【SKiM609GAR12E4绝对最大额定值符号IGBTVCESICIcnomICRMICRM= 3x】,IC型号SKIM609GAR12E4,SKIM609GAR12E4 PDF资料,SKIM609GAR12E4经销商,ic,电子元器件-51电子网

SKiM609GAR12E4

绝对最大额定值

符号

IGBT

V

CES

I

C

I

cnom

I

CRM

I

CRM

= 3xI

cnom

V

CC

= 800 V

V

GE

≤

15 V

V

CES

≤

1200 V

T

j

= 175 °C

T

s

= 25 °C

T

s

= 70 °C

1200

748

608

600

1800

-20 ... 20

T

j

= 150 °C

10

-40 ... 175

T

s

= 25 °C

T

s

= 70 °C

139

110

600

I

FRM

= 3xI

fnom的

t

p

= 10毫秒，罪180 ° ，T

j

= 25 °C

1800

900

-40 ... 175

T

s

= 25 °C

T

s

= 70 °C

1397

1107

1350

I

FRM

= 3xI

fnom的

t

p

= 10毫秒，罪180 ° ，T

j

= 25 °C

4050

6480

-40 ... 175

T

终奌站

= 80 °C

交流窦50赫兹， t为1分钟

700

-40 ... 125

2500

V

A

V

s

°C

A

°C

A

°C

A

°C

V

条件

值

单位

脱脂93

沟道IGBT模块

SKiM609GAR12E4

特点

4 IGBT沟槽栅技术

焊烧结技术

V

CE （ SAT ）

用正温度

系数

低电感情况下，

分离铝

2

O

3

DCB （直接铜

保税）陶瓷基板

压接技术的

热接触和电

往来

高抗短路能力强，自限

到6×我

C

集成的温度传感器

V

GES

t

PSC

T

j

I

F

I

fnom的

I

FRM

I

FSM

T

j

逆二极管

T

j

= 175 °C

续流二极管

I

F

I

fnom的

I

FRM

I

FSM

T

j

模块

I

T（ RMS ）

T

英镑

V

ISOL

T

j

= 175 °C

典型应用*

车载逆变器

高可靠性AC逆变器的风

高可靠性AC逆变器驱动器

特征

符号

IGBT

V

CE （ SAT ）

V

CE0

r

CE

V

GE （日）

I

CES

C

IES

C

OES

C

水库

Q

G

R

GINT

条件

I

C

= 600 A

V

GE

= 15 V

chiplevel

T

j

= 25 °C

T

j

= 150 °C

T

j

= 25 °C

T

j

= 150 °C

V

GE

= 15 V

V

GE

= 0 V

V

CE

= 1200 V

V

CE

= 25 V

V

GE

= 0 V

V

GE

= - 8 V...+ 15 V

T

j

= 25 °C

T

j

= 25 °C

T

j

= 150 °C

分钟。

典型值。

1.85

2.25

0.8

0.7

1.8

2.6

马克斯。

2.10

2.45

0.9

0.8

2.0

2.8

6.5

0.3

单位

V

m

V

mA

nF

nC

V

GE

=V

CE

, I

C

= 24毫安

T

j

= 25 °C

T

j

= 150 °C

F = 1 MHz的

5

5.8

0.1

35.20

2.32

1.88

3400

1.3

GAR

由赛米控

第3版 - 2011年7月14日

1

SKiM609GAR12E4

特征

符号

t

D（上）

t

r

E

on

t

D（关闭）

t

f

E

关闭

R

日（ J- S）

条件

V

CC

= 600 V

I

C

= 600 A

V

GE

= 15 V

R

G于

= 4.1

R

克OFF

= 4.1

的di / dt

on

= 5000 A / μs的

的di / dt

关闭

= 4400 A / μs的

每个IGBT

T

j

= 25 °C

T

j

= 150 °C

T

j

= 25 °C

T

j

= 150 °C

T

j

= 25 °C

I

F

= 150 A

T

j

= 150 °C

的di / dt

关闭

= 3300 A / μs的T = 150℃

j

V

GE

= -15 V

T

j

= 150 °C

V

CC

= 600 V

每二极管

T

j

= 25 °C

T

j

= 150 °C

T

j

= 25 °C

T

j

= 150 °C

T

j

= 25 °C

I

F

= 600 A

T

j

= 150 °C

的di / dt

关闭

= 5300 A / μs的T = 150℃

j

V

GE

= -15 V

T

j

= 150 °C

V

CC

= 600 V

每二极管

T

j

= 150 °C

T

j

= 150 °C

T

j

= 150 °C

T

j

= 150 °C

T

j

= 150 °C

T

j

= 150 °C

T

j

= 150 °C

T

j

= 150 °C

分钟。

典型值。

150

121

136

808

100

83

马克斯。

单位

ns

mJ

ns

mJ

撇去

93

沟道IGBT模块

SKiM609GAR12E4

特点

4 IGBT沟槽栅技术

焊烧结技术

V

CE （ SAT ）

用正温度

系数

低电感情况下，

分离铝

2

O

3

DCB （直接铜

保税）陶瓷基板

压接技术的

热接触和电

往来

高抗短路能力强，自限

到6×我

C

集成的温度传感器

0.068

2.1

1.1

0.7

4.3

6.7

1.3

0.9

5.6

7.8

153

15

9

0.501

1.7

1.4

1.1

0.7

0.5

0.7

1.3

0.9

0.6

0.9

510

123

39

0.048

10

15

1.9

1.7

1.5

1.1

0.7

0.9

2.5

2.4

1.5

1.1

6.4

8.5

K / W

V

m

A

C

mJ

K / W

V

m

A

C

mJ

K / W

nH

m

g

K

逆二极管

V

F

= V

EC

I

F

= 150 A

V

GE

= 0 V

芯片

V

F0

r

F

I

RRM

Q

rr

E

rr

R

日（ J- S）

续流二极管

V

F

= V

EC

I

F

= 600 A

V

GE

= 0 V

芯片

V

F0

r

F

I

RRM

Q

rr

E

rr

R

日（ J- S）

模块

L

CE

R

CC' + EE '

w

。温度传感器

R

100

B

100/125

终端芯片

典型应用*

车载逆变器

高可靠性AC逆变器的风

高可靠性AC逆变器驱动器

T

s

= 25 °C

T

s

= 125 °C

0.3

0.5

1042

T

传感器

= 100 ° C（R

25

= 5 k)

R

(T)

= R

100

EXP [B

100/125

(1/T-1/373)];

T [ K] ;

339

4096

GAR

2

第3版 - 2011年7月14日

由赛米控

SKiM609GAR12E4

图。 1 ：典型值。输出特性，包括

CC' + EE '

图。 2 ：额定电流与温度I

C

= F（T

C

)

图。 3 ：典型值。导通/断电能量= F （Ⅰ

C

)

图。 4 ：典型值。导通/断电能量= F （r

G

)

图。 5 ：典型值。传输特性

图。 6 ：典型值。栅极电荷特性

由赛米控

第3版 - 2011年7月14日

3

SKiM609GAR12E4

图。 7 ：典型值。开关时间与我

C

图。 8 ：典型值。开关时间与栅极电阻R

G

图。 9 ：典型值。瞬态热阻抗

图。 10 ：典型值。 CAL二极管的正向CHARACT 。，含。

CC' + EE '

图。 11 ：典型值。 CAL二极管的反向恢复峰值电流

图。 12 ：典型值。 CAL二极管的恢复电荷

4

第3版 - 2011年7月14日

由赛米控

SKiM609GAR12E4

脱脂93

GAR

这是静电放电敏感器件（ ESDS ），国际标准IEC 60747-1 ，第九章

*我们的组件的规格可能不被视为对器件特性的保证。组件已经被测试

用于相应的应用程序。的调整可能是必要的。在生命支持设备和系统中使用赛米控的产品是

需事先规范和赛米控的书面同意。因此，我们强烈建议我们的工作人员事先协商。

由赛米控

第3版 - 2011年7月14日

5

SKiM609GAR12E4

绝对最大额定值

符号

IGBT

V

CES

I

C

I

cnom

I

CRM

I

CRM

= 3xI

cnom

V

CC

= 800 V

V

GE

≤

15 V

V

CES

≤

1200 V

V

GES

t

PSC

T

j

逆二极管

I

F

T

s

= 25 °C

T

s

= 70 °C

T

j

= 150 °C

T

j

= 175 °C

T

s

= 25 °C

T

s

= 70 °C

1200

748

608

600

1800

-20 ... 20

10

-40 ... 175

139

110

150

I

FRM

= 3xI

fnom的

t

p

= 10毫秒，罪180 ° ，T

j

= 25 °C

450

900

-40 ... 175

T

s

= 25 °C

T

s

= 70 °C

1397

1107

1350

I

FRM

= 3xI

fnom的

t

p

= 10毫秒，罪180 ° ，T

j

= 25 °C

4050

6480

-40 ... 175

700

-40 ... 125

交流窦50赫兹， t为1分钟

2500

V

A

V

s

°C

A

°C

A

°C

A

°C

V

条件

值

单位

脱脂93

沟道IGBT模块

SKiM609GAR12E4

目标数据

特点

4 IGBT沟槽栅技术

焊烧结技术

V

CE （ SAT ）

用正温度

系数

低电感情况下，

分离铝

2

O

3

DCB （直接铜

保税）陶瓷基板

压接技术

forthermal接触和

electricalcontacts

高抗短路能力强，自我

限制到6×我

C

集成的温度传感器

T

j

= 175 °C

I

fnom的

I

FRM

I

FSM

T

j

续流二极管

I

F

I

fnom的

I

FRM

I

FSM

T

j

模块

I

T（ RMS ）

T

英镑

V

ISOL

T

j

= 175 °C

典型应用

车载逆变器

高可靠性AC逆变器的风

高可靠性AC逆变器驱动器

特征

符号

IGBT

V

CE （ SAT ）

V

CE0

r

CE

V

GE （日）

I

CES

C

IES

C

OES

C

水库

Q

G

R

GINT

I

C

= 600 A

V

GE

= 15 V

chiplevel

T

j

= 25 °C

T

j

= 150 °C

T

j

= 25 °C

T

j

= 150 °C

V

GE

= 15 V

T

j

= 25 °C

T

j

= 150 °C

5

T

j

= 25 °C

F = 1 MHz的

1.85

2.25

0.8

0.7

1.8

2.6

5.8

0.1

35.2

2.32

1.88

3400

1.3

2.10

2.45

0.9

0.8

2.0

2.8

6.5

0.3

V

m

V

mA

nF

nC

条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

V

GE

=V

CE

, I

C

= 24毫安

V

GE

= 0 V

V

CE

= 1200 V

V

CE

= 25 V

V

GE

= 0 V

V

GE

= - 8 V...+ 15 V

T

j

= 25 °C

GAR

由赛米控

第2版 - 2009年8月26日

1

SKiM609GAR12E4

特征

符号

t

D（上）

t

r

E

on

t

D（关闭）

t

f

E

关闭

R

日（ J- S）

条件

V

CC

= 600 V

I

C

= 600 A

V

GE

= 15 V

R

G于

= 4.1

R

克OFF

= 4.1

的di / dt

on

= 5000 A / μs的

的di / dt

关闭

= 4400 A / μs的

每个IGBT

T

j

= 25 °C

T

j

= 150 °C

T

j

= 25 °C

T

j

= 150 °C

T

j

= 25 °C

T

j

= 150 °C

I

F

= 150 A

T

j

= 150 °C

的di / dt

关闭

= 3300 A / μs的T = 150℃

j

V

GE

= -15 V

T

j

= 150 °C

V

CC

= 600 V

每二极管

T

j

= 25 °C

T

j

= 150 °C

T

j

= 25 °C

T

j

= 150 °C

T

j

= 25 °C

T

j

= 150 °C

I

F

= 600 A

T

j

= 150 °C

的di / dt

关闭

= 5300 A / μs的T = 150℃

j

V

GE

= -15 V

T

j

= 150 °C

V

CC

= 600 V

T

j

= 150 °C

T

j

= 150 °C

T

j

= 150 °C

T

j

= 150 °C

T

j

= 150 °C

T

j

= 150 °C

分钟。

典型值。

150

121

136

808

100

83

马克斯。

单位

ns

mJ

ns

mJ

0.068

2.1

1.3

0.9

5.6

7.8

153

15

9

0.501

1.7

1.4

1.3

0.9

0.6

0.9

510

123

39

0.048

10

15

1.9

1.7

1.5

1.1

0.7

0.9

2.5

2.4

1.5

1.1

6.4

8.5

K / W

V

m

A

C

mJ

K / W

V

m

A

C

mJ

K / W

nH

m

撇去

93

沟道IGBT模块

SKiM609GAR12E4

目标数据

特点

4 IGBT沟槽栅技术

焊烧结技术

V

CE （ SAT ）

用正温度

系数

低电感情况下，

分离铝

2

O

3

DCB （直接铜

保税）陶瓷基板

压接技术

forthermal接触和

electricalcontacts

高抗短路能力强，自我

限制到6×我

C

集成的温度传感器

逆二极管

V

F

= V

EC

I

F

= 150 A

V

GE

= 0 V

芯片

V

F0

r

F

I

RRM

Q

rr

E

rr

R

日（ J- S）

续流二极管

V

F

= V

EC

I

F

= 600 A

V

GE

= 0 V

芯片

V

F0

r

F

I

RRM

Q

rr

E

rr

R

日（ J- S）

模块

L

CE

R

CC' + EE '

M

s

M

t

w

。温度传感器

R

100

B

100/125

终端芯片

到散热器（ M4）的

典型应用

车载逆变器

高可靠性AC逆变器的风

高可靠性AC逆变器驱动器

T

s

= 25 °C

T

s

= 125 °C

2.5

到终端（ M6）的

3

0.3

0.5

4

5

1100

Nm

g

K

T

传感器

= 100 ° C（R

25

= 5 k)

R

(T)

= R

100

EXP [B

100/125

(1/T-1/373)];

T [ K] ;

339

4096

GAR

2

第2版 - 2009年8月26日

由赛米控

SKiM609GAR12E4

图。 1 ：典型值。输出特性，包括

CC' + EE '

图。 2 ：额定电流与温度I

C

= F（T

C

)

图。 3 ：典型值。导通/断电能量= F （Ⅰ

C

)

图。 4 ：典型值。导通/断电能量= F （r

G

)

图。 5 ：典型值。传输特性

图。 6 ：典型值。栅极电荷特性

由赛米控

第2版 - 2009年8月26日

3

SKiM609GAR12E4

图。 7 ：典型值。开关时间与我

C

图。 8 ：典型值。开关时间与栅极电阻R

G

图。 9 ：典型值。瞬态热阻抗

图。 10 ：典型值。 CAL二极管的正向CHARACT 。，含。

CC' + EE '

图。 11 ：典型值。 CAL二极管的反向恢复峰值电流

图。 12 ：典型值。 CAL二极管的恢复电荷

4

第2版 - 2009年8月26日

由赛米控

SKiM609GAR12E4

SKIM 93

GAR

这是静电放电敏感器件（ ESDS ），国际标准IEC 60747-1 ，第九章

本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。无担保或担保明示或暗示的保证

方面取得的交付，性能或适用性。

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