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SKT 40
晶闸管桥,可控硅,桥
螺栓型可控硅
行晶闸管
SKT 40
符号
条件
单位
特点
典型应用
SKT
1
27-08-2003 IMP
由赛米控
整流器,二极管,晶闸管,模块
图。 1L功耗与通态电流
图。 1R功耗与环境温度
图。 2额定通态电流与外壳温度
图。 3恢复电荷与电流下降
图。 4瞬态热阻抗随时间变化
图。 5热敏电阻与导通角
2
27-08-2003 IMP
由赛米控
SKT 40
晶闸管桥,可控硅,桥
图。 6通态特性
图。 7功耗与通态电流
图。 8浪涌过载CURENT与时间
3
27-08-2003 IMP
由赛米控
整流器,二极管,晶闸管,模块
图。 9门极触发特性
尺寸(mm)
本技术信息指定半导体器件,但承诺没有的特点。无担保或保证
明示或暗示方面取得的交付,性能或适用性。
4
27-08-2003 IMP
由赛米控
V
RSM
V
RRM
V
DRM
( )
dv
dt
V / μs的
500
500
500
1000
1000
1000
1000
cr
I
真有效值
(最大值为连续运行)
63 A
78 A
I
TAV
(SIN 180 ; ;■
= . . .
°C)
40 A (80
°C)
50 A (78
°C)
SKT 40/04
SKT 40/06
SKT 40/08
SKT 40/12 ê
SKT 40/14 ê
SKT 40/16 ê
SKT十八分之四十ê
o
SKT 40
38
700
600
2500
1800
SKT 50/06 D *
SKT 50/08
SKT 50/12 E *
SKT 50/14 E *
SKT 50/16 E *
SKT 50/18 ê
o
SKT 50
45
1050
900
5000
4000
单位
A
A
A
A
2
s
A
2
s
s
s
A / μs的
mA
mA
s
V
V
m
mA
V
mA
V
mA
0,57
0,60
0,65
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
°C
Nm
英镑英寸
M / S
2
g
晶闸管
SKT 40
SKT 50
V
500
700
900
1300
1500
1700
1900
V
400
600
800
1200
1400
1600
1800
符号条件
I
TAV
I
TSM
i
2
t
t
gd
t
gr
( di / dt的)
cr
I
H
I
L
t
q
V
T
V
T( TO )
r
T
I
DD
, I
RD
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
R
thJC
罪。 180 ;牛逼
= 85
°C
T
vj
= 25
°C;
10毫秒
T
vj
= 130
°C;
10毫秒
T
vj
= 25
°C;
8,35 ... 10毫秒
T
vj
= 130
°C;
8,35 ... 10毫秒
T
vj
= 25
°C;
I
G
= 1 A;
di
G
/ DT = 1 A / μs的
V
D
= 0,67 . V
DRM
F = 50 。 。 。 60赫兹
T
vj
= 25
°C
T
vj
= 25
°C;
R
G
= 33
T
vj
= 130
°C;
典型值。
T
vj
= 25
°C;
I
T
= 120 A;最大。
T
vj
= 130
°C
T
vj
= 130
°C
T
vj
= 130
°C;
V
DD
= V
DRM
V
RD
= V
RRM
T
vj
= 25
°C
T
vj
= 25
°C
T
vj
= 130
°C
T
vj
= 130
°C
续。
罪。 180
REC 。 120
(典型值) 。 1
(典型值) 。 1,5
50
(典型值) 。 100 ;最大。 200
(典型值) 。 250 ;最大。 400
100
1,95
1,0
9
8
3
150
0,25
5
0,60
0,66
0,70
1,8
1,1
5
8
特点
全封闭的金属例
玻璃绝缘子
双头螺栓M8 ISO
or
UNF 1 / 4-28
国际标准的情况下,
典型应用
直流电机控制
(例如机床)
控制整流器
(例如,用于电池充电)
AC控制器
(例如,用于温度控制的)
R
thCH
T
vj
T
英镑
M
a
w
国际单位制
美国单位
0,20
– 40 ... +130
– 55 ... +150
4 ( UNF : 2,5)
35 ( UNF : 22 )
5 . 9,81
2,2
B3
*仅可用于UNF螺纹1 / 4-28 UNF2A ,如SKT 50/06 UNF
由赛米控
0895
o
数量有限
B 3 – 13
B 3 – 14
由赛米控
由赛米控
B 3 – 15
B 3 – 16
由赛米控
B 3 – 12
由赛米控
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    SKT40/06D
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SKT40/06D
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