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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1587页 > SL2101CNP1P
SL2101
合成宽带转换器
可编程电源
数据表
特点
单芯片宽带综合解决方案
可配置为两个升压转换器和
在双重要求下变频器
转换调谐器的应用
采用了8个可编程搅拌机电源
设置
兼容数字和模拟系统
需求
CSO -65 dBc的, CTB -68 dBc的(典型值)
极低的相位噪声平衡地方
振荡器,具有非常低的根本,
谐波辐射
PLL频率合成器设计用于高
对比频率和低相位噪声
缓冲晶体输出管道系统
参考频率
I
2
来进行控制
订购信息
SL2101C/KG/NP1P
SL2101C/KG/NP1Q
SL2101C/KG/NP2P
SL2101C/KG/NP2Q
SL2101C/KG/LH2N
SL2101C/KG/LH2Q
SSOP
SSOP
SSOP *
SSOP *
MLP *
MLP *
磁带&卷轴
磁带&卷轴
托盘
Tape&卷
2004年8月
*无铅
所有代码和烤防潮包装
-40 ° C至+ 85°C
描述
该SL2101是一款完全集成的单芯片宽带
混频器振荡器,低相位噪声PLL频率
合成器。其目的是为在双转换使用
调谐器作为向上和向下转换器和既
与HIIF频率高达1.4 GHz和所有兼容
标准的调谐器的IF输出的频率。它还包含一个
在系统中采用可编程电源设备
功率消耗是很重要的。
该器件包含了所有必要的元素,与
除了本地振荡器的调谐网络,环路滤波器
和晶体参考,以产生一个完整的
合成块转换器,具有数字兼容
和模拟的要求。
应用
双变换调谐器
地面数字调谐器
有线电话
电缆调制解调器
美亚
图1 - 功能框图
1
卓联半导体公司
卓联, ZL和卓联半导体公司标识是卓联半导体公司的商标。
版权所有2002至2004年,卓联半导体公司保留所有权利。
SL2101
数据表
XTAL CAP
XTAL
SDA
SCL
BUFREF
VCCD
VEE
VEE
RF
RFB
VEE
VCCRF
VEE
IFOUTPUTB
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
DRIVE
端口P0
VEE
添加
VEE
VCCLO
高球
LO
VCCLO
VEE
VCCLO
VEE
IFoutput
NP 28
图2 - 引脚图SSOP封装
XTAL CAP
VCCD
nc
nc
RF
RFB
nc
VCCRF
1
2
3
4
28 27 26 25 24 23 22
21
PIN 1 IDENT
20
19
18
17
16
8
nc
9
nc
15
10 11 12 13 14
IFOUTPUTB
IFOUT
nc
nc
VCCLO
端口P0
DRIVE
SDA
XTAL
SCL
添加
nc
VCCLO
高球
LO
VCCLO
nc
5
6
7
V形垫
下包
图3 - 引脚图MLP封装
2
卓联半导体公司
SL2101
快速参考数据
所有数据适用于最大功率在以下条件下,除非另有说明设置;
A)额定负载如下:
1220 MHz的输出负载如在图4中
44 MHz的输出负载如在图5中
B)每63 dBμV的载波输入信号
特征
RF输入工作范围
输入噪声系数, SSB ,
50-860兆赫
860-1400
转换增益
CTB (满载矩阵)
CSO (满载矩阵)
P1 dB的输入参考
本地振荡器的相位噪声上变频器
SSB @ 10 kHz偏置
SSB @ 100 kHz偏置
本地振荡器的相位噪声下变频器
SSB @ 10 kHz偏置
SSB @ 100 kHz偏置
本地振荡器的相位噪声层
PLL马刺与输入转换后的输出@ 60 dBμV的
最大PLL频率比较
在鉴相器PLL相位噪声
* dBm的假设75
特性阻抗,并为0dBm = 109 dBμV为单位
数据表
单位
50-1400
6.5 - 8.5
8.5 - 12
12
-68
-65
110
-90
-112
-93
-115
-136
<-70
4
-152
兆赫
dB
dB
dB
dBc的
dBc的
dBμV的
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的
兆赫
dBc的/赫兹
功能说明
该SL2101是一款宽带宽动态范围混频器振荡器板载I
2
C总线控制PLL频率
合成器,用于在双变换调谐器的系统,使用向上和向下转换器都应用进行优化。它
还有,在任何系统中的宽动态范围的宽带合成频率转换器是应用
所需。
该SL2101是包含所有必要的有源电路的单芯片解决方案,并且仅仅需要一个外部
可调谐的谐振网络的本地振荡器维持网络。引脚分配包含在图2
和图3的SSOP和MLP封装和图1中的框图。
该设备还包含一个可编程的设施来调整功率,在低噪声放大器/混频器,以便使动力能够
换对电源的关键应用,例如,电话调制解调器的互调性能。
3
卓联半导体公司
SL2101
转换器部分
数据表
在正常应用的RF输入是通过适当的阻抗匹配和AGC前端接口
该设备的输入。该装置的RF输入前置放大器被设计用于低噪声系数,在运行区域内
为50 1400 MHz和高互调失真截距以便提供良好的信号与噪声加复合
失真杂散性能时加载的多载波系统。前置放大器还提供增益的
来自本机振荡器部混合器部分和背面隔离。
低噪声放大器/混频电流,因此信号处理和器件的功耗均通过我
2
C
总线作为列于图7中。
在典型的RF输入阻抗和匹配网络,用于宽带上变频包含在图8和
9分别为在分别如图10和11窄频带的下变频。折合到输入的两个音
互调测试条件光谱在最大功率设置被显示在图12的典型输入NF和
增益相对于频率和NF规格界限,在可选的功率设置包含在图13中, 14
和15元。
前置放大器的输出被馈送到该低放射线应用优化的混合器部分。在这
阶段的RF信号进行混合与本地振荡器频率,其由板载振荡器生成的。该
振荡器模块采用外部调谐网络,并针对低相位噪声进行了优化。典型的振荡器
应用作为上变频器示于图16和图17中的典型相位噪声性能
典型的振荡器应用程序作为一个下变频器示于图18 ,并在图的相位噪声性能
19.本振荡器模块接口直接与内部PLL ,以允许频率合成本地振荡器。
最后混频器的输出提供了一个集电极开路差分输出驱动器。该装置允许选择
中频的范围30-1400 MHz的这么涵盖1和1.4 GHz和所有传统的调谐器之间的标准HIIFs
输出的IF 。当作为宽带上变频器用于将HIIF输出应进行差动加载,例如
用差SAW滤波器中,以最大化互调性能。在最大功率设置标称负载
在图4中,这将典型地用差200的负载端的图示。当作为一个窄带用
下变频器的输出应进行差动装载有离散差分 - 单端转换器在
图5中,示出调谐到44 MHz的中频。备选地加载可以是直接转换为差分输入放大器或声表面波滤波器,在
这种情况下,外部负载到Vcc,将需要。对于44 MHz的应用程序的示例负荷为16 dB的增益
包含在图6中的NF和增益用推荐的负载与功率设定被包含在图20中。
典型的IF输出阻抗上变频器和下变频器被包含在图21和22
分别。
在所有应用中,应注意,以实现对称平衡的IF输出最大化互调
性能。
在5.0V Vcc和25℃的环境的典型关键性能数据示于下段'快速参考
数据“ 。
PLL频率合成器
该PLL频率合成部分包含所有必要的元件,除的基准
频率源和环路滤波器来控制振荡器,因此形成了一个完整的PLL频率合成源。
该装置允许操作具有高的比较次数被制造在高速逻辑,其
使具有良好的相位噪声性能的环路的产生。
从振荡器LO信号驱动一个内部前置放大器,可提供增益和反向隔离从
分频器的信号。前置放大器接口的输出直接与15位完全可编程分频器。该
可编程分频器是MN + A建筑,这里的双模预分频器为16/17时,计数器是4位,
和M个计数器是11位。
可编程除法器的输出被馈送到相位比较器当在两相比较,并
频域与比较频率。这个频率被衍生无论是从板上晶体
压控振荡器或外部参考源。在这两种情况下的基准频率分频为
4
卓联半导体公司
SL2101
数据表
经参考分频器比较频率是可编程为1比29 ,如图详细说明
23.典型应用的晶体振荡器被包含在图24和图25所示。图25是当用于
驾驶第二SL2101作为下变频器。
相位检测器的输出馈送一个电荷泵和环路放大器,它具有一个外部环路中使用时
滤波器和高电压晶体管,集成电流脉冲到可变电抗器的线路电压,用于控制
振荡器。
可编程除法器输出FPD除以2和基准分频器输出FCOMP可以切换到
P0口的设备编程到测试模式。测试模式在图26中描述。
晶体参考频率可以切换到BUFREF滴滴的RE输出如在图27中所描述的
BUFREF输出不可用的MLP封装。
程序设计
该SL2101是由一个I控制
2
C数据总线,并与标准和快速模式格式兼容。
数据和时钟馈在SDA和SCL分别由行我定义
2
C总线格式。该设备可以
要么接受数据(写入模式) ,或发送数据(读模式) 。最低位地址字节(R / W)设置设备插入
写模式,如果它是低,并且读模式,如果它是高的。表1和2在图28中示出的数据的格式。该
设备可以被编程以响应多个地址,这使得能够使用多于一个的装置中的
I
2
C总线系统。图28 ,表3示出了如何将地址选通过将电压施加到“ ADD ”的输入。
当设备接收到一个有效的地址字节,它拉SDA线低电平应答期间,并在
下面的确认时间接收更多的数据字节后。当设备被编入读
模式下,控制器接收的数据必须在所有状态字节将SDA线拉低确认时间为
读取另一个状态字节。如果控制器出现故障,在此期间将SDA线为低电平时,器件产生的
内部停止条件,抑制进一步的阅读。
写模式
参考图28 ,表1 ,字节2和3中包含的频率信息比特2
14
-2
0
包容性。
字节4控制的合成器基准分频器比率,参见图23和电荷泵设置,见图29 。
字节5控制测试模式中,参见图26 ,该缓冲晶体参考输出选择的RE ,参见图27中的
功率设置,可参见图7和输出口P0 。
接收和正确地址的确认( 1字节)后,后面的字节的第1位决定
是否该字节被解释为一个字节2或4 ,逻辑“0” ,表示字节2 ,和逻辑“1”表示一个字节(四)有
解释这个字节可以采用字节2或4以下数据字节将被分别解释为字节3或5 。
在接到两个完整的数据字节,额外的数据字节可以输入,其中字节解释如下
相同的程序,而无需重新处理该设备。这个过程一直持续到一个停止条件
收到。可以将任何数据字节后产生的停止条件,若一个字节中但是它发生
变速器,前一字节数据将被保留。为了便于顺利微调,频率数据字节只
之后高频数据的所有15位的设备接受已收到,或者停止产生后
条件。
读取模式
当该装置处于读出模式时,从设备读出状态字节取入图28所示的表格,表2中。
第1位(上电复位)是上电复位指示器,并且它被设置为逻辑'1' ,如果Vcc电源给设备已下降
低于3V (在25℃ ),例如,当设备被初始导通。上电复位复位为“0”时,读序列
按STOP命令终止。当POR被设置为高则表明编程信息可能有
被损坏的器件复位到上电状态。
2位( FL )指示是否合成器锁相环,一个逻辑“1”是本如果设备被锁定,以及一个逻辑
“0” ,如果该装置被解锁。
5
卓联半导体公司
SL2101
合成宽带转换器
可编程电源
数据表
特点
单芯片宽带综合解决方案
可配置为两个升压转换器和
在双重要求下变频器
转换调谐器的应用
采用了8个可编程搅拌机电源
设置
兼容数字和模拟系统
需求
CSO -65 dBc的, CTB -68 dBc的(典型值)
极低的相位噪声平衡地方
振荡器,具有非常低的根本,
谐波辐射
PLL频率合成器设计用于高
对比频率和低相位噪声
缓冲晶体输出管道系统
参考频率
I
2
来进行控制
订购信息
SL2101C/KG/NP1P
SL2101C/KG/NP1Q
SL2101C/KG/NP2P
SL2101C/KG/NP2Q
SL2101C/KG/LH2N
SL2101C/KG/LH2Q
SSOP
SSOP
SSOP *
SSOP *
MLP *
MLP *
磁带&卷轴
磁带&卷轴
托盘
Tape&卷
2004年8月
*无铅
所有代码和烤防潮包装
-40 ° C至+ 85°C
描述
该SL2101是一款完全集成的单芯片宽带
混频器振荡器,低相位噪声PLL频率
合成器。其目的是为在双转换使用
调谐器作为向上和向下转换器和既
与HIIF频率高达1.4 GHz和所有兼容
标准的调谐器的IF输出的频率。它还包含一个
在系统中采用可编程电源设备
功率消耗是很重要的。
该器件包含了所有必要的元素,与
除了本地振荡器的调谐网络,环路滤波器
和晶体参考,以产生一个完整的
合成块转换器,具有数字兼容
和模拟的要求。
应用
双变换调谐器
地面数字调谐器
有线电话
电缆调制解调器
美亚
图1 - 功能框图
1
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卓联, ZL和卓联半导体公司标识是卓联半导体公司的商标。
版权所有2002至2004年,卓联半导体公司保留所有权利。
SL2101
数据表
XTAL CAP
XTAL
SDA
SCL
BUFREF
VCCD
VEE
VEE
RF
RFB
VEE
VCCRF
VEE
IFOUTPUTB
1
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DRIVE
端口P0
VEE
添加
VEE
VCCLO
高球
LO
VCCLO
VEE
VCCLO
VEE
IFoutput
NP 28
图2 - 引脚图SSOP封装
XTAL CAP
VCCD
nc
nc
RF
RFB
nc
VCCRF
1
2
3
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28 27 26 25 24 23 22
21
PIN 1 IDENT
20
19
18
17
16
8
nc
9
nc
15
10 11 12 13 14
IFOUTPUTB
IFOUT
nc
nc
VCCLO
端口P0
DRIVE
SDA
XTAL
SCL
添加
nc
VCCLO
高球
LO
VCCLO
nc
5
6
7
V形垫
下包
图3 - 引脚图MLP封装
2
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快速参考数据
所有数据适用于最大功率在以下条件下,除非另有说明设置;
A)额定负载如下:
1220 MHz的输出负载如在图4中
44 MHz的输出负载如在图5中
B)每63 dBμV的载波输入信号
特征
RF输入工作范围
输入噪声系数, SSB ,
50-860兆赫
860-1400
转换增益
CTB (满载矩阵)
CSO (满载矩阵)
P1 dB的输入参考
本地振荡器的相位噪声上变频器
SSB @ 10 kHz偏置
SSB @ 100 kHz偏置
本地振荡器的相位噪声下变频器
SSB @ 10 kHz偏置
SSB @ 100 kHz偏置
本地振荡器的相位噪声层
PLL马刺与输入转换后的输出@ 60 dBμV的
最大PLL频率比较
在鉴相器PLL相位噪声
* dBm的假设75
特性阻抗,并为0dBm = 109 dBμV为单位
数据表
单位
50-1400
6.5 - 8.5
8.5 - 12
12
-68
-65
110
-90
-112
-93
-115
-136
<-70
4
-152
兆赫
dB
dB
dB
dBc的
dBc的
dBμV的
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的
兆赫
dBc的/赫兹
功能说明
该SL2101是一款宽带宽动态范围混频器振荡器板载I
2
C总线控制PLL频率
合成器,用于在双变换调谐器的系统,使用向上和向下转换器都应用进行优化。它
还有,在任何系统中的宽动态范围的宽带合成频率转换器是应用
所需。
该SL2101是包含所有必要的有源电路的单芯片解决方案,并且仅仅需要一个外部
可调谐的谐振网络的本地振荡器维持网络。引脚分配包含在图2
和图3的SSOP和MLP封装和图1中的框图。
该设备还包含一个可编程的设施来调整功率,在低噪声放大器/混频器,以便使动力能够
换对电源的关键应用,例如,电话调制解调器的互调性能。
3
卓联半导体公司
SL2101
转换器部分
数据表
在正常应用的RF输入是通过适当的阻抗匹配和AGC前端接口
该设备的输入。该装置的RF输入前置放大器被设计用于低噪声系数,在运行区域内
为50 1400 MHz和高互调失真截距以便提供良好的信号与噪声加复合
失真杂散性能时加载的多载波系统。前置放大器还提供增益的
来自本机振荡器部混合器部分和背面隔离。
低噪声放大器/混频电流,因此信号处理和器件的功耗均通过我
2
C
总线作为列于图7中。
在典型的RF输入阻抗和匹配网络,用于宽带上变频包含在图8和
9分别为在分别如图10和11窄频带的下变频。折合到输入的两个音
互调测试条件光谱在最大功率设置被显示在图12的典型输入NF和
增益相对于频率和NF规格界限,在可选的功率设置包含在图13中, 14
和15元。
前置放大器的输出被馈送到该低放射线应用优化的混合器部分。在这
阶段的RF信号进行混合与本地振荡器频率,其由板载振荡器生成的。该
振荡器模块采用外部调谐网络,并针对低相位噪声进行了优化。典型的振荡器
应用作为上变频器示于图16和图17中的典型相位噪声性能
典型的振荡器应用程序作为一个下变频器示于图18 ,并在图的相位噪声性能
19.本振荡器模块接口直接与内部PLL ,以允许频率合成本地振荡器。
最后混频器的输出提供了一个集电极开路差分输出驱动器。该装置允许选择
中频的范围30-1400 MHz的这么涵盖1和1.4 GHz和所有传统的调谐器之间的标准HIIFs
输出的IF 。当作为宽带上变频器用于将HIIF输出应进行差动加载,例如
用差SAW滤波器中,以最大化互调性能。在最大功率设置标称负载
在图4中,这将典型地用差200的负载端的图示。当作为一个窄带用
下变频器的输出应进行差动装载有离散差分 - 单端转换器在
图5中,示出调谐到44 MHz的中频。备选地加载可以是直接转换为差分输入放大器或声表面波滤波器,在
这种情况下,外部负载到Vcc,将需要。对于44 MHz的应用程序的示例负荷为16 dB的增益
包含在图6中的NF和增益用推荐的负载与功率设定被包含在图20中。
典型的IF输出阻抗上变频器和下变频器被包含在图21和22
分别。
在所有应用中,应注意,以实现对称平衡的IF输出最大化互调
性能。
在5.0V Vcc和25℃的环境的典型关键性能数据示于下段'快速参考
数据“ 。
PLL频率合成器
该PLL频率合成部分包含所有必要的元件,除的基准
频率源和环路滤波器来控制振荡器,因此形成了一个完整的PLL频率合成源。
该装置允许操作具有高的比较次数被制造在高速逻辑,其
使具有良好的相位噪声性能的环路的产生。
从振荡器LO信号驱动一个内部前置放大器,可提供增益和反向隔离从
分频器的信号。前置放大器接口的输出直接与15位完全可编程分频器。该
可编程分频器是MN + A建筑,这里的双模预分频器为16/17时,计数器是4位,
和M个计数器是11位。
可编程除法器的输出被馈送到相位比较器当在两相比较,并
频域与比较频率。这个频率被衍生无论是从板上晶体
压控振荡器或外部参考源。在这两种情况下的基准频率分频为
4
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数据表
经参考分频器比较频率是可编程为1比29 ,如图详细说明
23.典型应用的晶体振荡器被包含在图24和图25所示。图25是当用于
驾驶第二SL2101作为下变频器。
相位检测器的输出馈送一个电荷泵和环路放大器,它具有一个外部环路中使用时
滤波器和高电压晶体管,集成电流脉冲到可变电抗器的线路电压,用于控制
振荡器。
可编程除法器输出FPD除以2和基准分频器输出FCOMP可以切换到
P0口的设备编程到测试模式。测试模式在图26中描述。
晶体参考频率可以切换到BUFREF滴滴的RE输出如在图27中所描述的
BUFREF输出不可用的MLP封装。
程序设计
该SL2101是由一个I控制
2
C数据总线,并与标准和快速模式格式兼容。
数据和时钟馈在SDA和SCL分别由行我定义
2
C总线格式。该设备可以
要么接受数据(写入模式) ,或发送数据(读模式) 。最低位地址字节(R / W)设置设备插入
写模式,如果它是低,并且读模式,如果它是高的。表1和2在图28中示出的数据的格式。该
设备可以被编程以响应多个地址,这使得能够使用多于一个的装置中的
I
2
C总线系统。图28 ,表3示出了如何将地址选通过将电压施加到“ ADD ”的输入。
当设备接收到一个有效的地址字节,它拉SDA线低电平应答期间,并在
下面的确认时间接收更多的数据字节后。当设备被编入读
模式下,控制器接收的数据必须在所有状态字节将SDA线拉低确认时间为
读取另一个状态字节。如果控制器出现故障,在此期间将SDA线为低电平时,器件产生的
内部停止条件,抑制进一步的阅读。
写模式
参考图28 ,表1 ,字节2和3中包含的频率信息比特2
14
-2
0
包容性。
字节4控制的合成器基准分频器比率,参见图23和电荷泵设置,见图29 。
字节5控制测试模式中,参见图26 ,该缓冲晶体参考输出选择的RE ,参见图27中的
功率设置,可参见图7和输出口P0 。
接收和正确地址的确认( 1字节)后,后面的字节的第1位决定
是否该字节被解释为一个字节2或4 ,逻辑“0” ,表示字节2 ,和逻辑“1”表示一个字节(四)有
解释这个字节可以采用字节2或4以下数据字节将被分别解释为字节3或5 。
在接到两个完整的数据字节,额外的数据字节可以输入,其中字节解释如下
相同的程序,而无需重新处理该设备。这个过程一直持续到一个停止条件
收到。可以将任何数据字节后产生的停止条件,若一个字节中但是它发生
变速器,前一字节数据将被保留。为了便于顺利微调,频率数据字节只
之后高频数据的所有15位的设备接受已收到,或者停止产生后
条件。
读取模式
当该装置处于读出模式时,从设备读出状态字节取入图28所示的表格,表2中。
第1位(上电复位)是上电复位指示器,并且它被设置为逻辑'1' ,如果Vcc电源给设备已下降
低于3V (在25℃ ),例如,当设备被初始导通。上电复位复位为“0”时,读序列
按STOP命令终止。当POR被设置为高则表明编程信息可能有
被损坏的器件复位到上电状态。
2位( FL )指示是否合成器锁相环,一个逻辑“1”是本如果设备被锁定,以及一个逻辑
“0” ,如果该装置被解锁。
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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