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SKM 200GB173D
绝对最大额定值
符号条件
IGBT
值
单位
SEMITRANS
TM
3
逆二极管
IGBT模块
SKM 200GB173D
SKM 200GB173D1
SKM 200GAL173D
SKM 200GAR173D
续流二极管
特征
符号条件
IGBT
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
特点
逆二极管
典型应用
FWD
热特性
机械数据
GB
GAL
GAR
1
14-09-2005 RAA
由赛米控
SKM 200GB173D
图。 1典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
图。 3典型。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4典型。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 5典型。传输特性
图。 6典型。栅极电荷特性
2
14-09-2005 RAA
由赛米控
SKM 200GB173D
图。 7典型。开关时间与我
C
图。 8典型。开关时间与栅极电阻R
G
图。 IGBT的9瞬态热阻抗
Z
THP （J -C ）
= F（T
p
） ; D =吨
p
/t
c
= t
p
*f
图。 FWD的10瞬态热阻抗
Z
THP （J -C ）
= F（T
p
） ; D =吨
p
/t
c
= t
p
*f
图。 11 CAL二极管的正向特性
图。 12典型。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
3
14-09-2005 RAA
由赛米控
SKM 200GB173D
图。 13典型。 CAL二极管的恢复电荷
UL认可
文件没有。 ê 63 532
尺寸（mm）
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准IEC 60747-1 ，第九章。
本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。无担保或保证
明示或暗示方面取得的交付，性能或适用性。
4
14-09-2005 RAA
由赛米控
SKM 200GB173D
绝对最大额定值
符号条件
IGBT
值
单位
SEMITRANS
3
IGBT模块
SKM 200GB173D
SKM 200GB173D1
SKM 200GAL173D
SKM 200GAR173D
续流二极管
逆二极管
模块
特点
特征
符号条件
IGBT
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
典型应用
GB
GAL
GAR
1
15-09-2006 RAA
由赛米控
SKM 200GB173D
特征
符号条件
逆二极管
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
SEMITRANS
3
IGBT模块
SKM 200GB173D
SKM 200GB173D1
SKM 200GAL173D
SKM 200GAR173D
模块
FWD
特点
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准
IEC 60747-1 ，第九章。
本技术信息指定半导体器件，但不承诺
的特点。无担保或保证明示或暗示方面取得的
交付，性能或适用性。
典型应用
GB
GAL
GAR
2
15-09-2006 RAA
由赛米控
SKM 200GB173D
Z
th
符号
Z
日（J -C ）升
条件
值
单位
SEMITRANS
3
Z
日（J -C ）D
IGBT模块
SKM 200GB173D
SKM 200GB173D1
SKM 200GAL173D
SKM 200GAR173D
特点
典型应用
GB
GAL
GAR
3
15-09-2006 RAA
由赛米控
SKM 200GB173D
图。 1典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
图。 3典型。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4典型。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 5典型。传输特性
图。 6典型。栅极电荷特性
4
15-09-2006 RAA
由赛米控
SKM 200GB173D
图。 7典型。开关时间与我
C
图。 8典型。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9瞬态热阻抗
图。 10 CAL二极管的正向特性
图。 11典型。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12典型CAL二极管的恢复电荷
5
15-09-2006 RAA
由赛米控
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    SKM200GAL173D
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