【SKCD 121 C 120 I3绝对最大额定值符号VRRMIF（ AV ）IFSMTJMAX条件T】,IC型号SKCD121C120I3,SKCD121C120I3 PDF资料,SKCD121C120I3经销商,ic,电子元器件-51电子网

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SKCD 121 C 120 I3

绝对最大额定值

符号

V

RRM

I

F（ AV ）

I

FSM

T

JMAX

条件

T

j

= 25 ° C，I

R

- 0.5毫安

T

s

= 80 ° C，T

j

= 150 °C

10毫秒

犯罪180 °

T

j

= 25 °C

T

j

= 150 °C

值

1200

120

1660

150

单位

V

A

A

A

°C

CAL二极管

I

F

= 150 A

V

RRM

= 1200 V

尺寸：11毫米× 11毫米

SKCD 121 C 120 I3

电气特性

符号

i

2

t

I

R

V

F

V

（TO）

r

T

条件

T

j

= 150 ° C， 10毫秒，罪180 °

T

j

= 25 ° C，V

RRM

= 1200 V

T

j

= 125°C ，V

RRM

= 1200 V

T

j

= 25 ° C，I

F

= 155 A

T

j

= 125 ° C，I

F

= 155 A

T

j

= 125 °C

T

j

= 125 °C

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

A

2

s

0.50

10.00

2.00

1.79

1.18

3.8

2.50

2.30

mA

mA

V

V

V

m

特点

低正向压降结合

具有低的温度依赖性

由于易于并联的小前锋

电压蔓延

很软恢复特性

小开关损耗

高耐用性

兼容厚引线键合

兼容所有标准的焊锡

过程的

动态特性

符号

t

rr

t

rr

Q

rr

Q

rr

I

RRM

I

RRM

条件

T

j

= 25°C ， 600 V ，

T

j

= 125°C ， 600 V ，

T

j

= 25°C ， 600 V ，

T

j

= 125°C ， 600 V ，

T

j

= 25°C ， 600 V ，

T

j

= 125°C ， 600 V ，

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

s

ns

C

C

A

A

典型应用*

用于IGBT续流二极管

特别适用于频率

＆ GT ;

8

千赫

热特性

符号

T

j

T

英镑

T

SOLDER

T

SOLDER

R

日（ J- S）

10分钟。

5分钟。

售出。在0.38毫米DCB ，参考点

铜散热片靠近芯片

0.24

条件

分钟。

-40

-40

典型值。

马克斯。

150

150

250

320

单位

°C

°C

°C

°C

K / W

机械特性

符号

光栅

SIZE

总面积

阳极

阴极

引线键合

包

芯片/

包

条件

值

11 x 11

121

粘合（铝）

可焊接的银（Ag / Ni）的

铝，直径

≤

500 m

晶圆框架

76 （ 5"晶圆）

单位

mm

2

mm

2

个

SKCD

由赛米控

第0版 - 2010年2月18日

1

SKCD 121 C 120 I3

这是静电放电敏感器件（ ESDS ），国际标准IEC 60747-1 ，第九章

*我们的组件的规格可能不被视为对器件特性的保证。组件已经被测试

用于相应的应用程序。的调整可能是必要的。在生命支持设备和系统中使用赛米控的产品是

需事先规范和赛米控的书面同意。因此，我们强烈建议我们个人的事先协商。

2

第0版 - 2010年2月18日

由赛米控

SKCD 121 C 120 I3

赛米控，二极管可控硅功率模块semicondictor领先制造商

绝对最大额定值

符号条件

值

单位

SEMICELL CAL二极管

SKCD 121 C 120 I3

电气特性

符号条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

I

F

= 150 A

V

RRM

= 1200 V

尺寸：11毫米× 11毫米

包装：晶圆框架

动态特性

符号条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

特点

热特性

符号条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

典型应用

机械特性

参数

单位

SKCD

1

2004年8月12日SCT

由赛米控

SKCD 121 C 120 I3

赛米控，二极管可控硅功率模块semicondictor领先制造商

本技术信息指定的半导体器件。无担保或担保明示或暗示方面取得

关于交付，性能或适用性。

2

2004年8月12日SCT

由赛米控

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