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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1712页 > SKM100GB125DN
SKM 100 GB 125 DN
绝对最大额定值
符号条件
1)
V
CES
V
CGR
I
C
I
CM
V
GES
P
合计
T
j
, (T
英镑
)
V
ISOL
湿度
气候
I
F
= –I
C
I
FM
= –I
CM
I
FSM
I
2
t
R
GE
= 20 k
T
例
= 25/80 °C
T
例
=八十分之二十五℃;吨
p
= 1毫秒
每个IGBT ，T
例
= 25 °C
交流电，1分钟。
IEC 60721-3-3
IEC 68 T.1
T
例
= 25/80 °C
T
例
=八十分之二十五℃;吨
p
= 1毫秒
t
p
= 10毫秒;罪;牛逼
j
= 150 °C
t
p
= 10毫秒;牛逼
j
= 150 °C
1200
1200
100 / 80
200 / 160
± 20
690
–40 ... + 150 (125)
2500
类3K7 / IE32
40/125/56
95 / 65
200 / 160
720
2600
值
单位
V
V
A
A
V
W
°C
V
SEMITRANS
M
超快速IGBT模块
SKM 100 GB 125 DN
逆二极管
A
A
A
A
2
s
SEMITRANS 2N （低电感）
特征
符号条件
1)
V
（ BR ） CES
V
GE
= 0, I
C
= 4毫安
V
GE （日）
V
GE
= V
CE
, I
C
= 2毫安
I
CES
T
j
= 25 °C
V
GE
= 0
V
CE
= V
CES
T
j
= 125 °C
I
GES
V
GE
= 20 V, V
CE
= 0
V
CESAT
V
GE
= 15 V;
I
C
= 75 A
I
C
= 100为T
j
= 25 °C
V
CESAT
g
fs
V
CE
= 20 V，I
C
= 75 A
C
CHC
C
IES
C
OES
C
水库
L
CE
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
V
F
= V
EC
V
F
= V
EC
V
TO
r
t
I
RRM
Q
rr
R
thJC
R
thJC
R
thCH
每个IGBT
V
GE
= 0
V
CE
= 25 V
F = 1 MHz的
V
CC
= 600 V
V
GE
= –15 V / +15 V
3)
I
C
= 75 A， IND 。负载
R
坤
= R
高夫
= 8
T
j
= 125 °C
分钟。
典型值。
5,5
0,1
6
3,3
3,8
马克斯。
6,5
1,5
300
3,65
单位
V
V
mA
mA
nA
V
V
S
pF
nF
pF
pF
nH
ns
ns
ns
ns
MWS
MWS
≥
V
CES
4,5
GB
特点
N沟道，齐思
低电感情况下，
短尾巴
目前的低
温度依赖性
高抗短路能力强，
自我限制到6 * I
cnom
快速&软逆CAL二极管
8)
使用隔离铜基板
DCB直接键合铜
技术
大间隙（10毫米）和
爬电距离（20毫米）
典型应用
开关电源
在f
sw
> 20千赫
谐振逆变器最多
100千赫
感应加热
电子焊工在
f
sw
> 20千赫
1)
2)
3)
8)
31
5
720
380
80
40
360
20
9
3,5
2,0(1,8)
2,25(2,05)
12
27(40)
3(10)
2,5
1,2
15
350
6,6
900
500
25
逆二极管
8)
I
F
= 75 A V
GE
= 0 V;
I
F
= 100为T
j
= 25 (125) °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
I
F
= 75 A;吨
j
= 25 (125) °C
2)
I
F
= 75 A;吨
j
= 25 (125) °C
2)
每个IGBT
每二极管
每个模块
V
V
V
m
A
C
° C / W
° C / W
° C / W
热特性
0,18
0,50
0,05
T
例
= 25 ℃，除非另有
特定网络版
I
F
= – I
C
, V
R
= 600 V,
-dI
F
/ DT = 800 A / μs的，V
GE
= 0 V
利用V
杰夫
= –5... –15 V
CAL =控制轴向长寿命
技术
由赛米控
000831
B 6 – 37
SKM 100 GB 125 DN
800
W
M100G125 - 1
30
MWS
M100G125 - 2
E
on
600
20
T
j
= 125 °C
V
CE
= 600 V
V
GE
= + 15 V
R
G
= 12
400
10
200
E
P
合计
0
0
20
T
C
40
60
80
100
120
140
160
°C
0
0
I
C
20
40
60
80
100
A
120
E
关闭
图。 1额定耗散功率P
合计
= F（T
C
)
图。 2导通/断电能量= F （I
C
)
M100G125 - 4
40
MWS
M100G125 - 3
30
E
on
T
j
= 125 °C
V
CE
= 600 V
V
GE
= + 15 V
I
C
= 75 A
1000
A
100
t
p
=
10s
100s
1脉冲
T
C
= 25 °C
T
j
≤
150 °C
20
10
1ms
E
关闭
I
C
10ms
10
E
0
0 R
G
20
1
不适合
使用线性
0,1
40
60
80
1
V
CE
10
100
1000
V
10000
图。 3导通/断电能量= F （R
G
)
2,5
M100G125 - 5
图。 4最大安全工作区（ SOA ）I
C
= F（V
CE
)
T
j
≤
150 °C
V
GE
= 15 V
R
高夫
= 12
I
C
= 75 A
M100G125 - 6
12
2
10
的di / dt = 1000 A / μs的
3000 A / μs的
5000 A / μs的
8
1,5
6
1
4
0,5
I
Cpuls
/I
C
0
0
V
CE
200
400
600
800
1000 1200 1400
V
2
I
中信建投
/I
C
0
0
200
V
CE
T
j
≤
150 °C
V
GE
= ± 15 V
t
sc
≤
10 s
L < 25 nH的
I
C
= 75 A
允许数
短路： <1000
短的间隔时间
电路： >1s
400
600
800
1000 1200 1400
V
图。 5关断安全工作区（ RBSOA ）
B 6 – 38
图。 6安全工作区，在短路我
C
= F（V
CE
)
000831
由赛米控
SKM 100 GB 125 DN
150
A
M100G125 - 8
T
j
= 150 °C
V
GE
≥
15V
100
50
I
C
0
0
T
C
20
40
60
80
100
120
140
160
°C
图。 8额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
160
A
140
120
100
80
60
40
20
I
C
0
0
V
CE
1
2
3
4
17V
15V
13V
11V
9V
7V
M100G125 - 9
160
A
140
120
100
80
60
40
20
I
C
0
17V
15V
13V
11V
9V
7V
M100G125 - 10
5
V
6
0
V
CE
1
2
3
4
5
V
6
图。 9典型。输出特性，叔
p
= 80微秒; 25℃
图。 10典型。输出特性，叔
p
= 80微秒; 125°C
150
M100G125 - 12
P
COND （T ）
= V
CESAT （T ）
· I
C（ T）
V
CESAT （T ）
= V
CE （ TO ） （ TJ ）
+ r
CE （ TJ ）
· I
C（ T）
A
100
V
CE （ TO ） （ TJ ）
≤
1,4 + 0,003 (T
j
–25) [V]
典型值：R
CE （ TJ ）
= 0,0253 + 0,000067 (T
j
–25) [
]
马克斯：R
CE （ TJ ）
= 0,0307 + 0,00004 (T
j
–25) [
]
I
C
50
有效期为V
GE
= + 15 +2
–1
[V] ;我
C
>我0,3
cnom
0
0
V
G
2
4
6
8
10
V
12
图。 11饱和特性（ IGBT ）
计算元素和公式
由赛米控
图。 12典型。转移的特点，T
p
= 80微秒; V
CE
= 20 V
000831
B 6 – 39
SKM 100 GB 125 DN
20
V
18
16
14
12
10
8
6
4
600
M100G125 - 13
M100G125.XLS-14
100
I
Cpuls
= 75 A
nF
V
GE
= 0 V
F = 1 MHz的
800V
10
C
IES
1
C
OES
C
V
GE
2
0
0
Q
门
200
400
600
nC
800
0,1
0
V
CE
10
20
V
C
水库
30
图。 13典型。栅极电荷特性
M100G125 - 15
图。 14典型。电容vs.V
CE
M100G125 - 16
1000
ns
t
DOFF
T
j
= 125 °C
V
CE
= 600 V
V
GE
= ± 15 V
R
坤
= 12
R
高夫
= 12
导入。负载
10000
t
DOFF
ns
1000
t
DON
T
j
= 125 °C
V
CE
= 600 V
V
GE
= ± 15 V
I
C
= 75 A
导入。负载
t
DON
100
t
r
100
t
r
t
10
0
I
C
20
40
60
80
100
t
t
f
10
120
A
0
R
G
20
40
60
t
f
80
图。 15典型。开关时间与我
C
M100G125.XLS-17
图。 16典型。开关时间与栅极电阻R
G
M100G125 - 18
100
A
80
T
j
= 25 ° C，典型值。
T
j
= 125 ℃时，最大
60
T
j
= 25℃时，最大
40
T
j
= 125 ℃，典型值。
6
mJ
5
R
G
=
6
9
V
CC
= 600 V
T
j
= 125 °C
V
GE
= ± 15 V
4
12
20
3
60
2
20
I
F
0
0
V
F
1
2
V
3
1
E
OFFD
0
0
I
F
50
100
A
150
图。 17典型。 CAL二极管的正向特性
B 6 – 40
图。每脉冲18二极管关断能量耗散
000831
由赛米控
SKM 100 GB 125 DN
M100G125 - 19
1
K / W
0,1
K / W
M100G125 - 20
1
0,1
0,01
0,001
Z
thJC
单脉冲
D=0,50
0,20
0,10
0,05
0,02
0,01
0,01
D=0,5
0,2
0,1
0,05
0,02
0,01
单脉冲
0,001
Z
thJC
0,0001
0,00001
0,0001
0,00001 0,0001
t
p
0,001
0,01
0,1
s
1
t
p
0,0001
0,001
0,01
0,1
s
1
图。 IGBT的19瞬态热阻抗
Z
thJC
= F（T
p
） ; D =吨
p
/ t
c
= t
p
· f
M100G125 - 22
图。 20瞬态热阻抗
逆CAL二极管
thJC
= F（T
p
） ; D =吨
p
/ t
c
= t
p
· f
M100G125 - 23
120
A
R
G
=
6
V
CC
= 600 V
T
j
= 125 °C
V
GE
= ± 15 V
120
A
R
G
= 6
V
CC
= 600 V
T
j
= 125 °C
V
GE
= ± 15 V
I
F
= 75 A
80
80
9
9
12
12
20
60
40
40
60
20
I
RR
0
0
I
F
40
80
A 120
I
RR
0
0
di
F/
dt
2500
A /美国5000
图。 22典型。 CAL二极管的反向恢复峰值
电流I
RR
= F（我
F
; R
G
)
图。 23典型。 CAL二极管的反向恢复峰值
电流I
RR
= F（ di / dt的）
M100G125 - 24
20
uC
15
12
20
60
R
G
= 6 I =
F
100 A
75 A
56 A
38 A
19 A
V
CC
= 600 V
T
j
= 125 °C
V
GE
= ± 15 V
9
10
5
Q
rr
0
0
di
F
/ DT
2500
A /美
5000
图。 24典型。 CAL二极管的恢复电荷Q
rr
= F（ di / dt的）
由赛米控
000831
B 6 – 41
SKM 100 GB 125 DN
绝对最大额定值
符号条件
1)
V
CES
V
CGR
I
C
I
CM
V
GES
P
合计
T
j
, (T
英镑
)
V
ISOL
湿度
气候
I
F
= –I
C
I
FM
= –I
CM
I
FSM
I
2
t
R
GE
= 20 k
T
例
= 25/80 °C
T
例
=八十分之二十五℃;吨
p
= 1毫秒
每个IGBT ，T
例
= 25 °C
交流电，1分钟。
IEC 60721-3-3
IEC 68 T.1
T
例
= 25/80 °C
T
例
=八十分之二十五℃;吨
p
= 1毫秒
t
p
= 10毫秒;罪;牛逼
j
= 150 °C
t
p
= 10毫秒;牛逼
j
= 150 °C
1200
1200
100 / 80
200 / 160
± 20
690
–40 ... + 150 (125)
2500
类3K7 / IE32
40/125/56
95 / 65
200 / 160
720
2600
值
单位
V
V
A
A
V
W
°C
V
SEMITRANS
M
超快速IGBT模块
SKM 100 GB 125 DN
逆二极管
A
A
A
A
2
s
SEMITRANS 2N （低电感）
特征
符号条件
1)
V
（ BR ） CES
V
GE
= 0, I
C
= 4毫安
V
GE （日）
V
GE
= V
CE
, I
C
= 2毫安
I
CES
T
j
= 25 °C
V
GE
= 0
V
CE
= V
CES
T
j
= 125 °C
I
GES
V
GE
= 20 V, V
CE
= 0
V
CESAT
V
GE
= 15 V;
I
C
= 75 A
I
C
= 100为T
j
= 25 °C
V
CESAT
g
fs
V
CE
= 20 V，I
C
= 75 A
C
CHC
C
IES
C
OES
C
水库
L
CE
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
V
F
= V
EC
V
F
= V
EC
V
TO
r
t
I
RRM
Q
rr
R
thJC
R
thJC
R
thCH
每个IGBT
V
GE
= 0
V
CE
= 25 V
F = 1 MHz的
V
CC
= 600 V
V
GE
= –15 V / +15 V
3)
I
C
= 75 A， IND 。负载
R
坤
= R
高夫
= 8
T
j
= 125 °C
分钟。
典型值。
5,5
0,1
6
3,3
3,8
马克斯。
6,5
1,5
300
3,65
单位
V
V
mA
mA
nA
V
V
S
pF
nF
pF
pF
nH
ns
ns
ns
ns
MWS
MWS
≥
V
CES
4,5
GB
特点
N沟道，齐思
低电感情况下，
短尾巴
目前的低
温度依赖性
高抗短路能力强，
自我限制到6 * I
cnom
快速&软逆CAL二极管
8)
使用隔离铜基板
DCB直接键合铜
技术
大间隙（10毫米）和
爬电距离（20毫米）
典型应用
开关电源
在f
sw
> 20千赫
谐振逆变器最多
100千赫
感应加热
电子焊工在
f
sw
> 20千赫
1)
2)
3)
8)
31
5
720
380
80
40
360
20
9
3,5
2,0(1,8)
2,25(2,05)
12
27(40)
3(10)
2,5
1,2
15
350
6,6
900
500
25
逆二极管
8)
I
F
= 75 A V
GE
= 0 V;
I
F
= 100为T
j
= 25 (125) °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
I
F
= 75 A;吨
j
= 25 (125) °C
2)
I
F
= 75 A;吨
j
= 25 (125) °C
2)
每个IGBT
每二极管
每个模块
V
V
V
m
A
C
° C / W
° C / W
° C / W
热特性
0,18
0,50
0,05
T
例
= 25 ℃，除非另有
特定网络版
I
F
= – I
C
, V
R
= 600 V,
-dI
F
/ DT = 800 A / μs的，V
GE
= 0 V
利用V
杰夫
= –5... –15 V
CAL =控制轴向长寿命
技术
由赛米控
000831
B 6 – 37
SKM 100 GB 125 DN
800
W
M100G125 - 1
30
MWS
M100G125 - 2
E
on
600
20
T
j
= 125 °C
V
CE
= 600 V
V
GE
= + 15 V
R
G
= 12
400
10
200
E
P
合计
0
0
20
T
C
40
60
80
100
120
140
160
°C
0
0
I
C
20
40
60
80
100
A
120
E
关闭
图。 1额定耗散功率P
合计
= F（T
C
)
图。 2导通/断电能量= F （I
C
)
M100G125 - 4
40
MWS
M100G125 - 3
30
E
on
T
j
= 125 °C
V
CE
= 600 V
V
GE
= + 15 V
I
C
= 75 A
1000
A
100
t
p
=
10s
100s
1脉冲
T
C
= 25 °C
T
j
≤
150 °C
20
10
1ms
E
关闭
I
C
10ms
10
E
0
0 R
G
20
1
不适合
使用线性
0,1
40
60
80
1
V
CE
10
100
1000
V
10000
图。 3导通/断电能量= F （R
G
)
2,5
M100G125 - 5
图。 4最大安全工作区（ SOA ）I
C
= F（V
CE
)
T
j
≤
150 °C
V
GE
= 15 V
R
高夫
= 12
I
C
= 75 A
M100G125 - 6
12
2
10
的di / dt = 1000 A / μs的
3000 A / μs的
5000 A / μs的
8
1,5
6
1
4
0,5
I
Cpuls
/I
C
0
0
V
CE
200
400
600
800
1000 1200 1400
V
2
I
中信建投
/I
C
0
0
200
V
CE
T
j
≤
150 °C
V
GE
= ± 15 V
t
sc
≤
10 s
L < 25 nH的
I
C
= 75 A
允许数
短路： <1000
短的间隔时间
电路： >1s
400
600
800
1000 1200 1400
V
图。 5关断安全工作区（ RBSOA ）
B 6 – 38
图。 6安全工作区，在短路我
C
= F（V
CE
)
000831
由赛米控
SKM 100 GB 125 DN
150
A
M100G125 - 8
T
j
= 150 °C
V
GE
≥
15V
100
50
I
C
0
0
T
C
20
40
60
80
100
120
140
160
°C
图。 8额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
160
A
140
120
100
80
60
40
20
I
C
0
0
V
CE
1
2
3
4
17V
15V
13V
11V
9V
7V
M100G125 - 9
160
A
140
120
100
80
60
40
20
I
C
0
17V
15V
13V
11V
9V
7V
M100G125 - 10
5
V
6
0
V
CE
1
2
3
4
5
V
6
图。 9典型。输出特性，叔
p
= 80微秒; 25℃
图。 10典型。输出特性，叔
p
= 80微秒; 125°C
150
M100G125 - 12
P
COND （T ）
= V
CESAT （T ）
· I
C（ T）
V
CESAT （T ）
= V
CE （ TO ） （ TJ ）
+ r
CE （ TJ ）
· I
C（ T）
A
100
V
CE （ TO ） （ TJ ）
≤
1,4 + 0,003 (T
j
–25) [V]
典型值：R
CE （ TJ ）
= 0,0253 + 0,000067 (T
j
–25) [
]
马克斯：R
CE （ TJ ）
= 0,0307 + 0,00004 (T
j
–25) [
]
I
C
50
有效期为V
GE
= + 15 +2
–1
[V] ;我
C
>我0,3
cnom
0
0
V
G
2
4
6
8
10
V
12
图。 11饱和特性（ IGBT ）
计算元素和公式
由赛米控
图。 12典型。转移的特点，T
p
= 80微秒; V
CE
= 20 V
000831
B 6 – 39
SKM 100 GB 125 DN
20
V
18
16
14
12
10
8
6
4
600
M100G125 - 13
M100G125.XLS-14
100
I
Cpuls
= 75 A
nF
V
GE
= 0 V
F = 1 MHz的
800V
10
C
IES
1
C
OES
C
V
GE
2
0
0
Q
门
200
400
600
nC
800
0,1
0
V
CE
10
20
V
C
水库
30
图。 13典型。栅极电荷特性
M100G125 - 15
图。 14典型。电容vs.V
CE
M100G125 - 16
1000
ns
t
DOFF
T
j
= 125 °C
V
CE
= 600 V
V
GE
= ± 15 V
R
坤
= 12
R
高夫
= 12
导入。负载
10000
t
DOFF
ns
1000
t
DON
T
j
= 125 °C
V
CE
= 600 V
V
GE
= ± 15 V
I
C
= 75 A
导入。负载
t
DON
100
t
r
100
t
r
t
10
0
I
C
20
40
60
80
100
t
t
f
10
120
A
0
R
G
20
40
60
t
f
80
图。 15典型。开关时间与我
C
M100G125.XLS-17
图。 16典型。开关时间与栅极电阻R
G
M100G125 - 18
100
A
80
T
j
= 25 ° C，典型值。
T
j
= 125 ℃时，最大
60
T
j
= 25℃时，最大
40
T
j
= 125 ℃，典型值。
6
mJ
5
R
G
=
6
9
V
CC
= 600 V
T
j
= 125 °C
V
GE
= ± 15 V
4
12
20
3
60
2
20
I
F
0
0
V
F
1
2
V
3
1
E
OFFD
0
0
I
F
50
100
A
150
图。 17典型。 CAL二极管的正向特性
B 6 – 40
图。每脉冲18二极管关断能量耗散
000831
由赛米控
SKM 100 GB 125 DN
M100G125 - 19
1
K / W
0,1
K / W
M100G125 - 20
1
0,1
0,01
0,001
Z
thJC
单脉冲
D=0,50
0,20
0,10
0,05
0,02
0,01
0,01
D=0,5
0,2
0,1
0,05
0,02
0,01
单脉冲
0,001
Z
thJC
0,0001
0,00001
0,0001
0,00001 0,0001
t
p
0,001
0,01
0,1
s
1
t
p
0,0001
0,001
0,01
0,1
s
1
图。 IGBT的19瞬态热阻抗
Z
thJC
= F（T
p
） ; D =吨
p
/ t
c
= t
p
· f
M100G125 - 22
图。 20瞬态热阻抗
逆CAL二极管
thJC
= F（T
p
） ; D =吨
p
/ t
c
= t
p
· f
M100G125 - 23
120
A
R
G
=
6
V
CC
= 600 V
T
j
= 125 °C
V
GE
= ± 15 V
120
A
R
G
= 6
V
CC
= 600 V
T
j
= 125 °C
V
GE
= ± 15 V
I
F
= 75 A
80
80
9
9
12
12
20
60
40
40
60
20
I
RR
0
0
I
F
40
80
A 120
I
RR
0
0
di
F/
dt
2500
A /美国5000
图。 22典型。 CAL二极管的反向恢复峰值
电流I
RR
= F（我
F
; R
G
)
图。 23典型。 CAL二极管的反向恢复峰值
电流I
RR
= F（ di / dt的）
M100G125 - 24
20
uC
15
12
20
60
R
G
= 6 I =
F
100 A
75 A
56 A
38 A
19 A
V
CC
= 600 V
T
j
= 125 °C
V
GE
= ± 15 V
9
10
5
Q
rr
0
0
di
F
/ DT
2500
A /美
5000
图。 24典型。 CAL二极管的恢复电荷Q
rr
= F（ di / dt的）
由赛米控
000831
B 6 – 41
SKM 100GB125DN
绝对最大额定值
符号条件
IGBT
值
单位
SEMITRANS
2N
超快速IGBT模块
SKM 100GB125DN
模块
逆二极管
特点
特征
符号条件
IGBT
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
典型应用
GB
1
21-05-2007 RAA
由赛米控
SKM 100GB125DN
特征
符号条件
逆二极管
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
SEMITRANS
2N
超快速IGBT模块
SKM 100GB125DN
模块
特点
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准
IEC 60747-1 ，第九章。
本技术信息指定半导体器件，但不承诺
的特点。无担保或保证明示或暗示方面取得的
交付，性能或适用性。
典型应用
GB
2
21-05-2007 RAA
由赛米控
SKM 100GB125DN
Z
th
符号
Z
日（J -C ）升
条件
值
单位
SEMITRANS
2N
Z
日（J -C ）D
超快速IGBT模块
SKM 100GB125DN
特点
典型应用
GB
3
21-05-2007 RAA
由赛米控
SKM 100GB125DN
图。 1典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
图。 3典型。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4典型。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 5典型。传输特性
图。 6典型。栅极电荷特性
4
21-05-2007 RAA
由赛米控
SKM 100GB125DN
图。 7典型。开关时间与我
C
图。 8典型。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9瞬态热阻抗
图。 10 CAL二极管的正向特性
图。 11典型。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12典型。 CAL二极管的峰值反向恢复电荷
5
21-05-2007 RAA
由赛米控
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SN65C3222E
SEL1053M
STM32F102R4
S-1323B51NB-N9KTFG
SN65LVDS391DRG4
SMLK34WBECW
SM0320102
SST29VF020-55-4I-NH
SHD117236P
SRR4028-6R8Y
SMA27
SS8P4C-E3/86A
SN74LVTH240PWRG4
SP239ACS
SI5330M-A00233-GM
SK24AL
ST631K
SSC-HYT766
S553-3873-23
SSW4N60B
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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