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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第878页 > SKY13286-359LF
数据表
SKY13286-359LF : 0.1-6.0 GHz的高隔离度SPDT
吸收式开关
应用
GSM ,PCS, WCDMA基站
2.4 GHz和5.8 GHz ISM设备
无线本地环路
C
BL
J1
50
C
BL
特点
单,正电压控制: 03 0 5 V
高隔离64分贝在1 GHz和2 GHz的
集成硅CMOS驱动器
吸收
小, QFN ( 16引脚, 4 ×4mm的)无铅封装( MSL1 , 260
°C
根据JEDEC J- STD- 020 )
Skyworks公司提供铅(Pb ) - 免费,符合RoHS (限制的
有害物质)标准包装。
VDD
50
C
BL
J2
RFC
解码器
VCTL
S1595
图1. SKY13286-359LF框图
描述
该SKY13286-359LF是GaAs pHEMT制场效应管的高隔离度,
吸收式开关。该设备是用于基地的理想元件
站的应用,其中合成器隔离是重要的。
该器件采用4 ×4mm的规定, 16引脚四方扁平无引线
(QFN )封装。的功能框图被示于图1 。
销结构和包示于图2中的信号
引脚分配和功能的引脚说明中提供
表1中。
Skyworks的解决方案,公司电话[ 781 ] 376-3000 传真[ 781 ] 376-3100 sales@skyworksinc.comwww.skyworksinc.com
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1
数据表 SKY13286-359LF SPDT吸收式开关
GND
GND
GND
14
16
15
13
GND
VDD
VCTL
RFC
GND
1
2
12
11
J1
GND
GND
J2
3
4
10
9
5
6
7
8
GND
GND
GND
针#
9
10
图2. SKY13286-359LF引脚 - 16引脚QFN
( TOP VIEW )
表1. SKY13286-359LF信号说明
针#
1
2
VDD
VCTL
名字
描述
直流稳压电源
DC开关控制引脚。开关插
从RFC亏损状态, J1或J2
(见表5)。
RF输入
名字
J2
GND
射频输出2
描述
3
4
5
6
7
8
RFC
GND
GND
GND
GND
GND
11
12
13
14
15
16
GND
GND
J1
GND
GND
GND
GND
射频输出1
电气和机械规格
该SKY13286-359LF的绝对最大额定值是
提供于表2中推荐的操作条件
表3规定和电气规范中提供
表4 。
该SKY13286-359LF的典型性能特点
通过9示于图3 。
该SKY13286-359LF的状态由逻辑确定
在表5中提供。
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2009年7月30日 Skyworks的专有和机密信息产品和产品信息如有变更,恕不另行通知 200570E
数据表 SKY13286-359LF SPDT吸收式开关
表2. SKY13286-359LF绝对最大额定值
参数
电源电压
RF输入功率@ >500兆赫
工作温度
储存温度
注意:
符号
VDD
V
I
T
OP
T
英镑
最低
2.7
典型
最大
5.5
单位
V
W
°C
°C
1
–40
–65
+95
+150
暴露在绝对最大额定值条件下工作会降低设备的可靠性。有到设备没有损坏,只有一个参数设定为极限,所有其他
参数设定在等于或低于其标称值。任何超过这里所列出的限制可能导致器件的永久性损坏。
注意事项:
虽然本设备被设计为尽可能坚固,静电放电( ESD)会损坏该设备。该装置
必须在任何时候都免受ESD保护。静电可以容易地产生几千伏的电位,对人体
或设备,可排出而不被发现。行业标准的ESD防范措施,应使用在任何时候。
表3.推荐工作条件
参数
开关特性:
上升,下降
开/关
视频馈通
符号
测试条件
九十○分之一十%或90 /10%的射频
50 %对照90 /10%的射频
T
上升
= 3纳秒,
测量带宽
= 500 MHz的
P
输入
IP3
VDD = 3V , 0.7-2.0 GHz的
VDD = 5V , 0.7-2.0 GHz的
对于2音输入功率,
8 dBm的/音, 1兆赫
间距:
VDD = 3.3 V , 0.71.0 GHz的
VDD = 5.0 V , 0.71.0 GHz的
VDD = 3.3 V , 1.02.0 GHz的
VDD = 5.0 V , 1.02.0 GHz的
控制电压(注1 ) :
电源电流
控制电流
电源电压
V
CTL
_
V
CTL
_
VDD = 5 V
VCTL =低或高
2.7
5
5.0
+45
+45
0
2.7
+49
+47
+43
+46
0.5
VDD
100
DBM
DBM
DBM
DBM
V
V
μA
μA
V
+26
典型
30
50
最大
单位
ns
ns
25
+23
+30
mV
DBM
DBM
输入功率为1 dB压缩
3
rd
阶截取点
注1 :
VDD必须在VCTL高信号之前被应用。如果一个逻辑高电平信号VDD电压施加之前,可能会发生闩锁状态。控制电压切换VDD电压到
砷化镓开关。
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数据表 SKY13286-359LF SPDT吸收式开关
表4. SKY13286-359LF电气规格(注1 )
( VCTL = 0 V / 3 V , VDD = 5 V ,T
OP
= +25
°C,
P
输入
= 0 dBm时,特性阻抗[Z
O
] = 50
Ω,
除非另有说明)
参数
插入损耗
符号
测试条件
0.1至2.0千兆赫
2.0至3.0千兆赫
3.0至4.0千兆赫
4.0至6.0千兆赫
0.1至2.0千兆赫
2.0至3.0千兆赫
3.0至4.0千兆赫
4.0至6.0千兆赫
0.1至2.0千兆赫
2.0至3.0千兆赫
3.0至4.0千兆赫
4.0至6.0千兆赫
0.1至2.0千兆赫
2.0至3.0千兆赫
3.0至4.0千兆赫
4.0至6.0千兆赫
60
58
55
40
10
15
13
10
10
12
12
11
典型
0.8
0.8
1.0
1.5
62
62
58
42
22
22
18
12
12
15
15
13
最大
1.10
1.25
1.35
1.80
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
隔离
回波损耗(插入损耗状态) (注2 )
回波损耗(隔离状态) (注2 )
注1 :
性能保证仅在本表列出的条件,不能保证在整个工作或贮存温度范围。运行在较高的
温度可以降低器件的可靠性。
注2 :
较低频率的回波损耗取决于直流模块。
典型性能特性
( VCTL = 0 V / 3 V , VDD = 5 V ,T
OP
= +25
°C,
P
输入
= 0 dBm时,特性阻抗[Z
O
] = 50
Ω,
除非另有说明)
0
–0.5
–1.0
0
–10
–20
J1
J2
插入损耗(dB )
隔离度(dB )
J1
J2
–1.5
–2.0
–2.5
–3.0
–3.5
–4.0
–4.5
–5.0
0
1
2
3
4
5
6
–30
–40
–50
–60
–70
–80
0
1
2
3
4
5
6
频率(GHz )
图3.插入损耗与频率
频率(GHz )
图4.隔离V秒频率
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数据表 SKY13286-359LF SPDT吸收式开关
0
–5
0
–5
J1 | S11 |
J2 | S11 |
J1 | S22 |
J2 | S22 |
–10
回波损耗(分贝)
–15
–20
–25
–30
–35
–40
–45
0
1
2
3
4
5
6
J1 | S11 |
J2 | S11 |
J1 | S22 |
J2 | S22 |
回波损耗(分贝)
–10
–15
–20
–25
–30
0
1
2
3
4
5
6
频率(GHz )
图5.回波损耗与频率
(插入损耗状态)
0
–10
–20
J1-J2
J2-J1
0
–0.2
频率(GHz )
图6.回波损耗与频率
(隔离状态)
插入损耗(dB )
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1.6
–1.8
3.0 V
3.3 V
5.0 V
隔离度(dB )
–30
–40
–50
–60
–70
–80
0
1
2
3
4
5
6
0
+4
+8
+12
+16
+20
+24
+28
+32
频率(GHz )
图7.输出到输出隔离
+55
输入功率(dBm )
图8.插入损耗与输入电源过电压
+50
IP3 ( dBm的)
+45
+40
0.7-1.0 GHz的
1.0-2.0 GHz的
+35
+30
2.8 3.0 3.2 3.4 3.6 3.8 4.0 4.2 4.4 4.6 4.8 5.0
电源电压( V)
图9. IP3 VS VDD电源电压
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数据表
SKY13286-359LF :砷化镓高隔离度SPDT
吸收式开关100 MHz的- 6 GHz的
特点
功能框图
J
1
C
BL
单正电压控制( 0/3至0/5 V )
高隔离64分贝在1 GHz和2 GHz的
集成硅CMOS驱动器
吸收
可用铅( Pb),且符合RoHS标准的MSL - 1 @ 260℃
根据JEDEC J- STD- 020
50
RFC
C
BL
描述
该SKY13286-359LF是pHEMT制砷化镓场效应管IC高隔离度
封装采用16引脚裸露焊盘的塑料吸收式开关
包用于低成本的商业应用。它是一个理想的
积木式基站应用合成
隔离是重要的。典型的应用包括GSM, PCS ,WCDMA
2.4 GHz和5.8 GHz ISM和无线本地环路。
评估板可应要求提供。
50
J
2
C
BL
解码器
Skyworks公司提供铅(Pb ) - 免费,符合RoHS (限制的
有害物质)标准包装。
V
DD
V
CTL
电气规格
V
CTL
= 0 V/3V, V
DD
= 5 V ,T = 25° C,P
输入
= 0 dBm的,Z
0
= 50
Ω,
除非另有说明
参数
插入损耗
频率
0.1-2.0 GHz的
2.0-3.0 GHz的
3.0-4.0 GHz的
4.0-6.0 GHz的
0.1-2.0 GHz的
2.0-3.0 GHz的
3.0-4.0 GHz的
4.0-6.0 GHz的
0.1-2.0 GHz的
2.0-3.0 GHz的
3.0-4.0 GHz的
4.0-6.0 GHz的
0.5-2.0 GHz的
2.0-3.0 GHz的
3.0-4.0 GHz的
4.0-6.0 GHz的
60
58
55
40
10
15
13
10
10
12
12
11
分钟。
典型值。
0.8
0.8
1.0
1.5
62
62
58
42
22
22
18
12
12
15
15
13
马克斯。
1.10
1.25
1.35
1.80
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
隔离
回波损耗(插入损耗状态)
较低频率的回波损耗取决于直流模块
回波损耗(隔离状态)
较低频率的回波损耗取决于直流模块
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1
数据表 SKY13286-359LF
工作特性
V
CTL
= 0 V / 3V ,T = 25° C,P
输入
= 0 dBm的,Z
0
= 50
Ω,
除非另有说明
参数
开关特性
上升,下降
开,关
视频馈通
输入功率为1 dB压缩
交调截取点( IP3 )
条件
九十○分之一十%或90 /10%的射频
50%的CTL 90 /10%的射频
T
上升
= 3纳秒,测量带宽= 500MHz的
V
DD
= 3 V
V
DD
= 5 V
对于双音输入功率dBm的8 /音
1 MHz的间距
V
DD
= 3.3 V
V
DD
= 5 V
V
DD
= 3.3 V
V
DD
= 5 V
V
CTL低
V
CTL高
V
DD
= 5 V
V
CTL
=低,V
CTL
=高
2.7
5
5
0.7-2.0 GHz的
0.7-2.0 GHz的
26
频率
分钟。
典型值。
30
50
25
23
30
马克斯。
单位
ns
ns
mV
DBM
DBM
0.7-1.0 GHz的
0.7-1.0 GHz的
1.0-2.0 GHz的
1.0-2.0 GHz的
45
45
0
2.7
49
47
43
46
0.5
V
DD
100
DBM
DBM
DBM
DBM
V
V
A
A
控制电压
(1,2)
电源电流
控制电流
电源电压
1. V
DD
一定要到V开机前
CTL
高信号。如果一个逻辑可能会发生闩锁机状态
之前,在V高信号被加到
DD
电压。
2.控制电压切换V
DD
电压施加到在GaAs开关。
典型性能数据
V
CTL
= 0 V/3V, V
DD
= 5 V ,T = 25° C,P
输入
= 0 dBm的,Z
0
= 50
Ω,
除非另有说明
0
-0.5
-1.0
-1.5
J
1
J
2
0
-10
-20
J
1
J
2
隔离
( dB)的
0
1
2
3
4
5
6
损失
( dB)的
-2.0
-2.5
-3.0
-3.5
-4.0
-4.5
-5.0
-30
-40
-50
-60
-70
-80
0
1
2
3
4
5
6
频率(GHz )
频率(GHz )
插入损耗与频率
隔离与频率的关系
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2
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数据表 SKY13286-359LF
0
-5
-10
J
1
lS
11
l
J
1
lS
22
l
J
2
lS
11
l
J
2
lS
22
l
0
-5
J
1
ISO LS
11
l
J
2
ISO LS
11
l
J
1
ISO LS
22
l
J
2
ISO LS
22
l
回波损耗(分贝)
-15
回波损耗(分贝)
0
1
2
3
4
5
6
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-10
-15
-20
-25
-30
0
1
2
3
4
5
6
频率(GHz )
回波损耗与频率的关系
插入损耗状态
频率(GHz )
回波损耗与频率的关系
隔离状态
V
DD
= 3 V
V
DD
= 3.3 V
V
DD
= 5 V
0
-10
-20
J
1
–J
2
ISO
J
2
–J
1
ISO
0
-0.2
-0.4
隔离
( dB)的
损耗(dB)
0
1
2
3
4
5
6
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
-1.4
-1.6
-1.8
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34
频率(GHz )
输入功率(dBm )
输出至输出隔离
插入损耗与输入功率
与V
DD
电压
55
50
IP3 0.7-1.0 GHz的
IP3 1.0-2.0 GHz的
IP3 ( dBm的)
45
40
35
30
2.8 3.0 3.2 3.4 3.6 3.8 4.0 4.2 4.4 4.6 4.8 5.0
电源电压
IP3与V
DD
电源电压
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数据表 SKY13286-359LF
真值表
V
CTL
0
1
RFC -J
1
插入损耗
隔离
RFC -J
2
隔离
插入损耗
引脚输出(顶视图)
“透视”的焊盘封装的底部
GND
16
GND
15
GND
14
GND
13
绝对最大额定值
特征
V
DD
电压范围
RF输入功率
工作温度
储存温度
价值
2.7 < V
DD
& LT ; 5.5 V
1 W,F > 500兆赫
-40 ° C至+85°C
-65 ° C至+150°C
V
DD
1
V
CTL
2
RFC 3
GND
4
12 J
1
11
10
9
GND
裸露焊盘
5
GND
6
GND
7
GND
8
GND
GND
GND
J
2
性能保证仅在在规格表中列出的条件,是
下的绝对最大规格所述的全范围( S)不能保证。
超过任何绝对最大/最小规格的可导致永久
损坏设备,并会导致保修失效。
要求所有RF线的隔直流电容器(RFC ,J
1
, J
2
).
注意事项:
虽然此设备被设计成如作为鲁棒
可能的话, ESD (静电放电)可能会损坏
此设备。此设备必须在任何时候都受到保护
从ESD 。静电荷可以很容易地产生电位
几千伏,对人体tials或
设备,它可以排出而不被发现。
行业标准的ESD防范措施,必须采用
在任何时候。
包装外形
0.20 REF
4.00
销1
指标
0.02 + 0.03
0.02 - 0.02
座位
飞机
4.00
最热
销1
指标
0.90 ± 0.10
S286
XXXX
YWW
顶视图
Skyworks的P / N
Skyworks的GaAs裸片批号
日期代码
Y =年日历
WW =周
裸露焊盘
0.20 MIN 。
典型值。
裸露焊盘
0.325
2.70 + 0.10
2.70 - 0.15
1.35 + 0.05
1.35 - 0.075
引脚1指示
0.65
2.70 + 0.10
2.70 - 0.15
0.40 ±. 010
0.30 ± 0.05
尺寸(mm) 。
1.35 + 0.05
1.35 - 0.075
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数据表 SKY13286-359LF
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