SKM150GAR12T4
绝对最大额定值
符号
IGBT
V
CES
I
C
I
cnom
I
CRM
I
CRM
= 3xI
cnom
V
CC
= 800 V
V
GE
≤
15 V
V
CES
≤
1200 V
V
GES
t
PSC
T
j
逆二极管
I
F
SKM150GAR12T4
条件
值
1200
单位
V
A
A
A
A
V
s
°C
A
A
A
A
A
°C
A
A
A
A
A
°C
A
°C
V
T
j
= 175 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
232
179
150
450
-20 ... 20
SEMITRANS 2
快IGBT4模块
T
j
= 150 °C
10
-40 ... 175
T
j
= 175 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
189
141
150
450
900
-40 ... 175
I
fnom的
特点
IGBT 4 = 4代（海沟） IGBT
VCEsat晶体管具有正温度
系数
高抗短路能力强，自我
限制到6×我
cnom
软开关4.代华航
二极管（ CAL4 ）
I
FRM
I
FSM
T
j
I
FRM
= 3xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
续流二极管
I
F
I
fnom的
I
FRM
I
FSM
T
j
模块
I
T（ RMS ）
T
英镑
V
ISOL
AC窦50Hz时， T = 1分
200
-40 ... 125
4000
I
FRM
= 3xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
T
j
= 175 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
189
141
150
450
900
-40 ... 175
典型应用
DC / DC - 转换器
制动斩波器
开关磁阻电机
直流 - 马达
备注
外壳温度限制
TC = 125 °C以下，荐。
TOP = -40 ... + 150 ° C，产品
REL 。结果有效期为TJ = 150 °
特征
符号
IGBT
V
CE （ SAT ）
V
CE0
r
CE
V
GE （日）
I
CES
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
R
GINT
I
C
= 150 A
V
GE
= 15 V
chiplevel
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
V
GE
= 15 V
V
GE
=V
CE
, I
C
= 6毫安
V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V
V
CE
= 25 V
V
GE
= 0 V
V
GE
= - 8 V...+ 15 V
T
j
= 25 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
9.3
0.58
0.51
850
5.0
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
5
1.8
2.2
0.8
0.7
6.7
10.0
5.8
0.1
2.05
2.4
0.9
0.8
7.7
10.7
6.5
0.3
V
V
V
V
m
m
V
mA
mA
nF
nF
nF
nC
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
GAR
由赛米控
第0版 - 2009年2月19日
1
SKM150GAR12T4
特征
符号
t
D（上）
t
r
E
on
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
R
日（J -C ）
条件
V
CC
= 600 V
I
C
= 150 A
V
GE
= ±15 V
R
G于
= 1
R
克OFF
= 1
的di / dt
on
= 3400 A / μs的
的di / dt
关闭
= 1750 A / μs的
每个IGBT
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
I
F
= 150 A
T
j
= 150 °C
的di / dt
关闭
= 3100 A / μs的T = 150℃
j
V
GE
= ±15 V
T
j
= 150 °C
V
CC
= 600 V
每二极管
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
I
F
= 150 A
T
j
= 150 °C
的di / dt
关闭
= 3100 A / μs的T = 150℃
j
V
GE
= ±15 V
T
j
= 150 °C
V
CC
= 600 V
每二极管
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
分钟。
典型值。
180
42
19.2
410
72
15.8
马克斯。
单位
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.19
2.14
2.07
1.3
0.9
5.6
7.8
120
31.3
13
0.31
2.14
2.07
1.3
0.9
5.6
7.8
120
31.3
13
0.31
30
2.46
2.38
1.5
1.1
6.4
8.5
2.46
2.38
1.5
1.1
6.4
8.5
K / W
V
V
V
V
m
m
A
C
mJ
K / W
V
V
V
V
m
m
A
C
mJ
K / W
nH
m
m
SEMITRANS
2
快IGBT4模块
SKM150GAR12T4
逆二极管
V
F
= V
EC
I
F
= 150 A
V
GE
= 0 V
芯片
V
F0
r
F
I
RRM
Q
rr
E
rr
R
日（J -C ）
特点
IGBT 4 = 4代（海沟） IGBT
VCEsat晶体管具有正温度
系数
高抗短路能力强，自我
限制到6×我
cnom
软开关4.代华航
二极管（ CAL4 ）
典型应用
DC / DC - 转换器
制动斩波器
开关磁阻电机
直流 - 马达
续流二极管
V
F
= V
EC
I
F
= 150 A
V
GE
= 0 V
芯片
V
F0
r
F
I
RRM
Q
rr
E
rr
R
日（J -C ）
模块
L
CE
R
CC' + EE '
R
TH （ C- S）
M
s
M
t
w
终端芯片
每个模块
到散热器的M6
备注
外壳温度限制
TC = 125 °C以下，荐。
TOP = -40 ... + 150 ° C，产品
REL 。结果有效期为TJ = 150 °
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
3
端子M5
2.5
0.65
1
0.04
0.05
5
5
160
K / W
Nm
Nm
Nm
g
GAR
2
第0版 - 2009年2月19日
由赛米控
SKM150GAR12T4
图。 7 ：典型值。开关时间与我
C
图。 8 ：典型值。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9 ：瞬态热阻抗
图。 10 ： CAL二极管的正向特性
图。 11 ： CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12 ：典型值。 CAL二极管的峰值反向恢复电荷
4
第0版 - 2009年2月19日
由赛米控
SKM150GAR12T4
SEMITRANS 2
GAR
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准IEC 60747-1 ，第九章。
本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。无担保或担保明示或暗示的保证
方面取得的交付，性能或适用性。
由赛米控
第0版 - 2009年2月19日
5
QQ：2881677436 复制
