绝对最大额定值
符号
V
CES
V
CGR
I
C
I
CM
V
GES
P
合计
T
j
, (T
英镑
)
V
ISOL
湿度
气候
条件
1)
R
GE
= 20 k
T
例
= 25/80
°C
T
例
= 25/80
°C;
t
p
= 1毫秒
每个IGBT ，T
例
= 25
°C
交流电，1分钟。
DIN 40 040
DIN IEC 68 T.1
T
例
= 25/80
°C
T
例
= 25/80
°C;
t
p
= 1毫秒
t
p
= 10毫秒;罪;牛逼
j
= 150 °C
t
p
= 10毫秒;牛逼
j
= 150 °C
值
... 123 D
1200
1200
50 / 40
100 / 80
±
20
310
– 40 . . .+150 (125)
2 500
F级
40/125/56
50 / 40
100 / 80
550
1500
单位
V
V
A
A
V
W
°C
V
SEMITRANS
M
IGBT模块
SKM 50 GB 123
SKM 50 GAL 123
二极管
I
F
= – I
C
I
FM
= – I
CM
I
FSM
I
2
t
A
A
A
2
s
SEMITRANS 2
特征
符号
V
（ BR ） CES
V
GE （日）
I
CES
I
GES
V
CESAT
V
CESAT
g
fs
C
CHC
C
IES
C
OES
C
水库
L
CE
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
5 ）
E
关闭5 ）
二极管
8)
V
F
= V
EC
V
F
= V
EC
V
TO
r
T
I
RRM
Q
rr
条件
1)
V
GE
= 0, I
C
= 1毫安
V
GE
= V
CE
, I
C
= 2毫安
T
j
= 25
°C
V
GE
= 0
½
V
CE
= V
CES
T
j
= 125
°C
V
GE
= 20 V, V
CE
= 0
I
C
= 40 A
V
GE
= 15 V;
½
I
C
= 50 A
T
j
= 25 (125)
°C
V
CE
= 20 V，I
C
= 40 A
每个IGBT
V
GE
= 0
½
V
CE
= 25 V
F = 1 MHz的
分钟。
典型值。
马克斯。
–
6,5
1
–
200
3(3,7)
–
–
350
4000
600
300
30
–
–
–
–
–
–
2,2
–
1,2
22
–
–
0,4
0,7
0,05
单位
V
V
mA
mA
nA
V
V
S
pF
pF
pF
pF
nH
ns
ns
ns
ns
MWS
MWS
V
V
V
m
A
C
° C / W
° C / W
° C / W
GB
GAL
≥
V
CES
–
4,5
5,5
–
0,3
–
3
–
–
–
2,5(3,1)
–
2,7(3,5)
30
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
3300
500
220
–
70
60
400
45
7
4,5
1,85(1,6)
2,0(1,8)
–
–
23(35)
2,3(7)
–
–
–
½
V
CC
= 600 V
V
GE
= + 15 V / - 15 V
3)
I
C
= 40 A， IND 。负载
R
坤
= R
高夫
= 27
T
j
= 125
°C
特点
的MOS输入（电压控制）
N沟道，齐思
低电感情况下，
极低的尾电流低
温度依赖性
高抗短路能力强，
自我限制到6 * I
cnom
闭锁免费
快速&软逆CAL
二极管
8)
孤立的铜基板
采用DCB直接铜阀帽
鼎科技
大间隙（10毫米）和
爬电距离（20毫米） 。
典型应用：
→
B 6 - 85
三相逆变器驱动器
开关（未线性用途）
1)
2)
3)
5)
8)
I
F
= 40 A
V
GE
= 0 V;
½
I
F
= 50 A
T
j
= 25 (125)
°C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
I
F
= 40 A; TJ = 25 （ 125 ） ℃，
2)
I
F
= 40 A;牛逼
j
= 25 (125)
°C
2)
热特性
每个IGBT
R
thJC
每二极管
R
thJC
每个模块
R
thCH
T
例
= 25
°C,
除非另有
特定网络版
I
F
= – I
C
, V
R
= 600 V,
DI
F
/ DT = 800 A / μs的
,
V
GE
= 0 V
利用V
杰夫
= -5 ... -15 V
见图。 2 + 3 ;
高夫
= 27
CAL =控制轴向长寿命
技术。
案例和机甲。数据
→
B 6 - 86
SEMITRANS 2
由赛米控
0898
B 6 – 81
QQ：2881677436 复制
