数据表
SKY65049-360LF ： 1.7-2.4 GHz的低噪声放大器
应用
无线基础设施： GSM，CDMA ，WCDMA和TD-SCDMA的
超低噪声应用
之间
舞台
MATCH
特点
超低噪声系数为0.7 dB的2.0 GHz的
出色的输入和输出回波损耗
可调增益= 11.0 17.5 dB的2.0 GHz的
产量高OIP3 = +34 dBm的@ 65毫安
的OP1dB = 17.5 dBm的@ 2.0 GHz的
单，正向直流电源电压
可调电源电流， 30为100 mA
集成的片上源电感和级间匹配
网
每小， QFN （ 8引脚， 2 ×2 mm）包装（ MSL1 ， 260℃
JEDEC J- STD- 020 ）
图1. SKY65049-360LF框图
描述
该SKY65049-360LF是一种高性能，双级超低价
噪声放大器（LNA） 。该装置由Skyworks的制造
先进pHEMT工艺和在2× 2毫米， 8引脚设置
四方扁平无引线（ QFN ）封装。
该器件具有优异的输入和输出回波损耗，以及
集成的级间匹配网络。放大器的超低
噪声系数（NF ） ，高增益和卓越的三
rd
为了拦截
点（IP3 ），允许其将在各个接收器和发送器中使用
应用程序。
的功能框图被示于图1的销
配置和包示于图2中的信号针
分配和引脚功能描述中提供
表1中。
BIAS1
RFIN
N / C
VDD1
1
8
BIAS2
RFOUT/VDD2
N / C
反馈
2
7
3
6
4
5
图2. SKY65049-360LF引脚 - 8引脚QFN
（ TOP VIEW ）
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1
数据表 SKY65049-360LF低噪声放大器
表1. SKY65049-360LF信号说明
针＃
1
2
3
4
BIAS1
RFIN
N / C
VDD1
名字
描述
源极引脚1
st
级晶体管
RF输入
无连接
1
st
阶段DC电源
针＃
5
6
7
8
名字
反馈
N / C
RFOUT/VDD2
BIAS2
描述
连接到RFOUT / VDD2降低的增益
2
nd
级晶体管
无连接
RF输出。需要使用RF的直流偏压
扼流电感。
源极引脚2
nd
级晶体管
功能说明
该SKY65049-360LF是一个两阶段的LNA具有集成
级间匹配网络和源电感。该装置
具有0.7 dB的低测试NF和17 dB的增益。该装置
使设计人员能够调节电流和增益不降低
nF的。
外部匹配网络在很大程度上决定了RF
该装置的性能。匹配网络需要
操作和特殊护理应设计时，应考虑
电路板布局的SKY65049-360LF 。有四个
外部元件的单独的组：输入，输出，偏置，
和反馈。
偏置
为了正确地偏置耗尽模式的pHEMT ，无论栅极和
该装置的漏电必须适当地偏置。在V
GS
= 0 V和
V
DS
> 2 V时，放大器阶段是在其饱和的状态，并绘制
当前的最大量，我
DSS
。 A V
DS
5 V是
建议，以确保适当的性能。
为了消除需要一个负的直流电源，自偏置
当电阻器被放置的所述一个之间应使用
源线和地线。旁路电容应放置在
平行于该电阻器提供的RF接地，以确保
性能保持在工作频率保持不变。
当电流从漏极到源极，并通过电阻器
电源电压变为上述直流接地偏压。门
该装置的引脚应为0V留下无偏，从而产生了
所需的负面V
GS
值。这简化了产品的设计
省去了第二DC电源。值电阻
成分R1和R2是可以改变的，以容易地增加或
减小偏置电流到所需的水平。
第一级偏置在20％的我
DSS
以达到最佳的
NF性能。在2的增益和电流
nd
级放大器
可以在不降低整体的NF调整。更多的电流
2
nd
期产生更好的IP3性能。
偏置元件R1，R2， C1，C2中应尽可能地
合到封装引脚越好。参见图12，用于对
推荐的电路板布局。
源极电感
引脚1和8 （ BIAS1和BIAS2所需的源极电感
信号，分别地）已经被集成在管芯。这
简化电路板布局，降低了建立差异。
输入和输出的RF匹配网络
输入带通匹配网络包括四个
组件。分量C1作为输入DC阻断
电容器C2提供高的频率稳定度和改进的输入
回波损耗和L1和L2是负责的最佳噪声
匹配寻找到所述第一级放大器的栅极。
多余的电路板迹线应该在该装置的输入来消除
最大限度地减少电路板损耗。高Q值元件应使用
实现放大器的最佳噪声系数。村田郭敬明系列
电容和Coilcraft在HP或CS系列电感器
推荐使用。任何多余的板或组件损失对输入
该装置的直接添加到总测量的NF 。
输出匹配网络被用于带通网络优化
输出回波损耗。
该SKY65049-360LF评估板装配示意图
在图12中所示的电路示意图中提供
图13 。
反馈
反馈是在推荐的电路来实现对2
nd
级晶体管。反馈提高了输入和输出回波
损和高的频率稳定度。该装置的增益可以是
通过增加R3的值，从而降低了
反馈目前量（增益为多个反馈电阻
值示于图11）。
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测量NF
应特别注意使< 1分贝NF时，应采取
测量。理想情况下，测量应在RF进行
屏蔽室。安捷伦N9020A MXA频谱分析仪与
内部前置放大器搭配的N4001A智能噪声源是
用于所有的噪声测量。智能噪声源有
内部热电偶自动设置T
冷
设置上
分析仪。如果智能噪声源是不可用的，一个标准
低过量噪声比（ ENR）源应该被使用。使用
外部热电偶手动调节的T
冷
设置
确保精确的结果。
电气和机械规格
该SKY65049-360LF的绝对最大额定值是
在表2中提供的推荐的工作条件
表3规定和电气规范中提供
表4 。
为SKY65049-360LF性能特点
通过11示于图3 。
表2. SKY65049-360LF绝对最大额定值
参数
电源电压
输入功率
电源电流第一阶段
电源电流第二阶段
功耗
结温
储存温度
工作温度
热阻
注意：
符号
V
DD
P
IN
I
DS
1
I
DS
2
P
DIS
T
J
T
英镑
T
OP
Q
JC
最低
典型
5.5
+13
50
100
530
150
最大
单位
V
DBM
mA
mA
mW
C
–65
–40
47
+125
+85
C
C
C / W
暴露在绝对最大额定值条件下工作会降低设备的可靠性。有到设备没有损坏，只有一个参数设定为极限，所有其他
参数设定在等于或低于其标称值。任何超过这里所列出的限制可能导致器件的永久性损坏。
注意事项：
虽然本设备被设计为尽可能坚固，静电放电（ ESD）会损坏该设备。该装置
必须在任何时候都免受ESD保护。静电可以容易地产生几千伏的电位，对人体
或设备，可排出而不被发现。行业标准的ESD防范措施，应使用在任何时候。
表3. SKY65049-360LF推荐工作条件
参数
工作频率
电源电压
电源电流
f
V
DD
I
DD
符号
最低
1.7
4.75
30
5.00
65
典型
最大
2.4
5.25
100
单位
GHz的
V
mA
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数据表 SKY65049-360LF低噪声放大器
表4. SKY65049-360LF电气规格（注1 ）
(T
OP
= 25 ℃，特性阻抗[Z
O
] = 50
Ω,
V
DD
= 5 V，I
DD
= 65 mA时， F = 2.0 GHz的参数包括推荐1.7
2.1 GHz的匹配网络，除非另有说明）
参数
噪音科幻gure （注2 ）
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
3
rd
为了输出截取点
3
rd
订单输入截取点
1分贝输出压缩点
1分贝输入压缩点
稳定性
NF
|S
21
|
|S11|
|S22|
|S12|
OIP3
IIP3
OP1dB
IP1dB
无条件稳定了
到18 GHz的
10 MHz的间距，
P
IN
每个音= -18 dBm的
10 MHz的间距，
P
IN
每个音= -18 dBm的
15
符号
测试条件
民
典型
0.7
17
–23
–10
–27
+34
+17
+17.5
+1.5
>1
最大
0.9
18
单位
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
K
注1 ：
性能保证仅在本表列出的条件，不能保证在整个工作或贮存温度范围。运行在较高的
温度可以降低器件的可靠性。
注2 ：
NF装置和匹配网络。输入射频连接器和电路板损耗脱嵌的测量。
典型性能特性
(T
OP
= 25 ℃，特性阻抗[Z
O
] = 50
Ω,
V
DD
= 5 V，I
DD
= 65 mA时，参数包括推荐
1.7到2.1 GHz的匹配网络，除非另有说明）
0
+85
o
C
+25
o
C
–40
o
C
25
20
–5
小信号增益（dB ）
输入回波损耗（dB ）
+85
o
C
+25
o
C
–40
o
C
–10
–15
–20
–25
–30
15
10
5
0
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图3.小信号增益与频率过温，
(P
IN
= -20 dBm的）
图4.输入回波损耗与频率过温，
(P
IN
= -20 dBm的）
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0
–5
0
反向隔离度（dB ）
–10
–15
–20
–25
–30
–35
–40
–45
–50
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
输出回波损耗（dB ）
+85 C
+25
o
C
–40
o
C
o
–2
–4
–6
–8
–10
–12
–14
–16
+85
o
C
+25
o
C
–40
o
C
2.4
2.5
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图5.反向隔离与频率过温，
(P
IN
= -20 dBm的）
图6.输出回波损耗与频率过温，
(P
IN
= -20 dBm的）
1.4
+35.5
1.2
+35.0
噪声系数（dB ）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1.70
1.75
1.80
1.85
1.90
1.95
2.00
+85
o
C
+25
o
C
–40
o
C
OIP3 （ dBm的）
+34.5
+34.0
+33.5
+33.0
+32.5
1.70
+85
o
C
+25
o
C
–40
o
C
2.05
2.10
1.75
1.80
1.85
1.90
1.95
2.00
2.05
2.10
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图7.噪声系数随频率过温，
输入射频连接器和电路板走线脱嵌从
测量
图8. OIP3与频率过温，
（音间距= 5兆赫，P
IN
= -18 dBm的/音）
+3.5
+3.0
+2.5
+2.0
8
7
6
μ1
–
40
o
C
μ1
+25
o
C
μ1
+85
o
C
μ2
–
40
o
C
μ2
+25
o
C
μ2
+85
o
C
IP1dB （ dBm的）
+1.5
+1.0
+0.5
0
–0.5
–1.0
–1.5
1.70
1.75
1.80
1.85
1.90
1.95
2.00
2.05
2.10
+85
o
C
+25
o
C
–40
o
C
μ1, μ2
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图9. IP1dB VS频率随温度
图10.稳定性与频率过温
(P
IN
= -20 dBm的）
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