SL05T1系列
300瓦，采用SOT -23低
电容TVS高
高速线路保护
这种新的TVS系列提供瞬态过电压保护，
显著降低电容。电容是由降低
整合串联补偿二极管。该集成解决方案
高速接口，如通信提供ESD保护
系统，计算机和计算机外围设备。
规格特点：
http://onsemi.com
2
1
TVS二极管串联补偿二极管供应<5 pF的
电容
ESD保护符合IEC 61000-4-2 ， 4-4 ， 4-5
额定峰值功率为300瓦， 8
×
20
ms
双向保护可以实现通过使用两个设备
可燃性等级UL 94 V- 0
1
2
SOT–23
CASE 318
26风格
3
（ NC ）
3
记号
图
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
xxx
260℃ 10秒
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
可在8毫米磁带和卷轴
设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。
更换“T1”与“ T3 ”的设备编号订购
13英寸/ 10,000件卷轴。
xxx
M
=器件代码
=日期代码
订购信息
设备
SL05T1
SL15T1
SL24T1
SL05T3
SL15T3
SL24T3
包
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
表中的本数据手册的第3页上栏。
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年5月 - 第3版
出版订单号：
SL05T1/D
M
SL05T1系列
最大额定值
等级
峰值功耗@ 8x20微秒（注1 ）
@ T
L
≤
25°C
IEC 61000-4-2
4级
接触放电
空气放电
IEC 61000-4-4
EFT
IEC 61000-4-5
闪电
总功耗的FR- 5委员会（注2 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
总功耗在氧化铝基板（注3 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度范围
无铅焊锡温度 - 最大（持续10秒）
1.非重复性按照图2的电流脉冲
2， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸
3.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸，99.5％的氧化铝
符号
P
pk
V
pp
价值
300
单位
W
±8
±16
40
12
225
1.8
556
300
2.4
417
- 55 + 150
260
kV
kV
安培
安培
°毫瓦°
毫瓦/°C的
° C / W
°毫瓦
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
°P
D
°
R
qJA
°P
D
°
R
qJA
T
J
, T
英镑
T
L
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
单向
（电路连接到引脚1和3或2和3）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
QV
BR
I
F
V
F
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
V的最大温度系数
BR
正向电流
正向电压@ I
F
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
V
C
V
BR
V
RWM
I
F
I
I
R
V
F
I
T
V
I
PP
单向TVS
http://onsemi.com
2
SL05T1系列
对于采用SOT- 23表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局的一个重要部分
总设计。的足迹对于半导体封装
必须是正确的大小，以保证适当的焊接连接
0.037
0.95
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
SOT–23
SOT- 23功耗
采用SOT -23的功耗的功能
漏极焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸而变化
焊接给定的最大功率垫尺寸
耗散。功耗为表面安装器件
被T确定
J（下最大）
时，最大额定结
在模具中，R的温度
qJA
从热电阻
器件结到环境，并且操作
温度T
A
。使用所提供的数据的值
片的SOT- 23封装，P
D
可以计算为
如下所示：
P
D
=
T
J（下最大）
– T
A
R
qJA
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，故障内完成焊接
很短的时间，可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
用红外线加热回流焊接
方法，所不同的应是最多10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，并
导致潜在故障是由于机械应力。
机械应力或冲击不宜应用
在冷却。
*进行焊接装置无需预热可引起
过度的热冲击和应力，这可能导致
损坏设备。
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代
入方程用于将环境温度T
A
为25℃ ，
就可以计算出该装置的功率消耗而
在这种情况下为225毫瓦。
P
D
= 150 °C - 25 ° C = 225毫瓦
556°C/W
为SOT- 23封装的556 ° C / W，假设使用
在玻璃环氧推荐的足迹印
电路板来实现225的功耗
毫瓦。有其他选择实现更高
从SOT- 23封装的功率耗散。另
替代方案是使用陶瓷基板或
铝芯板，如热复合
。利用
板的材料，例如热复合，铝芯
板，所述功率耗散可以使用相同的一倍
足迹。
http://onsemi.com
4
SL05T1系列
应用背景
这种新的TVS器件系列（ SL05T1系列）
旨在保护敏感的电子设备，如
通信系统，计算机和计算机
由于ESD条件或外围设备不受损坏
瞬态电压的条件。因为其低的
电容值（小于5 pF）时，它们可以在较高的使用
高速I / O数据线。低电容是由实现
串联在瞬态积分补偿二极管
这基本上是基于以下理论基础：
电容并联： CT = C1 + C2 + ... +道道通
电容串联： 1 / CT =（1 / C 1 ）+（ 1 / C 2 ） + ... + （1 / Cn）的
在图5示出了SL05T1的集成解决方案
系列设备：
1
3
2
3
2
1
图6 。
补偿
二极管
TVS
图5中。
一种替代的解决方案，以保护单向线路，是
与并联一个快速开关二极管转向
SL05T1系列设备。当转向二极管是
正向偏置时，电视将雪崩，开展
相反的方向。需要注意的是通过加入是很重要的
转向二极管，在该电路的有效电容将
加的转向二极管的增加，因此产生的影响
必须采取考虑，以确定是否对
增量电容会影响电路的功能
或不。在图7示出的连接
转向二极管和SL05T1系列设备：
SL05T1设备
在该过压状况发生于我的情况下输入/输出
行由SL05T1系列设备保护， TVS的是
反向偏置而补偿二极管是
正向偏置，以便将所得的电流由于瞬态
电压被排放到地面。
如果保护在两个极性是必需的，附加的
装置被连接在反向并联，参照
第一个，图6示出的反向并联
双向或单向线连接：
督导二极管
图7 。
另一种典型的应用，其中所述SL05T1系列
设备可以利用，是保护多个I / O线。该
保护在每个I / O线是通过连接实现
两个装置在逆平行的。在图8示出了如何
多个I / O线路保护实现：
输入
产量
网络连接gure 8 。
用于优化的保护，它是推荐使用的地平面和短的路径长度，以最小化在PCB的接地电感。
http://onsemi.com
5
SL05T1系列
300瓦，采用SOT -23低
电容TVS高
高速线路保护
这种新的TVS系列提供瞬态过电压保护，
显著降低电容。电容是由降低
整合串联补偿二极管。该集成解决方案
高速接口，如通信提供ESD保护
系统，计算机和计算机外围设备。
规格特点：
http://onsemi.com
2
1
TVS二极管串联补偿二极管供应<5 pF的
电容
ESD保护符合IEC 61000-4-2 ， 4-4 ， 4-5
额定峰值功率为300瓦， 8
×
20
ms
双向保护可以实现通过使用两个设备
可燃性等级UL 94 V- 0
1
2
SOT–23
CASE 318
26风格
3
（ NC ）
3
记号
图
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
xxx
260℃ 10秒
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
可在8毫米磁带和卷轴
设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。
更换“T1”与“ T3 ”的设备编号订购
13英寸/ 10,000件卷轴。
xxx
M
=器件代码
=日期代码
订购信息
设备
SL05T1
SL15T1
SL24T1
SL05T3
SL15T3
SL24T3
包
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
SOT–23
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
表中的本数据手册的第3页上栏。
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年5月 - 第3版
出版订单号：
SL05T1/D
M
SL05T1系列
最大额定值
等级
峰值功耗@ 8x20微秒（注1 ）
@ T
L
≤
25°C
IEC 61000-4-2
4级
接触放电
空气放电
IEC 61000-4-4
EFT
IEC 61000-4-5
闪电
总功耗的FR- 5委员会（注2 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
总功耗在氧化铝基板（注3 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度范围
无铅焊锡温度 - 最大（持续10秒）
1.非重复性按照图2的电流脉冲
2， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸
3.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸，99.5％的氧化铝
符号
P
pk
V
pp
价值
300
单位
W
±8
±16
40
12
225
1.8
556
300
2.4
417
- 55 + 150
260
kV
kV
安培
安培
°毫瓦°
毫瓦/°C的
° C / W
°毫瓦
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
°P
D
°
R
qJA
°P
D
°
R
qJA
T
J
, T
英镑
T
L
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
单向
（电路连接到引脚1和3或2和3）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
QV
BR
I
F
V
F
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
V的最大温度系数
BR
正向电流
正向电压@ I
F
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
V
C
V
BR
V
RWM
I
F
I
I
R
V
F
I
T
V
I
PP
单向TVS
http://onsemi.com
2
SL05T1系列
对于采用SOT- 23表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局的一个重要部分
总设计。的足迹对于半导体封装
必须是正确的大小，以保证适当的焊接连接
0.037
0.95
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
SOT–23
SOT- 23功耗
采用SOT -23的功耗的功能
漏极焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸而变化
焊接给定的最大功率垫尺寸
耗散。功耗为表面安装器件
被T确定
J（下最大）
时，最大额定结
在模具中，R的温度
qJA
从热电阻
器件结到环境，并且操作
温度T
A
。使用所提供的数据的值
片的SOT- 23封装，P
D
可以计算为
如下所示：
P
D
=
T
J（下最大）
– T
A
R
qJA
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，故障内完成焊接
很短的时间，可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
用红外线加热回流焊接
方法，所不同的应是最多10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，并
导致潜在故障是由于机械应力。
机械应力或冲击不宜应用
在冷却。
*进行焊接装置无需预热可引起
过度的热冲击和应力，这可能导致
损坏设备。
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代
入方程用于将环境温度T
A
为25℃ ，
就可以计算出该装置的功率消耗而
在这种情况下为225毫瓦。
P
D
= 150 °C - 25 ° C = 225毫瓦
556°C/W
为SOT- 23封装的556 ° C / W，假设使用
在玻璃环氧推荐的足迹印
电路板来实现225的功耗
毫瓦。有其他选择实现更高
从SOT- 23封装的功率耗散。另
替代方案是使用陶瓷基板或
铝芯板，如热复合
。利用
板的材料，例如热复合，铝芯
板，所述功率耗散可以使用相同的一倍
足迹。
http://onsemi.com
4
SL05T1系列
应用背景
这种新的TVS器件系列（ SL05T1系列）
旨在保护敏感的电子设备，如
通信系统，计算机和计算机
由于ESD条件或外围设备不受损坏
瞬态电压的条件。因为其低的
电容值（小于5 pF）时，它们可以在较高的使用
高速I / O数据线。低电容是由实现
串联在瞬态积分补偿二极管
这基本上是基于以下理论基础：
电容并联： CT = C1 + C2 + ... +道道通
电容串联： 1 / CT =（1 / C 1 ）+（ 1 / C 2 ） + ... + （1 / Cn）的
在图5示出了SL05T1的集成解决方案
系列设备：
1
3
2
3
2
1
图6 。
补偿
二极管
TVS
图5中。
一种替代的解决方案，以保护单向线路，是
与并联一个快速开关二极管转向
SL05T1系列设备。当转向二极管是
正向偏置时，电视将雪崩，开展
相反的方向。需要注意的是通过加入是很重要的
转向二极管，在该电路的有效电容将
加的转向二极管的增加，因此产生的影响
必须采取考虑，以确定是否对
增量电容会影响电路的功能
或不。在图7示出的连接
转向二极管和SL05T1系列设备：
SL05T1设备
在该过压状况发生于我的情况下输入/输出
行由SL05T1系列设备保护， TVS的是
反向偏置而补偿二极管是
正向偏置，以便将所得的电流由于瞬态
电压被排放到地面。
如果保护在两个极性是必需的，附加的
装置被连接在反向并联，参照
第一个，图6示出的反向并联
双向或单向线连接：
督导二极管
图7 。
另一种典型的应用，其中所述SL05T1系列
设备可以利用，是保护多个I / O线。该
保护在每个I / O线是通过连接实现
两个装置在逆平行的。在图8示出了如何
多个I / O线路保护实现：
输入
产量
网络连接gure 8 。
用于优化的保护，它是推荐使用的地平面和短的路径长度，以最小化在PCB的接地电感。
http://onsemi.com
5
SL05T1系列
300瓦，采用SOT -23低
电容TVS高
高速线路保护
这种新的TVS系列提供瞬态过电压保护，
显著降低电容。电容是由降低
整合串联补偿二极管。该集成解决方案
高速接口，如通信提供ESD保护
系统，计算机和计算机外围设备。
特点
http://onsemi.com
2
1
TVS二极管串联补偿二极管供应<5 pF的
电容
ESD保护符合IEC 61000-4-2 ， 4-4 ， 4-5
额定峰值功率为300瓦， 8
×
20
ms
双向保护可以实现通过使用两个设备
可燃性等级UL 94 V- 0
无铅包可用
3
（ NC ）
记号
图
3
1
2
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318
26风格
LXX M
G
G
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
表面处理：
完成耐腐蚀，易焊
最大外壳焊接温度的目的：
260℃ 10秒
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
可在8毫米磁带和卷轴
设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。
更换“T1”与“ T3 ”的设备编号订购
13英寸/ 10,000件卷轴。
LXX =器件代码
XX = 05 ，15或24
M =日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能会有所不同
根据生产地点。
订购信息
设备
SL05T1
SL05T1G
SL15T1
SL15T1G
SL24T1
SL24T1G
包
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
SL05T3
SL15T3
SL24T3
万/磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
表中的本数据手册的第3页上栏。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年12月 - 修订版5
出版订单号：
SL05T1/D
SL05T1系列
最大额定值
等级
峰值功耗@ 8x20微秒（注1 ）
@ T
L
≤
25°C
IEC 61000-4-2
4级
接触放电
空气放电
IEC 61000-4-4
EFT
IEC 61000-4-5
闪电
总功耗的FR- 5委员会（注2 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
总功耗在氧化铝基板（注3 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度范围
无铅焊锡温度 - 最大（持续10秒）
符号
P
pk
V
pp
价值
300
单位
W
±8
±16
40
12
225
1.8
556
300
2.4
417
- 55 + 150
260
kV
kV
A
A
°毫瓦°
毫瓦/°C的
° C / W
°毫瓦
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
°P
D
°
R
qJA
°P
D
°
R
qJA
T
J
, T
英镑
T
L
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.非重复性按照图2的电流脉冲
2， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.62英寸
3.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸，99.5％的氧化铝
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
单向
（电路连接到引脚1和3或2和3）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
QV
BR
I
F
V
F
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
V的最大温度系数
BR
正向电流
正向电压@ I
F
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
V
C
V
BR
V
RWM
I
F
I
I
R
V
F
I
T
V
I
PP
单向TVS
http://onsemi.com
2
SL05T1系列
应用背景
这种新的TVS器件系列（ SL05T1系列）
旨在保护敏感的电子设备，如
通信系统，计算机和计算机
由于ESD条件或外围设备不受损坏
瞬态电压的条件。因为其低的
电容值（小于5 pF）时，它们可以在较高的使用
高速I / O数据线。低电容是由实现
串联在瞬态积分补偿二极管
这基本上是基于以下理论基础：
电容并联： CT = C1 + C2 + ... +道道通
电容串联： 1 / CT =（1 / C 1 ）+（ 1 / C 2 ） + ... + （1 / Cn）的
在图5示出了SL05T1的集成解决方案
系列设备：
1
3
2
3
2
1
图6 。
补偿
二极管
TVS
图5中。
一种替代的解决方案，以保护单向线路，是
与并联一个快速开关二极管转向
SL05T1系列设备。当转向二极管是
正向偏置时，电视将雪崩，开展
相反的方向。需要注意的是通过加入是很重要的
转向二极管，在该电路的有效电容将
加的转向二极管的增加，因此产生的影响
必须采取考虑，以确定是否对
增量电容会影响电路的功能
或不。在图7示出的连接
转向二极管和SL05T1系列设备：
SL05T1设备
在该过压状况发生于我的情况下输入/输出
行由SL05T1系列设备保护， TVS的是
反向偏置而补偿二极管是
正向偏置，以便将所得的电流由于瞬态
电压被排放到地面。
如果保护在两个极性是必需的，附加的
装置被连接在反向并联，参照
第一个，图6示出的反向并联
双向或单向线连接：
督导二极管
图7 。
另一种典型的应用，其中所述SL05T1系列
设备可以利用，是保护多个I / O线。该
保护在每个I / O线是通过连接实现
两个装置在逆平行的。在图8示出了如何
多个I / O线路保护实现：
输入
产量
网络连接gure 8 。
用于优化的保护，它是推荐使用的地平面和短的路径长度，以最小化在PCB的接地电感。
http://onsemi.com
4
SL05T1系列
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
问题一
D
3
SEE视图C
E
1
2
HE
c
b
e
q
0.25
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU -07和-09过时了，新
标准318-08 。
MILLIMETERS
喃
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
英寸
喃
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
A
L
A1
L1
视图C
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
民
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
民
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
风格26 ：
PIN 1阴极
2.阳极
3.未连接
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 ： 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
热复合是贝格斯公司的注册商标。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
电话： 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话： 81-3-5773-3850
安森美半导体网站： www.onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
5
SL05T1/D
QQ：2881677436 复制
