另有说明） ：
T
AMB
= 22°C
±2°C
价值
特征
分钟。
BV
CBO
LV
首席执行官
BV
EBO
BV
CIO
h
FE
f
T
V
BE
（见注1 ）
V
BE
/ T
AMB
C
CB
C
CI
10
6
2.5
16
50
2.5
典型值。
20
9
5.0
40
80
5
2
-1.7
0.5
1.0
0.8
1.5
5
GHz的
mV
毫伏/°C的
pF
pF
马克斯。
V
V
V
V
I
C
= 10A
I
C
= 5毫安
I
E
= 10A
I
C
= 10A
I
C
= 8毫安，V
CE
= 2V
I
C
尾）= 8毫安，V
CE
= 2V
I
C
尾）= 8毫安，V
CE
= 2V
I
C
尾）= 8毫安，V
CE
= 2V
V
CB
= 0
V
CI
= 0
单位
条件
注： 1 。
V
BE
适用于| V
BEQ3
- V
BEQ4
|和| V
BEQ5
- V
BEQ6
|
SL2364
典型特征
1.1
4
正常化F（ TYP ）
T
6
F（千兆赫） TYP
T
1.0
0.9
2
0.8
fT的正常化AT + 20℃
VCE = 2V
IC = 4.5毫安
0
0
2
4
6
我（毫安）
C
8
10
0.7
图。 2集电极电流
-60
-20
+20
+60
温度（℃）
+100
+140
图。 3芯片温度
绝对最大额定值
最大单个晶体管的功耗为200mW
储存温度
-55 ° C至+ 150°C
最高结温
+ 150°C
封装热阻
（ ° C / W） ：
芯片的情况下
45 （ MP14 ）
35 （ DC14 ）
芯片到环境
123 （ MP14 ）
120 （ DC14 ）
VCBO = 10V ， VEBO = 2 5V VCEO = 6V 。 VCIO = 15V
IC （任何一个晶体管） = 20mA下
基板应连接到最负
点电路之间保持电隔离
晶体管。
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