【SKM 50GB123D ...绝对最大额定值符号条件IGBT值单位SEMITRANS2IGBT模块】,IC型号SKM50GB123D_06,SKM50GB123D_06 PDF资料,SKM50GB123D_06经销商,ic,电子元器件-51电子网

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SKM 50GB123D ...

绝对最大额定值

符号条件

IGBT

值

单位

SEMITRANS

2

IGBT模块

SKM 50GB123D

SKM 50GAL123D

逆二极管

续流二极管

特点

模块

特征

符号条件

IGBT

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

典型应用

GB

GAL

1

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由赛米控

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特征

符号条件

逆二极管

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

SEMITRANS

2

IGBT模块

SKM 50GB123D

SKM 50GAL123D

续流二极管

特点

模块

典型应用

这是静电放电敏感器件（ ESDS ），国际标准

IEC 60747-1 ，第九章。

本技术信息指定半导体器件，但不承诺

的特点。无担保或保证明示或暗示方面取得的

交付，性能或适用性。

GB

GAL

2

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图。 1典型值。输出特性，包括

CC' + EE '

图。 2额定电流与温度I

C

= F（T

C

)

图。 3典型。导通/断电能量= F （Ⅰ

C

)

图。 4典型。导通/断电能量= F （r

G

)

图。 5典型。传输特性

图。 6典型。栅极电荷特性

3

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图。 7典型。开关时间与我

C

图。 8典型。开关时间与栅极电阻R

G

图。 9瞬态热阻抗

图。 10 CAL二极管的正向特性

图。 11典型。 CAL二极管的反向恢复峰值电流

图。 12典型。 CAL二极管的恢复电荷

4

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5

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