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SKM400GA12T4
绝对最大额定值
符号
IGBT
V
CES
I
C
I
cnom
I
CRM
I
CRM
= 3xI
cnom
V
CC
= 800 V
V
GE
15 V
V
CES
1200 V
V
GES
t
PSC
T
j
逆二极管
I
F
SKM400GA12T4
条件
1200
单位
V
A
A
A
A
V
s
°C
A
A
A
A
A
°C
A
°C
V
T
j
= 175 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
618
475
400
1200
-20 ... 20
SEMITRANS 4
快IGBT4模块
T
j
= 150 °C
10
-40 ... 175
T
j
= 175 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
440
329
400
1200
1980
-40 ... 175
500
-40 ... 125
I
fnom的
特点
V
CE ( SAT )
用正温度
系数
高抗短路能力强,自我
限制到6× Icnom
快速&软逆CAL二极管
大间隙(10毫米)和
爬电距离(20毫米)
使用DBC隔离铜基板
技术(直接键合铜)
I
FRM
I
FSM
T
j
模块
I
T( RMS )
T
英镑
V
ISOL
I
FRM
= 3xI
fnom的
t
p
= 10毫秒,罪180 ° ,T
j
= 25 °C
AC窦50Hz时, T = 1分
4000
特征
符号
条件
I
C
= 400 A
V
GE
= 15 V
chiplevel
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
r
CE
V
GE (日)
I
CES
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
R
GINT
t
D(上)
t
r
E
on
t
D(关闭)
t
f
E
关闭
R
日(J -C )
V
GE
= 15 V
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
5
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
24.6
1.62
1.38
2260
1.9
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
240
56
28
500
90
44
0.072
分钟。
典型值。
1.8
2.2
0.8
0.7
2.5
3.8
5.8
0.1
马克斯。
2.05
2.4
0.9
0.8
2.9
4.0
6.5
0.3
单位
V
V
V
V
m
m
V
mA
mA
nF
nF
nF
nC
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
K / W
典型应用
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊工在FSW可达20千赫
IGBT
V
CE ( SAT )
V
CE0
备注
外壳温度限制
T
c
= 125 °C以下,荐。
T
op
= -40 ... + 150 ° C,产品
REL 。对于T的结果有效
j
= 150°
V
GE
=V
CE
, I
C
= 15.2毫安
V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V
V
CE
= 25 V
V
GE
= 0 V
V
GE
= - 8 V...+ 15 V
T
j
= 25 °C
V
CC
= 600 V
I
C
= 400 A
V
GE
= ±15 V
R
G于
= 1
R
克OFF
= 1
的di / dt
on
= 7100 A / μs的
的di / dt
关闭
= 3900 A / μs的
每个IGBT
GA
由赛米控
第2版 - 2009年6月16日
1
SKM400GA12T4
特征
符号
条件
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
r
F
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
I
RRM
Q
rr
E
rr
R
日(J -C )
SKM400GA12T4
分钟。
典型值。
2.2
2.15
1.3
0.9
2.3
3.1
440
78
37
马克斯。
2.52
2.47
1.5
1.1
2.5
3.4
单位
V
V
V
V
m
m
A
C
mJ
逆二极管
V
F
= V
EC
I
F
= 400 A
V
GE
= 0 V
芯片
V
F0
SEMITRANS
4
快IGBT4模块
I
F
= 400 A
T
j
= 150 °C
的di / dt
关闭
= 7200 A / μs的T = 150℃
j
V
GE
= ±15 V
T
j
= 150 °C
V
CC
= 600 V
每二极管
0.14
15
20
K / W
nH
m
m
模块
L
CE
R
CC' + EE '
终端芯片
每个模块
到散热器的M6
端子M6 ,
M4
3
2.5
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
0.18
0.22
0.02
0.038
5
5
330
特点
V
CE ( SAT )
用正温度
系数
高抗短路能力强,自我
限制到6× Icnom
快速&软逆CAL二极管
大间隙(10毫米)和
爬电距离(20毫米)
使用DBC隔离铜基板
技术(直接键合铜)
R
TH ( C- S)
M
s
M
t
w
K / W
Nm
Nm
Nm
g
典型应用
AC逆变器驱动器
UPS
电子焊工在FSW可达20千赫
备注
外壳温度限制
T
c
= 125 °C以下,荐。
T
op
= -40 ... + 150 ° C,产品
REL 。对于T的结果有效
j
= 150°
GA
2
第2版 - 2009年6月16日
由赛米控
SKM400GA12T4
图。 1 :典型值。输出特性,包括
CC' + EE '
图。 2 :额定电流与温度I
C
= F(T
C
)
图。 3 :典型值。导通/断电能量= F (Ⅰ
C
)
图。 4 :典型值。导通/断电能量= F (r
G
)
图。 5 :典型值。传输特性
图。 6 :典型值。栅极电荷特性
由赛米控
第2版 - 2009年6月16日
3
SKM400GA12T4
图。 7 :典型值。开关时间与我
C
图。 8 :典型值。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9 :瞬态热阻抗
图。 10 : CAL二极管的正向特性
图。 11 : CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12 :典型值。 CAL二极管的峰值反向恢复电荷
4
第2版 - 2009年6月16日
由赛米控
SKM400GA12T4
SEMITRANS 4
GA
这是静电放电敏感器件( ESDS ) ,国际标准IEC 60747-1 ,第九章。
本技术信息指定半导体器件,但承诺没有的特点。无担保或担保明示或暗示的保证
方面取得的交付,性能或适用性。
由赛米控
第2版 - 2009年6月16日
5
SKM 400GA12T4
绝对最大额定值
符号条件
IGBT
单位
SEMITRANS
4
IGBT模块4
SKM 400GA12T4
模块
目标数据
逆二极管
特点
特征
符号条件
IGBT
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
典型应用
备注
GA
1
2007年12月7日SCH
由赛米控
SKM 400GA12T4
特征
符号条件
逆二极管
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
SEMITRANS
4
IGBT模块4
续流二极管
SKM 400GA12T4
目标数据
特点
模块
典型应用
这是静电放电敏感器件( ESDS ) ,国际标准
IEC 60747-1 ,第九章。
备注
本技术信息指定半导体器件,但不承诺
的特点。无担保或保证明示或暗示方面取得的
交付,性能或适用性。
GA
2
2007年12月7日SCH
由赛米控
SKM 400GA12T4
图。 1典型值。输出特性,包括
CC' + EE '
图。 2额定电流与温度I
C
= F(T
C
)
图。 5典型。传输特性
图。 6典型。栅极电荷特性
3
2007年12月7日SCH
由赛米控
SKM 400GA12T4
图。 IGBT和二极管的9瞬态热阻抗
图。 10 CAL二极管的正向特性
4
2007年12月7日SCH
由赛米控
SKM 400GA12T4
UL认可文件
没有。 ê 63 532
5
2007年12月7日SCH
由赛米控
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    SKM400GA12T4
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SKM400GA12T4
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标准封装
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SKM400GA12T4
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