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SKiM306GD12E4
绝对最大额定值
符号
IGBT
V
CES
I
C
I
cnom
I
CRM
I
CRM
= 3xI
cnom
V
CC
= 800 V
V
GE
≤
15 V
V
CES
≤
1200 V
V
GES
t
PSC
T
j
逆二极管
I
F
T
s
= 25 °C
T
s
= 70 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 175 °C
T
s
= 25 °C
T
s
= 70 °C
1200
365
296
300
900
-20 ... 20
10
-40 ... 175
285
225
300
I
FRM
= 3xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
900
1620
-40 ... 175
700
-40 ... 125
交流窦50赫兹， t为1分钟
2500
V
A
A
A
A
V
s
°C
A
A
A
A
A
°C
A
°C
V
条件
值
单位
脱脂63
沟道IGBT模块
SKiM306GD12E4
T
j
= 175 °C
I
fnom的
特点
4 IGBT沟槽栅技术
焊烧结技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
低电感情况下，
分离铝
2
O
3
DCB （直接铜
保税）陶瓷基板
压接技术
forthermal接触和
electricalcontacts
高抗短路能力强，自我
限制到6×我
C
集成的温度传感器
I
FRM
I
FSM
T
j
模块
I
T（ RMS ）
T
英镑
V
ISOL
特征
符号
IGBT
V
CE （ SAT ）
V
CE0
r
CE
V
GE （日）
I
CES
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
R
GINT
t
D（上）
t
r
E
on
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
R
日（ J- S）
I
C
= 300 A
V
GE
= 15 V
chiplevel
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
V
GE
= 15 V
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
5
T
j
= 25 °C
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
1.85
2.25
0.8
0.7
3.5
5.2
5.8
0.1
17.6
1.16
0.94
1700
2.5
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
252
44
19
506
70
39
0.142
2.10
2.45
0.9
0.8
4.0
5.5
6.5
0.3
V
V
V
V
m
m
V
mA
mA
nF
nF
nF
nC
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
K / W
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
典型应用
车载逆变器
高可靠性AC逆变器的风
高可靠性AC逆变器驱动器
V
GE
=V
CE
, I
C
= 12毫安
V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V
V
CE
= 25 V
V
GE
= 0 V
V
GE
= - 8 V...+ 15 V
T
j
= 25 °C
V
CC
= 600 V
I
C
= 300 A
R
G于
= 1
R
克OFF
= 1
的di / dt
on
= 6590 A / μs的
的di / dt
关闭
= 4000 A / μs的
每个IGBT
GD
由赛米控
第2版 - 2009年8月26日
1
SKiM306GD12E4
特征
符号
条件
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
r
F
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
I
RRM
Q
rr
E
rr
R
日（ J- S）
模块
L
CE
R
CC' + EE '
终端芯片
到散热器（ M4）的
到终端（ M6）的
T
s
= 25 °C
T
s
= 125 °C
2.5
3
9
0.3
0.5
4
5
750
T
传感器
= 100 ° C（R
25
= 5 k)
R
(T)
= R
100
EXP [B
100/125
(1/T-1/373)];
T [ K] ;
339
4096
13
nH
m
m
Nm
Nm
Nm
w
温度传感器
R
100
B
100/125
K
g
I
F
= 300 A
T
j
= 150 °C
的di / dt
关闭
= 8000 A / μs的T = 150℃
j
V
GE
= -15 V
T
j
= 150 °C
V
CC
= 600 V
每二极管
分钟。
典型值。
2.1
2.1
1.3
0.9
2.8
3.9
448
47
21
马克斯。
2.5
2.4
1.5
1.1
3.2
4.3
单位
V
V
V
V
m
m
A
C
mJ
逆二极管
V
F
= V
EC
I
F
= 300 A
V
GE
= 0 V
芯片
V
F0
撇去
63
沟道IGBT模块
SKiM306GD12E4
0.239
K / W
特点
4 IGBT沟槽栅技术
焊烧结技术
V
CE （ SAT ）
用正温度
系数
低电感情况下，
分离铝
2
O
3
DCB （直接铜
保税）陶瓷基板
压接技术
forthermal接触和
electricalcontacts
高抗短路能力强，自我
限制到6×我
C
集成的温度传感器
M
s
M
t
典型应用
车载逆变器
高可靠性AC逆变器的风
高可靠性AC逆变器驱动器
GD
2
第2版 - 2009年8月26日
由赛米控
SKiM306GD12E4
图。 1 ：典型值。输出特性，包括
CC' + EE '
图。 2 ：额定电流与温度I
C
= F（T
C
)
图。 3 ：典型值。导通/断电能量= F （Ⅰ
C
)
图。 4 ：典型值。导通/断电能量= F （r
G
)
图。 5 ：典型值。传输特性
图。 6 ：典型值。栅极电荷特性
由赛米控
第2版 - 2009年8月26日
3
SKiM306GD12E4
图。 7 ：典型值。开关时间与我
C
图。 8 ：典型值。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9 ：典型值。瞬态热阻抗
图。 10 ：典型值。 CAL二极管的正向CHARACT 。 ，含。
CC' + EE '
图。 11 ：典型值。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12 ：典型值。 CAL二极管的恢复电荷
4
第2版 - 2009年8月26日
由赛米控
SKiM306GD12E4
SKIM 63
GD
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准IEC 60747-1 ，第九章
本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。无担保或担保明示或暗示的保证
方面取得的交付，性能或适用性。
由赛米控
第2版 - 2009年8月26日
5
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