SKM150GAL12T4
图。 7 ：典型值。开关时间与我
C
图。 8 ：典型值。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9 ：瞬态热阻抗
图。 10 ：典型值。 CAL二极管的正向CHARACT 。 ，含。
CC' + EE '
图。 11 ： CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12 ：典型值。 CAL二极管的峰值反向恢复电荷
4
第2版 - 2010年6月23日
由赛米控
SKM150GAL12T4
SEMITRANS 2
GAL
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准IEC 60747-1 ，第九章
*我们的组件的规格可能不被视为对器件特性的保证。组件已经被测试
用于相应的应用程序。的调整可能是必要的。在生命支持设备和系统中使用赛米控的产品是
需事先规范和赛米控的书面同意。因此，我们强烈建议我们个人的事先协商。
由赛米控
第2版 - 2010年6月23日
5
SKM150GAL12T4
绝对最大额定值
符号
IGBT
V
CES
I
C
I
cnom
I
CRM
I
CRM
= 3xI
cnom
V
CC
= 800 V
V
GE
≤
15 V
V
CES
≤
1200 V
V
GES
t
PSC
T
j
逆二极管
I
F
SKM150GAL12T4
条件
值
1200
单位
V
A
A
A
A
V
s
°C
A
A
A
A
A
°C
A
A
A
A
A
°C
A
°C
V
T
j
= 175 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
232
179
150
450
-20 ... 20
SEMITRANS 2
快IGBT4模块
T
j
= 150 °C
10
-40 ... 175
T
j
= 175 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
189
141
150
450
900
-40 ... 175
I
fnom的
特点
IGBT 4 = 4代（海沟） IGBT
VCEsat晶体管具有正温度
系数
高抗短路能力强，自我
限制到6×我
cnom
软开关4.代华航
二极管（ CAL4 ）
I
FRM
I
FSM
T
j
I
FRM
= 3xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
续流二极管
I
F
I
fnom的
I
FRM
I
FSM
T
j
模块
I
T（ RMS ）
T
英镑
V
ISOL
AC窦50Hz时， T = 1分
200
-40 ... 125
4000
I
FRM
= 3xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
T
j
= 175 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
189
141
150
450
900
-40 ... 175
典型应用
DC / DC - 转换器
制动斩波器
开关磁阻电机
直流 - 马达
备注
外壳温度限制
TC = 125 °C以下，荐。
TOP = -40 ... + 150 ° C，产品
REL 。结果有效期为TJ = 150 °
特征
符号
IGBT
V
CE （ SAT ）
V
CE0
r
CE
V
GE （日）
I
CES
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
R
GINT
I
C
= 150 A
V
GE
= 15 V
chiplevel
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
V
GE
= 15 V
V
GE
=V
CE
, I
C
= 6毫安
V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V
V
CE
= 25 V
V
GE
= 0 V
V
GE
= - 8 V...+ 15 V
T
j
= 25 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
9.3
0.58
0.51
850
5.0
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
5
1.8
2.2
0.8
0.7
6.7
10.0
5.8
0.1
2.05
2.4
0.9
0.8
7.7
10.7
6.5
0.3
V
V
V
V
m
m
V
mA
mA
nF
nF
nF
nC
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
GAL
由赛米控
第0版 - 2009年2月19日
1
SKM150GAL12T4
特征
符号
t
D（上）
t
r
E
on
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
R
日（J -C ）
条件
V
CC
= 600 V
I
C
= 150 A
V
GE
= ±15 V
R
G于
= 1
R
克OFF
= 1
的di / dt
on
= 3400 A / μs的
的di / dt
关闭
= 1750 A / μs的
每个IGBT
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
I
F
= 150 A
T
j
= 150 °C
的di / dt
关闭
= 3100 A / μs的T = 150℃
j
V
GE
= ±15 V
T
j
= 150 °C
V
CC
= 600 V
每二极管
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
I
F
= 150 A
T
j
= 150 °C
的di / dt
关闭
= 3100 A / μs的T = 150℃
j
V
GE
= ±15 V
T
j
= 150 °C
V
CC
= 600 V
每二极管
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
分钟。
典型值。
180
42
19.2
410
72
15.8
马克斯。
单位
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.19
2.14
2.07
1.3
0.9
5.6
7.8
120
31.3
13
0.31
2.14
2.07
1.3
0.9
5.6
7.8
120
31.3
13
0.31
30
2.46
2.38
1.5
1.1
6.4
8.5
2.46
2.38
1.5
1.1
6.4
8.5
K / W
V
V
V
V
m
m
A
C
mJ
K / W
V
V
V
V
m
m
A
C
mJ
K / W
nH
m
m
SEMITRANS
2
快IGBT4模块
SKM150GAL12T4
逆二极管
V
F
= V
EC
I
F
= 150 A
V
GE
= 0 V
芯片
V
F0
r
F
I
RRM
Q
rr
E
rr
R
日（J -C ）
特点
IGBT 4 = 4代（海沟） IGBT
VCEsat晶体管具有正温度
系数
高抗短路能力强，自我
限制到6×我
cnom
软开关4.代华航
二极管（ CAL4 ）
典型应用
DC / DC - 转换器
制动斩波器
开关磁阻电机
直流 - 马达
续流二极管
V
F
= V
EC
I
F
= 150 A
V
GE
= 0 V
芯片
V
F0
r
F
I
RRM
Q
rr
E
rr
R
日（J -C ）
模块
L
CE
R
CC' + EE '
R
TH （ C- S）
M
s
M
t
w
终端芯片
每个模块
到散热器的M6
备注
外壳温度限制
TC = 125 °C以下，荐。
TOP = -40 ... + 150 ° C，产品
REL 。结果有效期为TJ = 150 °
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
3
端子M5
2.5
0.65
1
0.04
0.05
5
5
160
K / W
Nm
Nm
Nm
g
GAL
2
第0版 - 2009年2月19日
由赛米控
SKM150GAL12T4
图。 7 ：典型值。开关时间与我
C
图。 8 ：典型值。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9 ：瞬态热阻抗
图。 10 ： CAL二极管的正向特性
图。 11 ： CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12 ：典型值。 CAL二极管的峰值反向恢复电荷
4
第0版 - 2009年2月19日
由赛米控
SKM150GAL12T4
SEMITRANS 2
GAL
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准IEC 60747-1 ，第九章。
本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。无担保或担保明示或暗示的保证
方面取得的交付，性能或适用性。
由赛米控
第0版 - 2009年2月19日
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