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> SKM500GA123D
SKM 500GA123D
绝对最大额定值
符号条件
IGBT
值
单位
SEMITRANS
4
IGBT模块
SKM 500GA123D
SKM 500GA123DS
模块
逆二极管
特点
特征
符号条件
IGBT
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
典型应用
GA
GA内容S
1
2006年11月9日RAA
由赛米控
SKM 500GA123D
特征
符号条件
逆二极管
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
SEMITRANS
4
IGBT模块
续流二极管
SKM 500GA123D
SKM 500GA123DS
特点
模块
典型应用
这是静电放电敏感器件( ESDS ) ,国际标准
IEC 60747-1 ,第九章。
本技术信息指定半导体器件,但不承诺
的特点。无担保或保证明示或暗示方面取得的
交付,性能或适用性。
GA
GA内容S
2
2006年11月9日RAA
由赛米控
SKM 500GA123D
Z
th
符号
Z
日(J -C )升
条件
值
单位
SEMITRANS
4
Z
日(J -C )D
IGBT模块
SKM 500GA123D
SKM 500GA123DS
特点
典型应用
GA
GA内容S
3
2006年11月9日RAA
由赛米控
SKM 500GA123D
图。 1典型值。输出特性,包括
CC' + EE '
图。 2额定电流与温度I
C
= F(T
C
)
图。 3典型。导通/断电能量= F (Ⅰ
C
)
图。 4典型。导通/断电能量= F (r
G
)
图。 5典型。传输特性
图。 6典型。栅极电荷特性
4
2006年11月9日RAA
由赛米控
SKM 500GA123D
图。 7典型。开关时间与我
C
图。 8典型。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9瞬态热阻抗
图。 10 CAL二极管的正向特性
图。 11典型。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12典型。 CAL二极管的峰值反向恢复电荷
5
2006年11月9日RAA
由赛米控
SKM 500GA123D
绝对最大额定值
符号条件
IGBT
值
单位
SEMITRANS
TM
4
逆二极管
IGBT模块
SKM 500GA123D
SKM 500GA123DS
特征
符号条件
IGBT
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
特点
逆二极管
典型应用
热特性
机械数据
GA
GA内容S
1
23-09-2005 SCT
由赛米控
SKM 500GA123D
图。 1典型值。输出特性,包括
CC' + EE '
图。 2额定电流与温度I
C
= F(T
C
)
图。 3典型。导通/断电能量= F (Ⅰ
C
)
图。 4典型。导通/断电能量= F (r
G
)
图。 5典型。传输特性
图。 6典型。栅极电荷特性
2
23-09-2005 SCT
由赛米控
SKM 500GA123D
图。 7典型。开关时间与我
C
图。 8典型。开关时间与栅极电阻R
G
图。 IGBT的9瞬态热阻抗
Z
THP (J -C )
= F(T
p
) ; D =吨
p
/t
c
= t
p
*f
图。 FWD的10瞬态热阻抗
Z
THP (J -C )
= F(T
p
) ; D =吨
p
/t
c
= t
p
*f
图。 11 CAL二极管的正向特性
图。 12典型。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
3
23-09-2005 SCT
由赛米控
SKM 500GA123D
图。 13典型。 CAL二极管的恢复电荷
UL认可
文件没有。 ê 63 532
尺寸(mm)
这是静电放电敏感器件( ESDS ) ,国际标准IEC 60747-1 ,第九章。
本技术信息指定半导体器件,但承诺没有的特点。无担保或保证
明示或暗示方面取得的交付,性能或适用性。
4
23-09-2005 SCT
由赛米控
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SKM500GA123D
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