SL02 -M ， SL03 -M ， SL04 -M
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
对于表面安装应用程序
薄型封装
适合自动放置
低功耗，高效率
高温焊接： 260 ℃/ 10秒
在终端
波和回流焊接
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
17249
机械数据
案例：
DO- 219AB （ SMF ）
极性：
颜色频带端为负极
重量：
约。 15毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 50 K /箱18/10
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 30 K /盒8月3日
零件表
部分
SL02-M
SL03-M
SL04-M
订购代码
SL02 - M- 18或SL02 -M -08
SL03 - M- 18或SL03 -M -08
SL04 - M- 18或SL04 -M -08
记号
U2
U3
U4
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
最大重复峰值
反向电压
测试条件
部分
SL02-M
SL03-M
SL04-M
SL02-M
最大RMS电压
SL03-M
SL04-M
符号
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RMS
V
RMS
V
RMS
价值
20
30
40
14
21
28
单位
V
V
V
V
V
V
文档编号85190
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1
SL02 -M ， SL03 -M ， SL04 -M
威世半导体
参数
测试条件
部分
SL02-M
最大直流阻断电压
最大正向平均
整流电流
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
SL03-M
SL04-M
T
tp
= 109 °C
符号
V
DC
V
DC
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
价值
20
30
40
1.1
40
单位
V
V
V
A
A
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境空气
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
180
125
- 55 150
单位
K / W
°C
°C
最大工作结
温度
存储温度范围
注意：
1)
安装在环氧树脂基板为3 mm ×3mm的铜焊盘（ ≥ 40微米厚）
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
测试条件
I
F
= 0.5 A
1)
部分
SL02-M
瞬时无正向电压
SL03-M
SL04-M
SL02-M
典型正向
电压
I
F
= 1.1 A
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
最大DC反向电流在
额定阻断电压DC
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
注意：
1)
脉冲试验： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
SL03-M
SL04-M
SL02-M
SL02-M
SL03-M
SL03-M
SL04-M
SL04-M
符号
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
民
典型值。
0.360
0.395
0.450
0.420
0.450
0.530
250
8
130
6
20
6
最大
0.385
0.43
0.51
单位
V
V
V
V
V
V
μA
mA
μA
mA
μA
mA
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SL02 -M ， SL03 -M ， SL04 -M
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1.5
瞬时反向电流（ μA ）
平均正向电流（ A）
10 000
T
j
= 100 °C
1000
T
j
= 75 °C
T
j
= 50 °C
100
T
j
= 25 °C
10
1.0
0.5
0
0 10
17379
1
30
50
70
90
110 130 150
17382
0
5
铅温度（ ℃）
15
20
10
反向
电压
(V)
25
图1.正向电流降额曲线
图4.典型的反向电流特性 - SL02
250
正向电流（A ）
10
T
j
= 100 °C
T
j
= 75 °C
T
j
= 50 °C
0.01
T
j
= 25 °C
0.001
脉冲
宽度
= 300
s
1
%
占空比
0
17383
结电容（pF ）
200
1
150
0.1
100
SL02
50
SL04
10
0
2
8
6
4
反向
电压
(V)
10
12
0.0001
17380
0.8
0.6
1.0
0.4
0.2
正向
电压
(V)
图2.典型结电容
图5.典型的正向特性 - SL03
10
瞬时反向电流（ μA ）
正向电流（A ）
T
j
= 100 °C
T
j
= 75 °C
T
j
= 50 °C
0.01
T
j
= 25 °C
0.001
脉冲
宽度
= 300
s
1
%
占空比
0.0001
0
17381
10 000
T
j
= 100 °C
T
j
= 75 °C
100
T
j
= 50 °C
1
1000
0.1
10
T
j
= 25 °C
1
0.1
0.8
0.2
1.0
0.4
0.6
正向
电压
(V)
0
17384
5
10 15
20 25
反向
电压
(V)
30
35
图3.典型正向及特征 - SL02
图6.典型的反向电流特性 - SL03
文档编号85190
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3
SL02 -M ， SL03 -M ， SL04 -M
威世半导体
包装尺寸
以毫米（英寸）：
DO-219AB
0.85 (0.033)
0.35 (0.014)
0.25 (0.010)
0.05 (0.002)
0.1 (0.004)
5
1.9 (0.075)
1.7 (0.067)
1.2 (0.047)
0.8 (0.031)
0 (0.000)
详细
扩大
1.08 (0.043)
2.9 (0.114)
2.7 (0.106)
3.9 (0.154)
3.5 (0.138)
0.88 (0.035)
足迹推荐：
1.3 (0.051)
1.3 (0.051)
创建 - 日期：2005年15月
第3版 - 日期：2007年3月13日
文件编号： S8 -V - 3915.01-001 （ 4 ）
17247
1.4 (0.055)
2.9 (0.114)
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4
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5
SL02 -M ， SL03 -M ， SL04 -M
威世半导体
Blistertape尺寸为SMF
以毫米为单位
PS
文档编号： S8 -V - 3717.02-001 （ 3 ）
18513
文档编号85190
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