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SKM400GA12V
绝对最大额定值
符号
IGBT
V
CES
I
C
I
cnom
I
CRM
I
CRM
= 3xI
cnom
V
CC
= 720 V
V
GE
≤
20 V
V
CES
≤
1200 V
T
j
= 25 °C
T
j
= 175 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
1200
612
467
400
1200
-20 ... 20
T
j
= 125 °C
10
-40 ... 175
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
440
329
400
I
FRM
= 3xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
1200
1980
-40 ... 175
T
终奌站
= 80 °C
AC窦50Hz时， T = 1分
500
-40 ... 125
4000
V
A
A
A
A
V
s
°C
A
A
A
A
A
°C
A
°C
V
条件
值
单位
SEMITRANS 4
V
GES
t
PSC
T
j
I
F
I
fnom的
逆二极管
SKM400GA12V
特点
V -IGBT = 6代沟槽V- IGBT
（富士）
CAL4 =软开关4.代
CAL二极管
使用DBC隔离铜基板
技术（直接键合铜）
UL认证，文件编号。 E63532
提高功率循环能力
带集成门极电阻
在高di / dt低开关损耗
T
j
= 175 °C
I
FRM
I
FSM
T
j
模块
I
T（ RMS ）
T
英镑
V
ISOL
特征
符号
IGBT
V
CE （ SAT ）
V
CE0
r
CE
V
GE （日）
I
CES
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
R
GINT
t
D（上）
t
r
E
on
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
R
日（J -C ）
典型应用*
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊工
开关磁阻电机
条件
I
C
= 400 A
V
GE
= 15 V
chiplevel
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
V
GE
= 15 V
V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V
V
CE
= 25 V
V
GE
= 0 V
V
GE
= - 8 V...+ 15 V
V
CC
= 600 V
I
C
= 400 A
V
GE
= ±15 V
R
G于
= 3
R
克OFF
= 3
的di / dt
on
= 9800 A / μs的
的di / dt
关闭
= 5000 A / μs的
DU / DT
关闭
= 7600 V/
s
每个IGBT
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
分钟。
典型值。
1.75
2.20
0.94
0.88
2.02
3.30
马克斯。
2.20
2.50
1.04
0.98
2.9
3.80
6.5
0.3
单位
V
V
V
V
m
m
V
mA
mA
nF
nF
nF
nC
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
备注
外壳温度限制
T
c
= 125 °C以下，荐。
T
op
= -40 ... + 150 ° C，产品
REL 。对于T的结果有效
j
= 150°
V
GE
=V
CE
, I
C
= 16毫安
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
5.5
6
0.1
24.04
2.36
2.356
4420
1.9
350
60
39
700
65
42
0.072
K / W
GA
由赛米控
第3版 - 2011年3月23日
1
SKM400GA12V
特征
符号
条件
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
r
F
T
j
= 25 °C
I
F
= 400 A
T
j
= 150 °C
的di / dt
关闭
= 9500 A / μs的T = 150℃
j
V
GE
= ±15 V
T
j
= 150 °C
V
CC
= 600 V
每二极管
T
j
= 150 °C
分钟。
典型值。
2.20
2.15
1.3
0.9
2.3
3.1
450
58
26
马克斯。
2.52
2.47
1.5
1.1
2.5
3.4
单位
V
V
V
V
m
m
A
C
mJ
逆二极管
V
F
= V
EC
I
F
= 400 A
V
GE
= 0 V
芯片
V
F0
SEMITRANS
4
I
RRM
Q
rr
E
rr
R
日（J -C ）
模块
L
CE
R
CC' + EE '
0.14
15
20
K / W
nH
m
m
SKM400GA12V
特点
V -IGBT = 6代沟槽V- IGBT
（富士）
CAL4 =软开关4.代
CAL二极管
使用DBC隔离铜基板
技术（直接键合铜）
UL认证，文件编号。 E63532
提高功率循环能力
带集成门极电阻
在高di / dt低开关损耗
终端芯片
每个模块
到散热器的M6
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
3
2.5
0.18
0.22
0.02
0.038
5
5
330
R
TH （ C- S）
M
s
M
t
w
K / W
Nm
Nm
Nm
g
端子M6 ，
M4
典型应用*
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊工
开关磁阻电机
备注
外壳温度限制
T
c
= 125 °C以下，荐。
T
op
= -40 ... + 150 ° C，产品
REL 。对于T的结果有效
j
= 150°
GA
2
第3版 - 2011年3月23日
由赛米控
SKM400GA12V
图。 1 ：典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2 ：额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
图。 3 ：典型值。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4 ：典型值。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 5 ：典型值。传输特性
图。 6 ：典型值。栅极电荷特性
由赛米控
第3版 - 2011年3月23日
3
SKM400GA12V
图。 7 ：典型值。开关时间与我
C
图。 8 ：典型值。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9 ：瞬态热阻抗
图。 10 ：典型值。 CAL二极管的正向CHARACT 。 ，含。
CC' + EE '
图。 11 ： CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12 ：典型值。 CAL二极管的峰值反向恢复电荷
4
第3版 - 2011年3月23日
由赛米控
SKM400GA12V
SEMITRANS 4
GA
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准IEC 60747-1 ，第九章
*我们的组件的规格可能不被视为对器件特性的保证。组件已经被测试
用于相应的应用程序。的调整可能是必要的。在生命支持设备和系统中使用赛米控的产品是
需事先规范和赛米控的书面同意。因此，我们强烈建议我们的工作人员事先协商。
由赛米控
第3版 - 2011年3月23日
5
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