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SKM150GM12T4G
绝对最大额定值
符号
IGBT
V
CES
I
C
I
cnom
I
CRM
I
CRM
= 3xI
cnom
V
CC
= 800 V
V
GE
≤
15 V
V
CES
≤
1200 V
V
GES
t
PSC
T
j
逆二极管
I
F
SKM150GM12T4G
条件
值
1200
单位
V
A
A
A
A
V
s
°C
A
A
A
A
A
°C
A
°C
V
T
j
= 175 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
229
177
150
450
-20 ... 20
SEMITRANS 3
快IGBT4模块
T
j
= 150 °C
10
-40 ... 175
T
j
= 175 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
187
140
150
450
774
-40 ... 175
500
-40 ... 125
I
fnom的
特点
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
高抗短路能力强，自我
限制到6× Icnom
快速&软逆CAL二极管
大间隙（10毫米）和
爬电距离（20毫米）
使用DBC隔离铜基板
技术（直接键合铜）
I
FRM
I
FSM
T
j
模块
I
T（ RMS ）
T
英镑
V
ISOL
I
FRM
= 3xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
AC窦50Hz时， T = 1分
4000
特征
符号
条件
I
C
= 150 A
V
GE
= 15 V
chiplevel
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
r
CE
V
GE （日）
I
CES
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
R
GINT
t
D（上）
t
r
E
on
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
R
日（J -C ）
V
GE
= 15 V
V
GE
=V
CE
, I
C
= 6毫安
V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V
V
CE
= 25 V
V
GE
= 0 V
V
GE
= - 8 V...+ 15 V
T
j
= 25 °C
V
CC
= 600 V
I
C
= 150 A
V
GE
= ±15 V
R
G于
= 1
R
克OFF
= 1
的di / dt
on
= 3400 A / μs的
的di / dt
关闭
= 1750 A / μs的
每个IGBT
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
8.8
0.58
0.47
850
5.0
180
42
19.2
410
72
15.8
0.19
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
5
分钟。
典型值。
1.85
2.25
0.8
0.7
7.0
10.3
5.8
0.1
马克斯。
2.1
2.45
0.9
0.8
8.0
11.0
6.5
0.3
单位
V
V
V
V
m
m
V
mA
mA
nF
nF
nF
nC
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
K / W
典型应用
矩阵变频器
IGBT
V
CE （ SAT ）
V
CE0
备注
外壳温度限制
T
c
= 125 °C以下，荐。
T
op
= -40 ... + 150 ° C，产品
REL 。对于T的结果有效
j
= 150°
GM
由赛米控
第0版 - 2009年6月22日
1
SKM150GM12T4G
特征
符号
条件
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
r
F
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
I
RRM
Q
rr
E
rr
R
日（J -C ）
SKM150GM12T4G
分钟。
典型值。
2.17
2.11
1.3
0.9
5.8
8.1
120
31.3
13
马克斯。
2.49
2.42
1.5
1.1
6.6
8.8
单位
V
V
V
V
m
m
A
C
mJ
逆二极管
V
F
= V
EC
I
F
= 150 A
V
GE
= 0 V
芯片
V
F0
SEMITRANS
3
快IGBT4模块
I
F
= 150 A
T
j
= 150 °C
的di / dt
关闭
= 3100 A / μs的T = 150℃
j
V
GE
= ±15 V
T
j
= 150 °C
V
CC
= 600 V
每二极管
0.31
15
20
K / W
nH
m
m
模块
L
CE
R
CC' + EE '
终端芯片
每个模块
到散热器的M6
端子M6
3
2.5
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
0.25
0.5
0.02
0.038
5
5
325
特点
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
高抗短路能力强，自我
限制到6× Icnom
快速&软逆CAL二极管
大间隙（10毫米）和
爬电距离（20毫米）
使用DBC隔离铜基板
技术（直接键合铜）
R
TH （ C- S）
M
s
M
t
w
K / W
Nm
Nm
Nm
g
典型应用
矩阵变频器
备注
外壳温度限制
T
c
= 125 °C以下，荐。
T
op
= -40 ... + 150 ° C，产品
REL 。对于T的结果有效
j
= 150°
GM
2
第0版 - 2009年6月22日
由赛米控
SKM150GM12T4G
图。 1 ：典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2 ：额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
图。 3 ：典型值。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4 ：典型值。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 5 ：典型值。传输特性
图。 6 ：典型值。栅极电荷特性
由赛米控
第0版 - 2009年6月22日
3
SKM150GM12T4G
图。 7 ：典型值。开关时间与我
C
图。 8 ：典型值。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9 ：瞬态热阻抗
图。 10 ： CAL二极管的正向特性
图。 11 ： CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12 ：典型值。 CAL二极管的峰值反向恢复电荷
4
第0版 - 2009年6月22日
由赛米控
SKM150GM12T4G
SEMITRANS 3
GM
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准IEC 60747-1 ，第九章。
本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。无担保或担保明示或暗示的保证
方面取得的交付，性能或适用性。
由赛米控
第0版 - 2009年6月22日
5
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